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分层的van der waals crcl 3
我们研究了范德华（VDW）分层CRCL 3的磁性和磁性性能，并通过磁化和热容量测量值进行了磁性和磁性特性。crcl 3由于铁磁和防铁磁相互作用之间的强烈竞争而表现出复杂的磁性特性：一种约17 k的铁磁秩序，然后在14.3 k处进行防铁磁有序。在14.3 K.观察到在过渡温度附近7 t的场变化，而在18 K和0-3 T处的机械效率（G M）为1.17。磁电参数的这些值比CRI 3和其他分层VDW系统的值明显大。缩放分析表明，所有重新缩放的D S M（T，H）数据崩溃成单个曲线，这表明磁相变的二阶性质。上面的结果表明，环保的CRCL 3可以是非常昂贵的稀土材料的绝佳选择，用于用于液化液化的磁性冷藏。
MoS2/WSe2 中局部电导的可视化......
摘要：范德华 (vdW) 材料的垂直堆叠为二维 (2D) 系统的研究带来了新的自由度。层间耦合强烈影响异质结构的能带结构，从而产生可用于电子和光电子应用的新特性。基于微波显微镜研究，我们报告了门控二硫化钼 (MoS 2 )/二硒化钨 (WSe 2 ) 异质结构器件的定量电成像，这些器件在传输特性中表现出有趣的反双极效应。有趣的是，在源漏电流较大的区域，n 型 MoS 2 中的电子和 p 型 WSe 2 段中的空穴几乎平衡，而异质结构区域的移动电荷则耗尽。局部电导的空间演变可以归因于沿 MoS 2 − 异质结构 − WSe 2 线的横向能带弯曲和耗尽区的形成。我们的工作生动地展示了新传输行为的微观起源，这对于充满活力的范德华异质结研究领域非常重要。关键词：范德华异质结构、微波阻抗显微镜 (MIM)、反双极效应、能带排列、耗尽区
Vincent Tung标题：原子上的缺陷工程...
Vincent Tung完成了博士学位。在加利福尼亚大学洛杉矶分校（UCLA），是西北大学西北（ISEN）博士后研究员的可持续性与能源研究所。 自2022年7月起，他一直是东京大学化学系统工程系的教授。 他是NSF职业奖，ACS石油奖的新博士研究员，加利福尼亚大学系统的研究卓越，以及109篇文章的作者。 他的研究兴趣是二维（2D）分层材料的材料化学，加工和外观增长及其下一代的VDW异质结构Vincent Tung完成了博士学位。在加利福尼亚大学洛杉矶分校（UCLA），是西北大学西北（ISEN）博士后研究员的可持续性与能源研究所。自2022年7月起，他一直是东京大学化学系统工程系的教授。他是NSF职业奖，ACS石油奖的新博士研究员，加利福尼亚大学系统的研究卓越，以及109篇文章的作者。他的研究兴趣是二维（2D）分层材料的材料化学，加工和外观增长及其下一代的VDW异质结构
多模式储层计算的基于2D异质结构的多功能浮动门存储器
近年来，基于新兴的二维（2D）材料，对经济和有效数据处理的需求导致对神经形态计算的兴趣激增。作为具有许多有趣特性的上升范德华（VDW）P型Weyl半导体，Tellurium（TE）已被广泛用于高级电子/光电子。但是，从未探索过其应用程序的应用门（FG）内存设备进行信息处理。在此报道，由TE基于TE的2D VDW异质结构启用了用于多模式储层计算（RC）的电子/光电FG存储器。受到强烈的电气/光学刺激的约束，该设备表现出令人印象深刻的非挥发性电子记忆行为，包括≈108灭绝比，≈100ns开关速度，> 4000个循环，> 4000-S的保留稳定性和非挥发性稳定性和非挥发性的多端口多端口选择性选择可编程可编程特性。当输入刺激削弱时，非易失性存储器会降解为挥发性记忆。利用这些丰富的非线性动力学，这是一个多模式RC系统，具有高识别精度为90.77％的多模式系统，用于事件类型的多模式手写数字识别。
“范德华相互作用的密度泛函模型：用非局部泛函统一多体原子方法”的补充材料
