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CS150N03 D8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
硅 N 沟道功率 MOSFET CS150N03A8
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS8N50 A4R 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS150N04 A8 - prom.st
欧盟 RoHS 指令范围。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS7N60F A9R
欧盟 RoHS 指令范围。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS9N90 AKRD-G Silicon N-Channel Power MOSFET
europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS16N65F A9H硅N通道功率MOSFET
Europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS4N65F A9R
Europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS150N03 A8
europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS150N04 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。