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微电子与 VLSI 设计 - IISc，YRM 班加罗尔
1. 集成电路设计：低功耗电子器件、集成电力电子器件、毫米波和太赫兹电子器件/MMIC、通信和传感用射频集成电路、神经形态硬件等。2. 基于电荷（纳米电子学）以及自旋（自旋电子学）的器件3. 纳米材料和纳米器件科学4. 微/纳电子应用新型材料的生长5. 能源（材料和器件）：无机和有机半导体光伏电池、能量收集器等6. 计算纳米电子学7. 光子学、神经形态和量子技术的材料和器件8. 纳米机械传感器和系统、NEM 与微电子集成、RF-NEM 等9. 宽带隙和其他功率半导体器件
VLSI 设计 (BEC-41) (单元 1，讲座 2)
• 表面上移动电子的密度变得等于体衬底中空穴的密度 • 要求表面电位具有与体费米电位φF相同的大小，但极性相反 • 进一步增加栅极电压电子浓度↑但不会增加耗尽深度
2020-21 超大规模集成电路与嵌入式系统 印度理工学院 巴特那
VLSI 和嵌入式系统分支是当今世界上最受欢迎的硕士课程之一。考虑到 VLSI 行业的规模，我们于 2017 年启动了该项目，重点是为学生提供各自领域的必要技能，并结合实习、项目和认证计划，帮助培养适合行业、学术和研究的年轻工程师。在 IIT 巴特那，这是一个跨学科项目，招收来自不同本科背景的学生。
超大规模集成电路设计中的漏电功率恢复方法综述
关键词：工程变更单 (ECO)、状态相关泄漏功率、总负松弛 (TNS)、亚阈值泄漏功率。1. 引言无线通信设备、网络模块设计模块的主要性能参数是最小化功率。另一方面，更高的性能、良好的集成度、动态功耗是推动 CMOS 器件缩小尺寸的一些参数。随着技术的缩小，与动态功耗相比，漏电流或漏功率急剧增加。静态功耗增加的主要原因是漏功率，它涉及许多因素，如栅极氧化物隧穿泄漏效应、带间隧穿 (BTBT) 泄漏效应和亚阈值泄漏效应 [1]。器件在电气和几何参数方面的差异，例如栅极宽度和长度的变化，会显著影响亚阈值漏电流 [2]。某些泄漏元素包括漏极诱导势垒降低 (DIBL) 和栅极诱导漏极泄漏 (GIDL) 等，[3]。 65 nm 及以下 CMOS 器件最重要的漏电来源是：栅极位置漏电、亚阈值漏电和反向偏置结处 BTBT 引起的漏电。电压阈值的降低会导致亚阈值电流的增加，这允许在电压下降的帮助下保持晶体管处于导通状态。由于缩放
B.Tech（ECE）第 6 学期第 3 单元 VLSI 技术（BEC-35）
4. “硬抗蚀剂”（抗蚀剂的化学惰性部分）应与基底或 PR 下面的层牢固结合。5. “软抗蚀剂”（PR 的化学活性部分）应易于从晶圆表面去除。
超大规模集成电路技术硕士
学科选修课 – II EE 619 - 混合信号 VLSI 设计（3-0-2-4） EE 621 - 微波集成电路（3-0-0-3） EE 523 - 数字 VLSI 架构（3-0-0-3） CS 541P - 物联网系统和云（1-0-3-3） EE 516 - 生物医学系统（2.5-1.5-0-4） CS 507 - 计算机架构（4-0-0-4） EE 592 – 形式验证选定主题
M. Tech-Ece（VLSI设计）第一学期S.编号...
单元IV 10小时的包装功能，租金规则，包装技术，通过孔，表面安装，单芯片包装的类型，粘结线，翻转芯片技术，胶带自动化键合，热管理，互连拓扑，系统包装简介，系统包装简介，系统中心，包装，包装，包装，多芯片模块，3D包装，3D包装，3D包装，未来趋势，未来的教科书1詹姆斯D.Deal和P.B.Griffin，“硅VLSI技术，基本面，实践和建模”，第1版，Pearson Education，2009年。2 Sorab Ghandhi，“ VLSI制造原理”，第2版，John Wiley and Sons，2008年。3 Yasuo Tarui，“ VLSI技术：基本面和应用”，Springer，2011年。参考书1 H. B. Bakoglu，“ vlsi的电路，互连和包装”，第1版，Addison Wesley Longman Publishing，1990年。2 S.M.Sze，“ VLSI技术”，第2版，McGraw-Hill，2017年。2 S.M.Sze，“ VLSI技术”，第2版，McGraw-Hill，2017年。
VLSI 设计 UNIT-I.pdf
VLSI 是微芯片处理器、集成电路 (IC) 和组件设计中最广泛使用的技术之一。它最初设计用于支持微芯片上的数十万个晶体管门，截至 2012 年，这个数字已超过数十亿。所有这些晶体管都高度集成并嵌入在微芯片中，微芯片随着时间的推移不断缩小，但仍具有容纳大量晶体管的能力。第一个 1 兆字节 RAM 是基于 VLSI 设计原理构建的，其微芯片染料上包含超过一百万个晶体管。
M.Tech学位课程和VLSI设计的课程和教学大纲
主题代码主题名称L-T-P CRORC 22101设备建模3-0-0 3模块1（13小时）半导体表面，理想的MOS结构，MOS设备，热平衡中的MOS设备，非理想的MOS：工作函数差异，氧化物中的电荷，氧化物，界面状态，界面状态，非理想的MOS，flate traptage thatbage，flattage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage coldection a MOS，电荷计算（计算），计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算电压，MOS作为电容器（2个端子设备），三个端子MOS，对阈值电压的影响。模块2（10小时）MOSFET（增强和耗尽的MOSFET），活动性，对当前特征，当前特征，亚刺孔摇摆，界面状态对子阈值的影响对子阈值的影响，排水电导和跨导电，源偏置的影响，源偏置和身体偏置对阈值电压和设备操作。模块3（6小时）缩放，短通道和狭窄的通道效应 - 高场效应。模块4（5小时）MOS晶体管在动态操作中，大信号建模，低频率和高频的小信号模型。模块5（8小时）SOI概念，PD SOI，FD SOI及其特征，SOI MOSFET，多门SOI MOSFET的阈值电压，替代MOS结构。参考：1。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。 2。 Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3. Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。 4。 Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。2。Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3.Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。4。Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。5。M.S.Tyagi，《半导体材料和设备简介》，John Wiley＆Sons，ISBN：9971-51-316-1。
EEL 5322 VLSI 电路与技术课程时长
佛罗里达大学的学生必须遵守荣誉誓言，其中规定：“我们，佛罗里达大学社区的成员，承诺遵守荣誉准则，以最高的荣誉和诚信标准要求自己和同学。佛罗里达大学学生提交的所有作业都必须或暗示以下誓言：“以我的荣誉，我在完成这项作业时既没有给予也没有接受过未经授权的帮助。”荣誉准则 ( https://www.dso.ufl.edu/sccr/process/student-conduct-honor-code/ ) 规定了违反此准则的若干行为以及可能受到的制裁。此外，您有义务向相关人员报告任何助长学术不端行为的情况。如果您有任何问题或疑虑，请咨询本课程的讲师或助教。软件使用