稿件的所有计算资源均可在 Git 存储库 [1] 和相关数据文件 [2] 中找到。其中包括用于生成输入文件、运行计算、处理和分析数据以及生成图形的脚本。文件组织在存储库中的 README.md 文件中描述。所有 DFT 计算均使用 FHI-aims [3] 完成，其使用原子中心基组和数值径向部分。我们使用严格的默认基组和网格设置，这可确保本文研究的范德华 (vdW) 体系的结合能数值收敛到 0.1 kcal/mol。MBD 计算借助于集成到 FHI-aims 中的 Libmbd 库 [4] 执行，并且可使用当前开发版本在 FHI-aims 中直接执行 MBD-NL 计算。我们目前的实现不包括函数导数δαVV'[n]/δn，因此本文在自洽PBE密度上评估MBD-NL，而导数的实现仍在进行中。重要的是，已发现由范德华相互作用引起的电子密度变化对相互作用能和核力的影响可忽略不计[5]。S66、X23和S12L集的PBE、PBE0和VV10能量取自[6]，其使用与本文相同的数值设置。对于分子晶体，所有DFT和MBD计算均使用逆空间中密度至少为0.8˚A的k点网格。对于硬固体，我们使用了[7]中的k点密度。所有分子和晶体几何形状均直接取自各自的基准集，未进行任何松弛。表 I 报告了 MBD-NL、MBD@rsSCS 和 VV10 与 PBE 和 PBE0 函数结合对一组有机分子晶体（X23，[11]）、一组超分子复合物（S12L，[12]）和一组 26 种层状材料（称为“26”，[10]）的性能。在标准范德华数据集中，S12L 是唯一一个 MBD-NL 与 PBE 和 PBE0 函数结合时实现不同性能的数据集。这主要是因为 PBE 与 π – π 复合物的结合力比 PBE0 略强。对于大型 π – π 复合物，半局部 DFT 和长程范德华模型之间的适当平衡尚不清楚 [6]。在“26”集中，MBD@rsSCS 哈密顿量对 26 种化合物中的 20 种具有负特征值。然而，为了获得有限能量，我们使用了 Gould 等人提出的特征值重标度 [9]。图 1 比较了由 PBE-NL 计算的混合有机/无机界面的结合能曲线以及 Ruiz 等人的 MBD@rsSCS 和 TS 方法的表面变体 [13]。表 II 列出了 DFT+MBD 的时序示例
科学家实现通用技术 - 称为范德华挤压 - 用于2D金属的原子制造
VDW砧座由两个单一晶体MOS 2单层在蓝宝石上生长。砧座对于生产2D金属至关重要，原因有两个。首先，单层MOS 2 /SAPPHIRE的原子平坦，无骨的表面确保大规模均匀的2D金属厚度。第二，蓝宝石和单层MOS 2（> 300 GPA）的高年轻人的模量使它们能够承受极端的压力，从而使两个砧之间形成2D金属到
通过分层磁性半导体中的光学活性缺陷传感局部磁环境
摘要：Van der Waals（VDW）材料中的原子级缺陷是量子技术和量子传感应用的必不可少的基础。除了有直接的磁相图外，分层的磁性半导体CRSBR是探索光学活性缺陷的出色候选者，包括最近假设的缺陷诱导的磁性磁性在低温下。在这里，我们在CRSBR中显示出是局部磁性环境的探针的光学活性缺陷。我们观察到CRSBR中频谱狭窄（1 MEV）的缺陷发射，与散装磁序和额外的低温，缺陷诱导的磁性阶均相关。我们在局部和非局部交换耦合效应的背景下阐明了该磁顺序的起源。我们的工作建立了诸如CRSBR之类的VDW磁铁，是一个与磁性晶格相关的缺陷的特殊平台。我们预计，受控的缺陷创造允许量身定制的复杂磁纹理和具有直接光学访问的相位。关键字：CRSBR，范德华磁铁，缺陷发射，缺陷磁性，磁相关，磁性半导体，传感S
与范德华异质结构
