VDMOSFET

2022-03-17 机构名称:

商用 P 沟道功率 VDMOSFET 作为 X 射线剂量计“2279

1 尼什大学电子工程学院，18000 尼什，塞尔维亚；stefan.ilic@nanosys.ihtm.bg.ac.rs (SDI)；sandra.veljkovic@elfak.rs (SV)；aleksandar.jevtic@elfak.rs (ASJ)；strax.dimitrijevic@elfak.rs (SD) 2 贝尔格莱德大学化学、技术和冶金学院微电子技术中心，11000 贝尔格莱德，塞尔维亚 3 格拉纳达大学电子与计算机技术系，18014 格拉纳达，西班牙；ajpalma@ugr.es 4 “Vinˇca”核科学研究所辐射与环境保护系，11000 贝尔格莱德，塞尔维亚； srbas@vin.bg.ac.rs 5 IHP—Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik，15236 法兰克福，德国；andjelkovic@ihp-microelectronics.com * 通信地址：goran.ristic@elfak.ni.ac.rs † 本文是会议论文的扩展版本：Risti´c, GS；Jevti´c, AS；Ili´c, SD；Dimitrijevi´c, S.；Veljkovi´c, S.；Palma, AJ；Stankovi´c, S.；Andjelkovi´c, MS 无偏商用 p 沟道功率 VDMOSFET 对 X 射线辐射的敏感性。在 IEEE 第 32 届国际微电子会议（MIEL 2021）论文集上，塞尔维亚尼什，202 年 9 月 12-14 日；第 341-344 页。https://doi.org/10.1109/MIEL52794.2021.9569096。

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2021-11-29 机构名称:

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YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。 Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2021）。 “ 根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。 2。 Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。 “基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。 3。 Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。 “在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。 4。 Sezgin，H.G。和Özçelep，Y。（2015）。 “功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2021）。 “根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。2。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。3。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。4。Sezgin，H.G。和Özçelep，Y。（2015）。“功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。

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