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通过高效可见光固化实现柔性显示屏的紫外光可剥离光学透明粘合剂
随着人们对可持续性的关注度不断提高，对易于拆卸和重复使用的产品的需求也随之增加。最初设计用于粘合的粘合剂现在面临着选择性去除的需求，从而实现各行业的快速组装拆卸和高效维护。这种需求在显示器行业尤为明显，因为可折叠设备的兴起需要专门的粘合剂。本文介绍了一种用于可折叠显示器的新型光学透明粘合剂 (OCA)，具有独特的紫外线刺激选择性去除功能。该方法将二苯甲酮衍生物掺入聚合物网络中，便于在紫外线照射下快速脱粘。该方法的一个关键特点是巧妙地利用可见光驱动的自由基聚合来制造 OCA 薄膜。该方法与各种单体表现出显著的兼容性，并对二苯甲酮表现出正交反应性，使其成为大规模生产的理想选择。所得 OCA 不仅具有高透明度和均衡的弹性，以及出色的抗反复折叠性，而且在暴露于紫外线照射时还表现出显著降低的粘附性。通过将这种定制配方与战略性集成的紫外线响应元素相结合，我们提供了一种有效的解决方案，可提高可持续电子产品和显示器这一快速发展的领域的制造效率和产品可靠性。这项研究还有助于环保设备制造，满足新兴技术需求。
在LQB/P-EBL界面的极化工程中，基于Algan的深紫外线发光二极管的增强载体注入
摘要 - 基于Algan的深紫外线发光二极管（DUV LED）的外部量子效率（EQE）由于电子泄漏的主要问题而远非令人满意阻塞层（P-EBL）可以在该界面附近诱导电子积累和孔耗尽，从而导致电子泄漏并阻碍孔注入。在本文中，我们提出了在LQB和P-EBL之间插入的Al-Composition Increasing Algan层（ACI-ALGAN），以增强DUV LED的载体注入能力，通过调节LQB/EBL界面和下层机制在LQB/EBL界面上调节偏振产生的表电荷产生的床单，并通过数字计算分析。插入结构可以消除LQB的P侧界面处的正电荷，并在P-EBL的N侧界面附近诱导孔积累，这随后可以减少电子泄漏和偏爱孔注射。提出的带有ACI-Algan层的DUV LED结构表现出增强的EQE 45.7％，其正向电压保持不变。此设计方案可以提供另一种方法来促进使用各种应用程序的DUV LED的性能。
发现生命科学 - 运动
辉煌的紫罗兰色染料亮紫421 4紫罗兰色（405 nm）407 423 450 ／50亮紫480 3紫罗兰色（405 nm）440 479 525 ／40亮点40亮点650 2紫罗兰色650 2紫罗兰色（405 nm）（405 nm）407 649 649 660 660 630 lp Prilliat frirate flirt viret 711 lp vilet 711 411 411 45 nm viveret（ 690 LP亮紫786 3紫罗兰色（405 nm）407 786 780 ／60 、60 、750 lp亮紫色紫外线染料亮紫色395 3紫外线（355 nm）350 395 379 ／28亮点496 2紫外线496 2 Ultraviolet（355 NM） 563 4 Ultraviolet (355 nm) 350 564 585 ／ 15 、 535 LP or 560 ／ 40 、 535 LP Brilliant Ultra Violet 615 3 Ultraviolet (355 nm) 350 616 610 ／ 20 、 595 LP Brilliant Ultra Violet 661 4 Ultraviolet (355 nm) 350 660 670 ／ 25 、 630 LP亮Ultra Violet 737 4 Ultraviolet（355 nm）350 737 740 ／35 Brilla Ultra Violet 805 3 Ultraviolet（355 nm）350 805 820 ／60 ／60或780 ／60 ／60
采用紫外飞秒激光烧蚀电离质谱法对 SnAg 焊料凸点进行三维成分分析
