XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemUltra
探索3D超声中胎儿大脑皮层下分割的测试时间适应
摘要 - 超声（US）图像中胎儿大脑皮层下区域的生长可以帮助鉴定出异常发育的存在。手动分割这些区域是一项艰巨的任务，但是最近的工作表明，它可以使用深度学习自动化。然而，应用验证的模型来表现出徒手的美国量通常会导致由于获取和对齐的巨大差异而导致性能下降。在这项工作中，我们首先证明测试时间适应（TTA）可用于在存在真实和模拟域移动的情况下改善模型性能。我们通过将规范地图集作为解剖学的先验提出了一种新型的TTA方法。在存在各种域移位的情况下，我们基准了不同TTA方法的绩效，并证明了我们提出的方法带来的改进，这可能会进一步促进对胎儿脑发育的自动监测。我们的代码可从https://github.com/joshuaomolegan/ tta-for-3d-fetal-subcortical-sementation获得。关键字 - 测试时间适应，超声，分段
相同的超快速平行大脑动力学支撑着言语的产生和感知
语言信息获取的时间动态是理解语言在大脑中如何组织的关键特性之一。不同大脑语言模型之间尚未解决的争论是，语言的构成要素——单词是以顺序方式还是并行方式激活。在本研究中，我们从新颖的角度探讨了这个问题，直接比较了语音生成和感知中单词成分激活的时间过程。在显性对象命名任务和被动听力任务中，我们用单次试验水平的混合线性模型分析了两种语言模式中相同的词汇语义和语音词汇知识引起的事件相关脑电位。结果表明，在刺激开始后 75 毫秒，两种单词成分在生成和感知中同时表现出来；语言模式之间的差异在处理 300 毫秒后才变得明显。这些数据为语言处理的超快速并行动态提供了证据，并在神经组装框架内进行了解释，其中单词在生成和感知过程中招募相同的整合细胞组合。这些词语组合早期并行点燃，之后才以特定行为的方式产生反响。
使用低强度脉冲超声开放血脑屏障可以增强对临床前神经胶质瘤模型中免疫疗法的反应
结果：用抗-PD-1和LIPU诱导的BBBD处理的小鼠的中位生存时间为58天，而用抗-PD-1处理的小鼠39天，在对侧半球后对侧重新观察后，长期生存的人都活着。CAR T细胞给药可显着增加24（p <0.005）和72（p <0.005）和72（p <0.001）小时后的T细胞递送到中枢神经系统的增加，并且与单独的CAR T细胞相比，中位生存期的中值增加了129％。在治疗窗口（p¼0.004）期间，胶质瘤微环境中cxcl10分泌APC的局部沉积增强了T细胞神经胶质瘤的纤维瘤，并显着增强了存活率（P <0.05）。结论：LIPU将免疫治疗性递送到肿瘤环境中，WithAnassAssipedIncreaseassurvivalandis是一种增强大脑中新型疗法的新兴技术。
在体内猪模型中对肝组织的非侵入性高强度的超声治疗：使用环形换能器
Sophie Cambronero，AurélienDupré，Charles Mastier，David Melodelima。在体内猪模型中对肝组织的非侵入性高强度的超声处理：使用环形传感器快速，大而安全的消融。医学与生物学超声波，2023，49（1），pp.212-224。10.1016/j.ultrasmedbio.2022.08.015。hal-04745052
Dispex® Ultra FA 4482
信号词：危险 危险说明：H290 可能腐蚀金属。H318 造成严重眼损伤。H315 引起皮肤刺激。H401 对水生生物有毒。 防范说明（预防）：P280 戴防护手套和护目镜/面罩。P273 避免释放到环境中。P264 操作后，用大量水和肥皂彻底清洗。P234 只保存在原包装中。防范说明（应对）：P305 + P351 + P338 如进入眼睛：用水小心冲洗几分钟。如戴隐形眼镜并可轻松取下，请取下。继续冲洗。P310 立即呼叫毒物中心或医生。P303 + P352 如沾到皮肤（或头发）上：用大量肥皂和水清洗。P362 + P364 脱下受污染的衣物，清洗后方可重新使用。 P390 吸收溢出物以防止材料损坏。 防范说明（储存）： P406 储存在耐腐蚀/…容器中，内衬耐腐蚀。 防范说明（处置）： P501 将内容物/容器处置到危险或特殊废物收集点。 根据联合国 GHS 标准 危险确定成分（标签）： 环氧乙烷，甲基-，环氧乙烷聚合物，单-C10-16-烷基醚，磷酸盐，正磷酸 其他危险
超快超声成像模式分析揭示了关节炎动物独特的动态大脑状态和强大的子网络改变
慢性疼痛病理是由周围和/或中枢神经系统的适应不良变化引起的，是一种影响 20% 欧洲成年人口的致残性疾病。更好地了解这种发病机制将有助于确定新的治疗目标。最近，从大脑网络之间连贯的低频血流动力学波动中提取的功能连接 (FC) 为研究大规模大脑网络及其在神经/精神疾病中的破坏提供了一种强有力的方法。对 FC 的分析通常是对随时间推移的平均信号进行的，但最近，对 FC 动态的分析也提供了新的有希望的信息。考虑到持续性疼痛动物模型的局限性以及它们作为增进我们对慢性疼痛致病性神经生物学基础的理解的有力工具，本研究旨在通过使用功能性超声成像（一种具有独特时空分辨率（100 μ m 和 2 ms）和灵敏度的神经成像技术）来确定临床相关的持续性炎症疼痛（佐剂性关节炎）动物模型中功能连接的变化。我们的研究结果显示，关节炎动物的 FC 发生了显著变化，例如躯体运动 (SM) 网络的一个子部分，发生在疾病开始后数周。此外，我们首次证明通过超声评估的动态功能连接可以为我们定义为大脑状态的动态模式提供定量和可靠的信息。虽然主要状态由 SM 网络中血流动力学波动的整体同步组成，但关节炎动物在统计上花费更多时间处于其他两种状态，其中发炎后爪的初级感觉皮层的波动与 SM 网络的其余部分不同步。最后，将 FC 变化与个体动物的疼痛行为相关联表明 FC 改变与疼痛的认知或情感方面之间存在联系。我们的研究引入了 fUS 作为一种新的转化工具，以增强对慢性疼痛主要临床前模型中动态疼痛连接组和大脑可塑性的理解。
