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“ VLSI和纳米级设备设计与仿真”（Hybrid- ...
关于IIIT Bhagalpur印度信息技术研究所Bhagalpur（IIIT Bhagalpur）是国家重要性研究所，MOE（MOE早些时候），政府。在公私伙伴关系（PPP）模式下的印度。Bhagalpur是印度比哈尔邦恒河南岸的历史重要性城市，并被称为丝绸之城。该研究所正在积极探索在印度制造计划下开发国家所需的技术干预措施。在Pradip Kr教授的能力领导下，该研究所取得了显着的进步。Jain，研究所的荣誉主任。在电子和通信工程系中，M.Tech在VLSI和嵌入式系统，信号处理和机器学习，微波炉和通信系统以及通信系统，信号和图像处理，生物医学工程，VLSI和微型微电子，RF和微波工程，IOT和Microwave Engineers，Iot＆Sensor，Iot＆Sextors，人工智能，软计算，软计算中。
2024 年 IEEE VLSI 技术与电路研讨会...
宣布征集主题为“以效率和智能连接数字世界和物理世界”的论文 夏威夷檀香山（2023 年 10 月 24 日）——在过去的 44 年里，IEEE VLSI 技术与电路研讨会为微电子行业带来了独特的技术与电路融合。2024 年 IEEE VLSI 技术与电路研讨会自 2022 年以来合并为一个研讨会，以最大限度地发挥两个领域的协同作用，并宣布围绕主题征集论文：“以效率和智能连接数字世界和物理世界”。为期五天的活动将于 2024 年 6 月 16 日至 20 日在夏威夷檀香山希尔顿夏威夷村举行现场会议，并将从下周开始按需访问技术会议。研讨会将展示最新的 VLSI 技术发展、创新电路设计及其支持的应用，例如人工智能、机器学习、物联网、可穿戴/可植入生物医学应用、大数据、云/边缘计算、虚拟现实 (VR)/增强现实 (AR)、机器人和自动驾驶汽车。研讨会提交网站将于 2023 年 12 月 5 日开放，论文提交截止日期为 2024 年 2 月 5 日太平洋标准时间 23:59。论文提交的完整详细信息可在线找到：https://www.vlsisymposium.org/first-announcement-and-call-for-papers/ IEEE VLSI 技术与电路研讨会寻求专注于以下领域的技术创新和进步的论文：
ECE 3349a：VLSI的引入-Swortn Engineering 原位构建了3D锂阳极，用于长期播放... ECE 2231b：电子产品简介 - 西方工程 MME4480A - 高级CAE：反向工程课程... 机电系统系统工程 ECE 9516B/9156B - 自动机器人技术中的主题
描述：本课程是与最先进的CMOS技术中集成电路（IC）相关的概念的介绍。微电子和非常大规模的集成（VLSI）的连续进步使整个电子系统在单个芯片（SOC）上成为可能。现代VLSI IC每芯片包含超过20亿个组件。半导体设备的设计和制造带来了独特的挑战，尤其是在概念和设计水平上，因此寻求计算机辅助设计（CAD）方法来帮助管理这些复杂的设计。特别是，本课程介绍了CMOS半导体设备，IC设计背后的物理原理，数字逻辑门的设计和分析以及使用专业CAD工具进行IC设计。
M.E（eple.和Commu.-vlsi Design）_22032024.pdf
modulei：VLSI（10小时）VLSI设计概述的概述：历史透视，VLSI设计方法的概述，VLSI设计流，VLSI设计流，设计层次结构，规则性，模块化和局部性概念，局部性，VLSI设计样式，设计质量，包装技术，包装技术，CAD技术。MOS晶体管理论：金属氧化物半导体（MOS）结构的简介，长通道I-V特征，C-V特性，非线性I-V效应，直流传递特性。moduleii：ASIC（10小时）ASIC设计流：ASIC和SOC概论，ASIC流程概述，功能验证，RTL-GATE水平合成，合成优化技术，前时间验证，静态定时验证，静态定时分析，地板计划，平面图，放置和路线，提取，提取，外布置后，布局后验证，验证，验证。CMOS流程技术：制造过程流程 - 基本步骤，CMOS N-WELL过程，布局设计规则，贴纸图，全custom面膜布局设计。模块：MOS及其类型（10小时）MOS逆变器（静态特征）：电阻载荷逆变器，N型16 MOSFET负载的逆变器，CMOS逆变器。MOS逆变器（开关特性和互连效应）：延迟时间定义，延迟时间的计算，逻辑努力，具有延迟限制的逆变器设计，互连寄生虫的估计，互连延迟的计算，总线与网络连接（NOC）（NOC），CMOS INVERTERS CMOS INVERTERS的开关电源耗散。模块：CMOS（10小时）组合CMOS逻辑电路：MOS逻辑电路NMOS负载，CMOS逻辑电路，复杂的逻辑回路，CMOS传输门（PASS门），比率，比率，比率，动态和通过透视逻辑。顺序MOS逻辑电路：双稳定元素，SR闩锁电路，时钟闩锁和触发器电路的行为，CMOS D-LATCH和EDGE触发的触发器。正时路径，设置时间并保持时间静态，设置的示例并保持时间静态，设置和保持Slack，时钟偏斜和抖动，时钟，重置和电源分布。内存设计，SRAM，DRAM结构和实现。
EEE5322-4310 - VLSI 电路与技术 1
本课程重点介绍现代数字电路的分析和设计。从数字角度介绍和描述硅技术和晶体管，并推导和评估各种电路的性能。将设计和分析 CMOS 数字电路。学生将使用商业软件 Cadance 进行为期一学期的团队 SRAM 芯片设计项目。项目将涵盖制造变化等高级主题。
技术硕士（VLSI 和嵌入式系统）
VLSID 和 ES 技术硕士课程于 2017 年开课。该课程旨在向学生传授技术技能和价值观教育，使他们能够应对行业的现代需求。它不仅教授 IC、系统和信号处理的基本原理和设计技能，还让学生了解 VLSI 设计的发展，以便进行研究并制定当前社会问题的解决方案。课程教育目标在 M.Tech 课程下，目标是培养合格的电子工程研究生，他们将：1. 识别并应用适当的电子设计自动化 (EDA) 来解决 VLSI 和嵌入式系统领域的实际问题，以创建创新产品和系统。2. 设计 VLSI 系统，这些系统
微电子与超大规模集成电路工程理学学士学位...