老材料在微电子领域的重要性日益凸显，不仅体现在二级封装（即印刷电路板组装层面），也体现在一级封装（例如，图 1 a 所示的倒装芯片组装）中。1 在这些应用中，各种类型、不同尺寸的焊料凸块用于三维集成电路 (3D-IC) 的复杂互连。1a 典型焊料凸块的构建示意图如图 1 b 所示。当今 300 毫米晶圆级焊料凸块应用技术上最相关的合金材料是电沉积共晶 SnAg。1b 然而，由于 Sn 2+ 和 Ag + 离子的标准还原电位差异很大（ΔE0≈0.94V），通过电化学沉积制造 SnAg 合金是一项艰巨的任务。为了解决这个问题，通常会在 SnAg 电镀液中添加络合剂和螯合剂，这些络合剂和螯合剂选择性地作用于较惰性的 Ag + 离子，从而减慢其沉积速度以与 Sn 2+ 相兼容，并促进两种金属的共沉积。2 这是实现所需合金成分的关键先决条件。3 此类络合剂和螯合剂的另一个补充功能是稳定含 Sn 电解质中的 Ag + 离子，防止其还原为金属 Ag 以及随之而来的 Sn 2+ 氧化
生物体大小是在紫外线辐照和臭氧消毒
抽象的紫外线辐射（UVGI）和臭氧消毒是在高风险环境中缓解病原微生物的空气传播的关键方法，尤其是在呼吸道病毒病原体（如SARS-COV-2和Avian Infiean Infuenza inflienza and Avian inf uenza）中的出现。这项研究定量研究了紫外线和臭氧对生物溶质溶质中大肠杆菌生存能力的影响，特别关注大肠杆菌的生存能力如何依赖于生物溶质醇的大小，这是一个关键因素，它是确定人类静止性系统和bioaerosolols进化环境中沉积模式的关键因素。本研究使用了一个受控的小型实验室，在整个暴露时间（2 - 6 s）中，将大肠杆菌悬浮液燃烧并持有不同水平的UVGI和臭氧水平。由于暴露时间从2到6 s增加，并且在使用uvgi和ozone和ozone（65 - 131 ppb）时，发现大肠杆菌的归一化生存力显着降低了。我们还发现，与较大的尺寸（0.5 - 2.5μm）相比，UVGI降低了生物溶质中大肠杆菌的归一化活力（0.25 - 0.5μm）。然而，当组合紫外线和臭氧时，对于较小的粒径，归一化的活力高于较大的粒径。这些发现为有效的UVGI消毒工程方法的发展提供了见解，以控制高风险环境中致病性微生物的传播。通过理解微生物在各种生物质量大小中的生存能力的影响，我们可以优化紫外线和臭氧技术，以降低病原体的空气传播的潜在风险。
来自极端紫外线（EUV）光刻工作组的报告：当前状态，需求和前进
这是2023年4月25日在Boulder的美国国家标准技术研究所（NIST）举行的混合工作组会议的报告。工作组专注于极端的紫外线光刻（EUVL）研究，开发和制造。会议允许就EUVL的许多技术方面进行有效的讨论。行业参与者进行了演讲，这些演讲有助于将本报告的概述告知科学的现状，挑战，需求和未来在EUVL加速创新的机会。该报告还包括有关NIST的一些努力的信息，这些努力可以开始或继续支持美国半导体行业。在工作组会议上凝聚力介绍了NIST的一些研究和能力，为外部利益相关者提供了知名度和发表评论的机会。这次会议对于学习NIST的研究能力的行业参与者很有见识。反过来，NIST的研究人员对行业的需求有了更深入的了解，以确定NIST的计量专业知识可以帮助进行EUVL研究。会议和本报告并非也不是要捕捉EUVL行业的整个观点，而是作为讨论起点。未来的工作包括扩大参与度，磨练NIST研究子组满足EUVL的特定需求，并执行在工作组会议或任何未来会议中讨论的优先研究。通过与美国EUVL行业的参与，希望创建有针对性的研究合作，加快半导体制造创新并为美国纳税人带来有意义的价值。
高功率，狭窄的线宽固态深紫外线激光在193 nm处通过LBO晶体中的频率混合
摘要。在LBO晶体中具有两个阶段，在193 nm处有60兆瓦的固态深紫外线（DUV）激光器，狭窄的线宽。泵激光器分别来自258 nm和1553 nm，源自自制的YB-Hybrid激光器，分别采用了第四次谐波产生和ER掺杂的纤维激光器。YB-HYBRID激光器最终是功率缩放的2 mm×2 mm×30 mm YB：YAG散装晶体。伴随着221 nm的220兆瓦DUV激光器，193 nm激光器的平均功率为60 mW，脉冲持续时间为4.6 ns，重复速率为6 kHz，线宽约为640 MHz。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。 值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。 我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。