用超短激光脉冲激发后聚碳酸酯中的解密载体动力学
暴露于超短脉冲激光器（UPL）的聚合物（UPL）经历了一系列物理和化学变化，这些变化在从材料加工到高级光子学和生物医学的应用中起着关键作用。为了阐明UPL与聚合物材料的相互作用，假设聚碳酸酯（PC）是暴露于中等能量的激光脉冲的测试材料，则研究了超快现象，例如载体动力学，重组和松弛。为介电材料开发的理论模型被扩展，以描述PC的未开发的激发和载体动力学，而femtsecond瞬时吸收光谱用于阐明材料的响应和超快动力学的演变。使用理论模型来解释实验测量结果表明，能量水平的存在促进了自我捕获的激子在传导和价带之间的自我转移的形成（低于传导带的2.4-2.8 eV）。它还可以预测电子播寿命（约110-150 fs），重组时间（约34 ps）和由于kerr效应而折射率的非线性部分（𝑛2值范围为1.1-1.5×10 -16 cm 2 /w）。此外，还强调了多光子辅助电离的主要特征，而还计算出光学崩溃阈值并发现等于2.55×10 12 W/cm 2。结果预计将支持旨在阐明强烈超短激光脉冲与聚合物材料相互作用的未来努力，这对于优化这些材料的制造过程至关重要。
超声刺激的布朗棘轮增强了水凝胶中分子的扩散
Faezeh Gerayeli、Nawel Khalef、Aziz Bakri、Philippe Benech、Donald Martin。超声波刺激的布朗棘轮增强了水凝胶中保留的分子的扩散。纳米医学：纳米技术、生物学和医学，2021 年，第 31 期，第 102308 页。�10.1016/j.nano.2020.102308�。�hal-02987851�
使用轴棱镜双合透镜聚焦的红外激光脉冲通过硅形成超高纵横比结构
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来，为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束，这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸，我们可以获得半导体内部的优化条件，从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术，我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似，但我们表明，重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变，从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此，这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平，并且是一种新颖的冲击写入模式，可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构，而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化，通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门，而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
基于 Cortex-M0+ 的起搏器：CMOS 技术基准，实现超低功耗运行
摘要 — 生物技术和微电子技术的不断进步不断推动着有源植入式医疗设备（如起搏器）的小型化和功耗极限。植入式起搏器是电池供电的嵌入式系统，其自主性是延长设备寿命的重要制约因素。然而，起搏器的处理器消耗了大部分电池能量，因为它必须实时分析心脏活动。因此，选择合适的 CMOS 技术来制造处理器是至关重要的一点。在此背景下，本文提出了一种主要估算基于 ARM 的处理器功耗的方法。该方法已应用于意法半导体的三种制造技术。仿真结果表明，在温度为 27°C 的情况下，对于 HCMOS9A (1.2 V)、CMOS065 (1 V) 和 FDSOI (1 V) 技术，Cortex-M0+ 消耗的平均漏电功率分别为 300 nW、136 nW 和 486 nW，有效能量分别为 398 µW/MHz、49.9 µW/MHz 和 20.3 µW/MHz。但是，通过将电源电压降低至 0.8 V，FDSOI 技术可以获得与 CMOS065 类似的漏电功耗。最后，在功耗、面积和价格标准方面，CMOS065 似乎是在功耗、面积和成本方面提供最佳折衷的技术，即使温度升高 10°C 会导致这三种技术的平均漏电功率增加 30% 至 54.5%。