摘要X射线光学的科学和技术已经走了很远，从而使X射线专注于高分辨率X射线光谱，成像和辐照。尽管如此，在X射线制度中，许多形式的裁缝波对光学状态的应用产生了重大影响。从根本上讲，这种差异源于所有材料在高频上接近统一的折射率的趋势，这使得X射线光分量（例如镜片）和镜像更难创建，并且通常效率更低。在这里，我们提出了一个新概念，用于X射线聚焦，基于将弯曲的波前诱导到X射线生成过程中，从而导致X射线波的内在聚焦。这个概念可以看作是有效地将光学元件整合为发射机制的一部分，从而绕过X射线光学组件施加的效率限制，从而实现了具有纳米级焦点斑点大小和微米尺度的纳米镜的创建。特别是，我们通过设计由自由电子驱动时会塑造X射线的大约VDW异质结构来实现此概念。聚焦热点的参数，例如侧向尺寸和焦点深度，是层间间距chirp和电子能量的函数。期待，创建多层VDW异质结构的持续进展开放了X射线纳米梁的焦点和任意形状的前所未有的视野。
在2D材料中查看光诱导的量子现象
过去二十年来目睹了对Van-der-Waals（VDW）材料的研究爆炸，这是一类广泛的固体，在该固体中，平面晶体板由VDW部队粘合在一起。通常，这些材料只能将其稀释为几个原子层，甚至可以将其变成单个原子纸，从而意识到其传统散装形式的二维（2D）变体。由于在2000年代初期的单层（1L）的第一次驱动器以来，已经将各种VDW材料隔离并以2D极限进行了隔离和研究，包括金属，宽间隙绝缘子，半导体，半导体，半金属，超级导管，磁性材料，磁性材料，以及更多。[1]中，在这些半金属中，例如石墨烯和2D半导管，通常由VI组VI过渡金属二甲硅烷基（TMDC）代表，在基本凝聚的物理学以及在电子，电子，光电电子技术中以及在基本凝聚的物理学方面创造了令人兴奋的新机会。[2-4]由于光学相互作用和频段结构发生了巨大变化，在从几层到1L极限的过渡中可能发生，因此在2D Light-Matter相互作用和超级超平均光电设备中证明了2D半导体和半米的独特机会。这值得探索其光诱导的物理学，从而导致新型量子现象。2D材料的关键特性之一是增强的电子 - 电子库仑相互作用，其介电筛选和低维度引起。这些相互作用不仅强烈修改平衡频带结构，而且更改了（照片）激发的带构结构。[5]，例如，强烈结合的激子[6]（由绑定的电子和孔组成），即使在室温下，也要赋予2D半导体的光学响应。这些摘录显示出各种各样的物种，具有不同的自旋，[7] Monma，[8]和电荷[9]影响其光 - 肌电相互作用的频谱，动力学和应用。2D材料的另一个属性是它们能够将其堆放到其他2D材料和基板上，几乎没有约束。[10]这些结构中的层间相互作用促进了一种独特的手段，用于设计异质结构属性和功能，而不是组成材料的材料。[11,12]这些属性包括动量依赖性层
过渡金属氮化物卤化物电介质
利用第一性原理计算，我们研究了六种过渡金属氮化物卤化物 (TMNH)：HfNBr、HfNCl、TiNBr、TiNCl、ZrNBr 和 ZrNCl 作为过渡金属二硫属化物 (TMD) 沟道晶体管的潜在范德华 (vdW) 电介质。我们计算了剥离能量和体声子能量，发现这六种 TMNH 是可剥离的并且具有热力学稳定性。我们计算了单层和体 TMNH 在平面内和平面外方向的光学和静态介电常数。在单层中，平面外静态介电常数范围为 5.04 (ZrNCl) 至 6.03 (ZrNBr)，而平面内介电常数范围为 13.18 (HfNBr) 至 74.52 (TiNCl)。我们表明，TMNH 的带隙范围从 1.53 eV（TiNBr）到 3.36 eV（HfNCl），而亲和力范围从 4.01 eV（HfNBr）到 5.60 eV（TiNCl）。最后，我们估算了具有六个 TMNH 单层电介质和五个单层通道 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的晶体管的电介质漏电流密度。对于 p- MOS TMD 通道晶体管，30 种组合中有 25 种的漏电流小于六方氮化硼 (hBN)，一种众所周知的 vdW 电介质。对于以 HfNCl 为栅极电介质的 ap -MOS MoSe 2 晶体管，预测最小双层漏电流为 1.15×10 -2 A/cm 2。据预测，HfNBr、ZrNBr 和 ZrNCl 也会在某些 p-MOS TMD 晶体管中产生微小的漏电流。