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VGS 扫描范围对短沟道的影响...
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限，对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力，成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性，显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应，基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言，漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用，在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ]，但栅极电压扫描范围（V GS 范围）对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。
VGS 批准的监管计划
1 该比率近似于 VGS 的典型劳动力和福利比率。 2 https://data.bls.gov/timeseries/CIU1010000000000A 3 https://data.bls.gov/pdq/SurveyOutputServlet?series_id=CUUR0100SA0,CUUS0100SA0 4 折旧费用应基于 3 年费率基准计划中规定的总投入使用工厂。FY2026 折旧费用将根据 VGS 将于 FY2026 完成的最新折旧研究进行更新。
智能视频引导传感器 (SVGS)
概述 • 智能视频制导传感器 (SVGS) 专为资源受限系统（例如立方体卫星、小型卫星、小型着陆器）而设计，是高级视频制导传感器的一种低质量、低成本 COTS 实现，专为会合近距操作和捕获 (RPOC)；进入、下降和着陆 (EDL)、舱内导航和 GPS 拒绝导航而设计。 • 使用摄像头捕获图像并使用摄影测量技术分析目标航天器上发光标记的模式，以确定范围和相对方向（6DOF 状态）。 • 可用于业余级（例如 Raspberry Pi、Android）和高端平台（例如 Xilinx US+MPSoC）。 • 在 Linux、FreeRTOS 和 Android 中的软件实现。 • 传感器范围可根据目标配置定制。 • 预计 SVGS 飞行装置的 SWaP： – 尺寸：8.5x6.5x4.5cm – 重量：250g – 功率：5W 摄像头 + 5W 目标