紫外激发下 Ba{4}{3}{17}$:Yb$^{3+}$:Eu$^{3+}$ 纳米粒子的近红外下转换发光
根据国际能源署 (IEA) 和欧洲环境署 (EEA) 的数据，能源消耗量逐年增加。这刺激了人们对新能源的探索和现有能源效率的提高。据预测，到 2030 年，光伏设备将产生太瓦级能源，同时千瓦时成本也将降低 [1]。太阳能是最经济实惠的能源之一。硅基太阳能电池主要用于太阳能利用。大部分能源将由硅太阳能电池板产生。除了硅之外，还有各种多层复合材料，如 GaAs、CdTe、Cu(In,Ga)Se 2 和最近提出的钙钛矿结构 [2, 3]。后者价格昂贵，难以在工业规模上生产。此外，由于有毒成分，过期后处理也存在问题，使用此类复合材料违背了绿色化学的原则。硅的优势在于化学可用性、技术链的成熟度、电子元件（包括含有稀土元素的元件）的处理。同时，硅基太阳能电池的一个严重缺点是光电转换效率 (LECE) 相对较低，即最佳样品的转换效率不高于 25% [4,5]。硅的最高光敏性区域位于约 1 µ m，其 LECE 光谱与太阳发射光谱的对应性较差。通过将太阳辐射从紫外线和蓝色光谱范围向下转换为 1 µ m 光谱范围来提高硅太阳能电池板的效率是一项紧迫的任务，对于太空应用而言，这非常现实 [6– 9]。潜在的发射体是三价镱离子，因为它的近红外 (NIR) 发光带约为 1000 nm（ 2 F 5 / 2 – 2 F 7 / 2 跃迁）[9–13]，与硅电池的 LECE 光谱顶部高度重合。Ba 4 Y 3 F 17 [14–17] 是经过深入研究的新型发光基质之一，因为它表现出下转换发光的高量子产率 [14]。对于在这些光谱区域吸收的各种敏化阳离子，能量可以从紫外和蓝色光谱区域转移到镱。一种特别有效的能量转移机制是通过敏化剂离子的逐步弛豫，通过量子切割机制激发两个受体离子 [12, 13, 18, 19]。量子切割表现出高达 195% 的高量子效率系数，但 NIR 发光的量子产率较低。更有效的途径是在具有更高发光量子产率的系统中简单地降档。一种有前途的组合物是 Yb/Eu 掺杂对，因为铕的吸收光谱包含 UV 和蓝色光谱区域的几条线。镱发光的最高直接测量量子产率（2.对于 SrF 2 :Yb (1.0 mol %):Eu (0.05 mol %) 粉末，在 266 nm 泵浦下达到 5 % [20]。本文旨在合成 Ba 4 Y 3 F 17 :Yb:Eu 固溶体并研究其发光性能。该样品旨在用于增强硅太阳能电池的 LECE。
vildagliptin（VD）和dapagliflozin（DP）通过RP-HPLC使用紫外线（UV）检测器，Hypersil Gold C18（250×4.6
vildagliptin（Vd）和dapagliflozin（DP）通过RP-HPLC使用紫外线（UV）检测器同时确定，Hypersil Gold C18（250×4.6 mm）列（250×4.6 mm）列，5 µm，5 µm和乙腈的流动相：与O-phostocior Acthocior Acter-phostocior Acthoce/ph 3）一起调节。选择估计波长为213 nm。VD和DP的保留时间分别为2.9分钟和8.3分钟。Q2（R1）在验证过程中遵循ICH指南。VD和DP相关系数R 2值分别为0.9993和0.999。虽然DP的线性范围为1至6 µg/ml，但VD为10至60 µg/ml。精度和准确性研究表明，％相对标准偏差（％RSD）低于2％。恢复％被评估以满足ICH Q2（R1）指南标准。对强制降解的提出的研究表明稳定性表明研究。调查结果还表明，建议的方法适合精确，准确地确定VD和DP。关键字：Vildagliptin，Dapagliflozin，强制退化研究，验证。国际药物输送技术杂志（2024）； doi：10.25258/ijddt.14.3.49如何引用本文：Deshmukh SB，Wagh PA，Yadav SS，Mane MB。稳定性指示HPLC方法的开发和验证，以同时确定药物剂型中的Vildagliptin和dapagliflozin。国际药物输送技术杂志。2024; 14（3）：1599-1603。支持来源：零。利益冲突：无
原子平面错位取向有助于提高纳米图案化蓝宝石 (0001) 表面上 AlN 外延生长的晶体质量，用于深紫外光电器件
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