椭圆曲线密码 (ECC) 的主要运算是将椭圆曲线 (EC) 点 P 与长二进制标量 k 相乘,记为 kP 。攻击者的目标是获取标量 k(进一步记为密钥 k )。这通常可以通过分析测量的功率或 kP 执行的电磁痕迹或其他旁道效应来实现。蒙哥马利阶梯算法是实现 kP 计算最常用的算法。文献中报道,该算法可以抵抗简单的旁道分析 (SCA) 攻击,因为它是一种平衡算法,即,标量 k 的每个位值的处理都按照相同的运算序列完成,即一个 EC 点加法和一个 EC 点加倍。但是,蒙哥马利阶梯算法中寄存器的使用取决于密钥,因此容易受到垂直数据位和水平地址位攻击。已知的对策之一是随机化算法主循环每次迭代的 EC 点操作(加法和加倍)的顺序。只有当计算 EC 点加法的域操作顺序与计算 EC 点加倍的域操作顺序相同时,随机化才有意义,例如,如果应用了统一的 EC 点加法公式。[4] 报告了一种完全平衡的 ASIC 协处理器,该协处理器在 Weierstrass 椭圆曲线上实现了完整的加法公式。该设计是开源的,VHDL 代码可在 GitHub 存储库 [3] 中找到。我们为 IHP 250 nm 单元库合成了这个开源设计,并使用 EC secp256k1 的基点作为与原始测试台相对应的输入点 P 来模拟 kP 执行的功率轨迹。我们尝试了不同长度的标量 k。我们模拟了约 20 位以及约 200 位密钥的功率轨迹,并执行了
产品名称 产品编号 发布流 Conformal® GXL CFM300 COMFRML202 Conformal® 约束设计 L CFM401 COMFRML202 Conformal® 约束设计 XL CFM421 COMFRML202 CCD 多约束检查选项 CFM422 COMFRML202 Conformal® 低功耗 CFM500 COMFRML202 Conformal® 低功耗 GXL CFM550 COMFRML202 Conformal® ECO Designer GXL CFM650 COMFRML202 多物理通用 HPC 令牌 SYS316 EMX/INTEGRAND60 EMX® IC 求解器 SYS500 EMX/INTEGRAND60 Genus™ 低功耗选项 GEN30 GENUS201 Genus™ 物理选项 GEN40 GENUS201 Genus™ CPU 加速器选项 GEN80 GENUS201 Genus™ 合成解决方案 GEN100 GENUS191 Cadence® 框架集成运行时选项 117 IC618 Virtuoso® 仿真环境 206 IC618 Virtuoso® 原理图编辑器 HSPICE 接口 276 IC618 Dracula® 图形用户界面 365 IC618 Cadence® SKILL 开发环境 900 IC618 Virtuoso® EDIF 200 读取器 940 IC618 Virtuoso® EDIF 200 写入器 945 IC618 Cadence® 设计框架集成商工具包 12141 IC618 Virtuoso® 原理图 VHDL 接口 21060 IC618 Virtuoso® 原理图编辑器 Verilog 接口 21400 IC618 Virtuoso® 模拟绿洲运行时选项 32100 IC618 Cadence® OASIS for RFDE 32101 IC618 Virtuoso® 模拟 HSPICE 接口选项 32760 IC618 Virtuoso® AMS 设计环境 70000 IC618 Dracula® 物理验证和提取器套件 70520 IC618 Diva® 物理验证和提取器套件 71520 IC618 Virtuoso® 原理图编辑器 XL 95115 IC618 Virtuoso® ADE Explorer 95250 IC618 Virtuoso® 可视化和分析 XL 95255 IC618 Virtuoso® ADE 汇编器 95260 IC618 Virtuoso® 变体选项 95265 IC618 Virtuoso® ADE 验证器 95270 IC618 Virtuoso® DFM 选项 95311 IC618 Virtuoso® 布局套件 GXL 95323 IC618 Virtuoso® 实现感知设计选项 95510 IC618 Virtuoso® 系统设计平台 95541 IC618 Virtuoso® 布局套件 EAD 95600 IC618 Voltus™-Fi 定制电源完整性解决方案 XL VTS500 IC618 Voltus™-Fi 定制电源完整性解决方案 - AA 高级分析 VTS501 IC618
