XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemVGS
VGS 批准的监管计划
1 该比率近似于 VGS 的典型劳动力和福利比率。 2 https://data.bls.gov/timeseries/CIU1010000000000A 3 https://data.bls.gov/pdq/SurveyOutputServlet?series_id=CUUR0100SA0,CUUS0100SA0 4 折旧费用应基于 3 年费率基准计划中规定的总投入使用工厂。FY2026 折旧费用将根据 VGS 将于 FY2026 完成的最新折旧研究进行更新。
VGS 扫描范围对短沟道的影响...
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限，对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力，成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性，显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应，基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言，漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用，在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ]，但栅极电压扫描范围（V GS 范围）对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。
玩耍的大脑。封锁期间电子游戏对儿童认知和行为的影响：系统评价
摘要：越来越多的儿童和青少年长时间玩电子游戏 (VG)。当前爆发的冠状病毒疫情大大减少了户外活动和直接的人际关系。因此，更多地使用电子游戏可能成为对压力和对疾病的恐惧的反应。VG 及其实践、学术、职业和教育意义已成为学者、家长、教师、儿科医生和青年公共政策制定者越来越感兴趣的问题。当前的系统评价旨在从最近的文献中找出儿童和青少年玩电子游戏这一复杂问题中最相关的问题，以便为正确管理 VG 实践提供建议。该方法使用标准化搜索运算符进行搜索，使用与电子游戏相关的关键词以及与认知、认知控制和大流行期间采取的行为的联系。审查并纳入了 99 项研究，而 12 项研究因与教育无关而被排除在外。任何关于虚拟仪器有效性的争论都不能采用二分法，即严格区分虚拟仪器的“好”或“坏”。虚拟仪器应该从复杂性的角度来看待，并通过相互作用的多个维度来区分。
APG013N04G-AU
特点 40V,160A RDS（ON）<1.3mΩ＠VGS=10V (TYP:1.1mΩ) RDS（ON）<1.8mΩ＠VGS=4.5V (TYP:1.6mΩ) Split Gate Trench 技术 获得无铅产品 优异的R DS（ON）和低栅极电荷 应用 PWM应用 负载开关 电源管理
NSD3604 数据手册 V1.0
NSD3604 是一款高度集成的设备，包括四个半桥（HB2、HB3、HB6、HB7）栅极驱动器和两个电流检测放大器。栅极驱动器提供高级功能，如斜率控制、开关时序反馈和 VGS 握手。电流检测放大器支持高共模电压输入。16 位 SPI 用于配置和控制设备，还可读取状态寄存器进行诊断。设备提供一系列诊断功能，以确保稳定运行。这些功能包括电源电压监视器、电荷泵电压监视器、VDS 过压监视器、VGS 电压监视器和热监视器（警告和关机保护）。
深入了解口腔链球菌作为机会性病原体在传染病中的作用
口腔链球菌属于草绿色链球菌群 (VGS)，被认为是主要栖息在口腔中的正常菌群的一员。然而，最近人们越来越多地认识到它是各种危及生命的传染病（如感染性心内膜炎 (IE) 和脑膜炎）的病原体。此外，人们已经讨论了口腔链球菌和其他 VGS 种在机会性感染的患病率、临床特征和预后方面的差异。特别是口腔链球菌在 IE 中的优势引起了人们的密切关注。在可能致命的感染中，临床上忽视口腔链球菌作为诱发因素可能会严重阻碍早期诊断和治疗。然而，到目前为止，与口腔链球菌相关的传染病尚未得到全面描述。因此，本综述将概述口腔链球菌引起的传染病，以揭示其作为机会性病原体的隐藏作用。
AP30P10P 30A 100V TO-220
注：1、数据是在 2OZ 铜厚的 1 平方英寸 FR-4 板上贴片测试得到的。 2、数据是在脉冲方式下测试得到的，脉冲宽度 ≦ 300us ，占空比 ≦ 2% 3、EAS 数据显示最大额定值，测试条件为 VDD=-72V,VGS=-10V,L=0.1mH,IAS=-25A 4、功耗受 150 ℃ 结温限制 5、数据理论上与 ID 和 IDM 相同，实际应用时应受总功耗限制
Vermont Gas Systems，Inc。集成资源计划
VGS很高兴将此集成的资源计划提交公共公用事业委员会。我们的计划提供了长期的策略，可以负担得起客户的能源需求，因为我们还改变了佛蒙特州的热能领域，以减少温室气体排放并满足气候变化的需求。我们第一手知道，我们的客户正在管理许多挑战，无论是Covid-19紧急情况的持续影响及其对我们的子女和家庭的影响，持续的经济不确定性还是去年夏天洪水的毁灭性影响。作为佛蒙特州的基础机构之一，为成千上万的佛蒙特州提供了必不可少的服务，我们了解我们的工作是在需要时为客户提供稳定和可靠性，同时我们还努力将解决方案加速到气候紧急情况。
采用 0.25 m pHEMT 技术的 5G 毫米波紧凑型压控振荡器
所提出的 VCO 架构基于参考文献 [16-18] 中研究的 Colpitts 结构以及作者在 [12] 中提出的结构，如图 2 所示。该振荡器的有源部分由两个晶体管 pHEMT 1 和 pHEMT 2 组成：每个晶体管有 4 个指状物，栅极长度和宽度分别为 0.25 µm 和 20 µm。指状物数量越多，输出功率就越大 [19]。每个晶体管都偏置在工作点 (VDS=2.2 V, VGS -0.6 V)，三个电感 Ld1、Ld2 和 Lg 分别等于 0.15 nH、0.15 nH 和 0.1 nH。电路的性能在很大程度上取决于偏置条件 [20]，因此偏置电压和电感的值需要仔细选择。 VCO 的谐振电路基于两个源漏短路晶体管 pHEMT 3 和 pHEMT 4。因此，这两个晶体管充当变容二极管，其电容值由施加到其栅极的电压源 Vtune 调整。
S41598-024-72448-2.pdf
这项研究研究了垂直堆叠的CVD生长的RES 2 /MOS 2单极异质结构设备作为现场效应晶体管（FET）设备，其中Res 2上的RES 2充当排水管，而MOS 2在底部充当源。进行了RES 2 /MOS 2 FET设备的电气测量值，并针对不同VGS（闸门电压）（漏极电压）的ID（排水电流）（漏极电压）变化，显示了N型设备特性。此外，阈值电压是在栅极偏置电压上计算的，对应于〜12V。拟议的RES 2 /MOS 2 HeteroJunction FET设备的迁移率为60.97 cm 2 V -1 S -1。利用紫外线光学光谱和可见的紫外线光谱法提取了制造的VDW异质结构的带状结构，揭示了Res 2 /MOS 2界面处的2D电子气体（2DEG）的形成，从而探索了制造Fet的高载流子迁移率。通过跨异构结的屏障高度调节，研究了野外效应行为，并根据跨异构结的电荷传输提出了详细的解释。