印度半导体计划旨在促进印度半导体行业的发展。传统的本科课程（如电气和电子）将为 VLSI 领域高等教育提供一些基础。该计划旨在通过训练有素的本科生为未来几年的半导体行业提供人才。本课程旨在使用工业标准 EDA 工具培训 VLSI 核心领域的学生，以了解当前情况和最新技术。完成本课程后，学生将获得 VLSI 专业化和芯片设计方面的理论知识和实践技能。本课程由 VLSI 专业化的设备级、设计、制造和工具高级课程提供支持。
各种低功耗 VLSI 设计的实现......
摘要 ：在当今的电子工业中，低功耗已成为一个主要问题。对于 VLSI 芯片的设计，功耗与性能和面积同等重要。由于技术的复杂性和规模的缩小，最小化功耗和片上的整体电源管理是 100nm 以下的主要难点。由于需要降低封装成本并延长电池寿命，因此电源优化对许多系统至关重要。在低功耗 VLSI 设计中，漏电流对电源管理也有显著影响。漏电流在集成电路总功耗中的比例越来越大。本文讨论了低功耗电路和系统的各种电源管理方法、方法和策略。同时还提到了设计低功耗、高性能电路的潜在障碍。
微电子技术和VLSI设计
资格：在ECE / IEE / IEE / Electrical / CSE / IT或等效的ECE / IEE / IEE / electrical / cse / IT中，候选人至少应为B.E./B.Tech 2年及以上。入学：申请表将从IC中心，电子和电信工程部，加尔各答贾达夫布尔大学3楼或下载[www.jaduniv.edu.in或https://jadavpuruniversity.in]。填写申请表应在周一至周五上午11点至下午5点在IC中心收到。课程费用：卢比7,000/ - （JU学生的折扣为20％） +应在加尔各答的任何应付付款的国有化分支机构中提取需求草稿中的18％GST。一旦存入课程费用就无法退还。无法提供旅馆住宿。外壳：PP尺寸照片的一份副本，Madhyamik录取卡 /出生证书的Xerox副本，HS标记表，学期标记表[有证明 /自我证明的标记表 /证书的副本] < / div>
R22 B.Tech。 EEE教学大纲Jntu Hyderabad R22 M.Tech。数字系统和计算机电子产品... R19 M.Tech欺骗/DECS R22 M.Tech。 VLSI/ VLSI设计/ VLSI系统设计 div> R19 M.Tech。机器设计
1。使用FPGA公开设计方法。2。可以深入了解故障模型。3。了解用于故障检测的测试模式生成技术。4。在连续电路中设计故障诊断。5。使用案例研究在流量的设计中提供理解。单元 - I可编程逻辑设备：可编程逻辑设备，SPLD，PAL设备，PLA设备，GAL设备，CPLD架构，FPGAS-FPGA技术，体系结构，Virtex CLB和Slice，FPGA编程技术，XC2000，XC2000，XC3000，ACT1 Act1 anderction Actient1 Actrect1，Act1 andertion。[TEXTBOOK-1] UNIT- II Analysis and derivation of clocked sequential circuits with state graphs and tables: A sequential parity checker, Analysis by signal tracing and timing charts-state tables and graphs-general models for sequential circuits, Design of a sequence detector, More Complex design problems, Guidelines for construction of state graphs, serial data conversion, Alphanumeric state graph notation.需要和设计策略，用于多盘顺序电路。[教科书2]单元-III顺序电路设计：顺序电路设计的设计步骤，示例，代码转换器，迭代循环设计，比较器的设计，控制器（FSM） - 标准，同步，FSM问题，FSM问题，使用FPGAS的序列电路共享，使用FPGAS的顺序设计，模拟和测试的序列循环设计。[Techtbook-3＆Ref.1][教科书2]单元 - IV故障建模和测试模式生成：逻辑故障模型，故障检测和冗余，故障等效性和故障位置，故障优势，单个卡在故障模型，多个卡在故障模型上，桥接故障模型。通过常规方法，路径敏化技术，布尔差异方法，Kohavi算法，测试算法-D算法，随机测试，过渡计数测试，签名分析和测试桥梁的断层对组合回路的故障诊断。