B.Sc. (一般)电子设备作为GE)CC-1A / GE-1:网络分析和模拟电子(ELT-G-CC-1-1-1-TH / P) /(ELT-A-A-GE-1-1-1-TH / P)CC-2A / P)CC-2A / GE-2:线性和数字集成电路(ELT-G-CC-CC-2--CC-2-TH / P) / P) / P) (ELT-G-CC-3-3-TH/P)/(ELT-A-GE-3-3-3-TH/P)CC-4A/GE-4:微处理器和微控制器(ELT-G-CC-4-4-4-TH/p)B.Sc.(一般)电子设备作为GE)CC-1A / GE-1:网络分析和模拟电子(ELT-G-CC-1-1-1-TH / P) /(ELT-A-A-GE-1-1-1-TH / P)CC-2A / P)CC-2A / GE-2:线性和数字集成电路(ELT-G-CC-CC-2--CC-2-TH / P) / P) / P) (ELT-G-CC-3-3-TH/P)/(ELT-A-GE-3-3-3-TH/P)CC-4A/GE-4:微处理器和微控制器(ELT-G-CC-4-4-4-TH/p)
ITU至少有30天的实习是强制性的。课程目录描述在IUS:CS303数字设计:关于数字电子构建块的标准入门课程。学生将学习布尔代数的公理,数字系统和表示,逻辑门的功能,编码器,解码器,多路复用器,分流器,加法器,减法器,触发器等。课程包括简单有限状态机的分析和设计。简要研究了不同电路家族的物理实施以及数字记忆的体系结构。学生还将学习使用VHDL在可编程逻辑设备中实现数字电路。EE201模拟电子I:传导。半导体,载体,P型和-Type掺杂,漂移和扩散机制,PN连接的物理结构和行为。理想二极管,实用二极管,电气行为和电流 - 电压曲线。二极管模型。DC分析方法的二极管电路(恒定电压下降模型,带指数模型的固定点迭代)。小信号近似,二极管小信号等效和二极管电路的交流分析,直流电源设计(整流器,用滤波器电容器对拓扑分析)。Zener二极管和调节。身体耐药性和寄生能力。其他二极管类型。双极结构晶体管(BJT),早期现象,BJT操作区域,电气模型(Ebers-Moll)和特征的物理结构和行为。DC偏置和BJT电路的热稳定性。MOSFET,操作区域,特征,重要次要效应(通道长度调制,身体效应)的物理结构和行为。DC偏置和MOSFET电路的热稳定性。切换BJT和MOSFET的应用,这是数字电路中的概念用法。EE202电路II:高阶动态电路的状态和输出方程。状态过渡矩阵和属性。zerostate,零输入和总响应。正弦稳态。在JW-域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。拟态。力量。三相系统。在S域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。阻抗和入学。稳定性和劳斯标准。网络功能和参数。块和信号流程图。bode图。ee221面向对象的编程:数据类型,控制语句,循环,阵列,功能,指针,动态内存,抽象和封装,类,对象,构造函数,构造函数和驱动器,继承和多态性,类,类等级,超级类,超级类,亚类,互动类,界面,界面,界面,界面,虚拟方法,虚拟方法,operator,Operator opertranting,Operator,Operator opertranting。EE301模拟电子II:扩增和增益概念,Desibell概念,电压放大器 /电流放大器 /跨导电电路 /跨逆性电路模型,晶体管在扩增中的概念功能。DC分析晶体管(BJT,MOSFET)电路。BJT和MOSFET的小信号当量和末端电阻。AC分析BJT和MOSFET放大器:基本放大器阶段的增益和输入/输入电阻,分析级联(直接/电容性耦合)放大器。cascode结构,达灵顿结构。差分放大器,差分和共同模式增益,共同模式排斥比。当前来源,负载的电路。操作放大器,理想和实际行为,样品操作机的内部结构。opamp的线性和非线性应用,非理想性对行为的影响。功率放大器。eens221工程学简介:本课程是工程学深度一年级学生的方向课程。它旨在使学生适应更轻松,并告知他们有关电子产品的一般主题以及电信工程,工程道德和质量。各种教职员工向学生们发表演讲。提供了申请的示例,加上工程伦理守则,道德责任,设计中的质量问题和应用程序。ELIT113技术英语:本课程旨在通过使用引起的信息通过阅读和分析技术和学术文本以及学术和技术写作技巧来提高学生的阅读能力。学生不仅了解学术和技术英语的要求,还可以提高他们的其他语言和批判性思维能力。ELIT213学术写作简介:旨在教授组织和关键的课程学生有望通过使用适当的技术语言来广泛描述对象和机制,以对他们所研究的信息进行分类并撰写有关分类的分析组成,以引用他们在整个过程中使用的所有信息。
