[1] L. Derafa、L. Fridman、A. Benallegue 和 A. Ouldali,“四旋翼直升机姿态跟踪问题的超扭转控制算法”,载于《可变结构系统 (VSS)》,2010 年第 11 届国际研讨会,2010 年,第 62-67 页。[在线]。可访问:http://ieeexplore.ieee.org /stamp/stamp.jsp?arnumber=5544726 [2] A. Rabhi、M. Chadli 和 C. Pegard,“四旋翼飞行器的鲁棒模糊控制稳定”,载于《先进机器人技术 (ICAR)》,2011 年第 15 届国际会议,2011 年,第471-475 页。[在线]。可访问:http://ieeexplore .ieee.org =6088629 / stamp/ stamp。JSP?ar 编号 [3] H. Khebbache、B. Sait、F. Yacef 和 Y. Soukkou,“在执行器故障情况下对四旋翼飞行器进行稳健稳定”,《国际信息技术、控制和自动化杂志》,第 2 卷,第 2 期。2,2012 年,第 1-13 页。[4] P. Johan From、J. Tommy Gravdahl、K. Ytterstad Pettersen,《车辆操纵器系统》,Verlag,伦敦:Springler,2014 年。[5] Atheer L. Salih、M. Moghavvemi、Haider A. F. Mohamed、Khalaf Sallom Gaeid,《四旋翼无人机的建模和 PID 控制器设计》,IEEE,2010 年。[6] D. Lee、H. Jin Kim 和 S. Sastry,“四旋翼直升机的反馈线性化与自适应滑模控制”,《国际控制自动化与系统杂志》,第 3 卷,第 1 期。7,页。页。419-428,2009 年。[7] O. Gherouat、D. Matouk、A. Hassam 和 F. Abdessemed,“四旋翼无人机的建模和滑模控制”,J.自动化与系统工程,卷。10,号。3,页。150-157,2016 年。[8] Abraham Villanueva、B. Castillo-Toledo 和 Eduardo Bayro-Corrochano,“四旋翼多模式飞行滑模控制系统”,2015 年国际无人机系统会议 (ICUAS),美国科罗拉多州丹佛市,2015 年 6 月。[9] 易奎、顾锋、杨丽英、何玉清、韩建达,“四旋翼吊挂系统滑模控制”,第 36 届中国控制会议论文集,中国大连,2017 年 7 月 26-28 日。[10] A. Benallegue、A. Mokhtari 和 L. Fridman, “四旋翼无人机的反馈线性化和高阶滑模观测器”,《VariableStructure Systems》,2006 年。VSS’06。国际研讨会,2006 年,第365–372。5887–[在线]。可访问:http://ieee xplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=1644545 [11] T. Madani 和 A. Benallegue,“四旋翼无人机的滑模观测器和反步控制”,美国控制会议,2007 年。ACC ’07,2007 年,第
有机膨胀最终带有水果PGEO将通过Lumut Balai第2单元增加55MW的地热容量,预计于5月25日,这标志着其首次增加了23财年的IPO,并将总安装能力达到728MW。下一步朝着其1GW目标迈出的1GW目标将源自2027年的Hululais单元1和2(110MW)的操作,以及与PLN的共同发电项目(其中已在30MW的Ulubelu宣布了45MW和15MW的Lahendong和Lahendong的Lahendong),以及C.400mw的GreenField Codical of C.400mw。我们预测25-26F的EPS增长+3.3%/ +2.7%,至1.78亿美元/$ 1.83亿美元,假设25财年的4,930GWH, +2.12%的Yoy产生 +2.12%的同期,它是从Lumut Balai的销售中增加的,从而增加了apter septer(vss),从而增加了$ 9 (vs. $ 6.4美分/千瓦时)。 除了Hululais外,所有未来的Greenfield项目都将基于电力销售,我们估计,基于我们从PP No.112/2022的计算,我们将平均C.US C.US在运营的前10年中为9.8美分。 以买入等级和RP1200的TP恢复覆盖范围,我们在PGEO上恢复覆盖范围,并以稳健的增长轨迹和有吸引力的EV/EBITDA估值为6.5倍的25F估值(与区域同行为11.6倍)。 我们的RP1,200的TP源自所有现有项目的DCF评估方法(Kamojang,Lahendong,Ulubelu,Lumut Balai,Karaha)。 我们的TP意味着EV/EBITDA为8.2x/7.8倍,而以目前的股价,PGEO的估值为6.5倍EV/EBITDA。 我们观点的关键风险包括1)较低的可用性/容量因素,以及2)项目时间表中的延迟。 关键财务我们预测25-26F的EPS增长+3.3%/ +2.7%,至1.78亿美元/$ 1.83亿美元,假设25财年的4,930GWH, +2.12%的Yoy产生 +2.12%的同期,它是从Lumut Balai的销售中增加的,从而增加了apter septer(vss),从而增加了$ 9 (vs. $ 6.4美分/千瓦时)。除了Hululais外,所有未来的Greenfield项目都将基于电力销售,我们估计,基于我们从PP No.112/2022的计算,我们将平均C.US C.US在运营的前10年中为9.8美分。以买入等级和RP1200的TP恢复覆盖范围,我们在PGEO上恢复覆盖范围,并以稳健的增长轨迹和有吸引力的EV/EBITDA估值为6.5倍的25F估值(与区域同行为11.6倍)。我们的RP1,200的TP源自所有现有项目的DCF评估方法(Kamojang,Lahendong,Ulubelu,Lumut Balai,Karaha)。我们的TP意味着EV/EBITDA为8.2x/7.8倍,而以目前的股价,PGEO的估值为6.5倍EV/EBITDA。我们观点的关键风险包括1)较低的可用性/容量因素,以及2)项目时间表中的延迟。关键财务
历史. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 设计 - 旗杆基础和高度 . . . . . . . . . . . . 14 旗杆风速 . . . . . . . . . . . . . . . . 15 设计 - 完成选项 . . . . . . . . . . . . . . . . 16 设计 - 零件编号 . . . . . . . . . . . . . . . 17 Estate - ESS 外部单固定式 . . . . . . . . . . . 18-19 Continental - ESR 外部单旋转式 . . . . . . . . . . 20-21 Extreme - XESR 外部单旋转式 . . . . . . . . . . . 22-23 Monarch - ICC 内部凸轮夹板 . . . . . . . . . . . . .24-25 Sentry - ISC 内部凸轮夹板 - 加强型 . ...
历史. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 设计 - 旗杆基础和高度 . . . . . . . . . . . . 14 旗杆风速 . . . . . . . . . . . . . . . . 15 设计 - 完成选项 . . . . . . . . . . . . . . . . 16 设计 - 零件编号 . . . . . . . . . . . . . . . 17 Estate - ESS 外部单固定式 . . . . . . . . . . . 18-19 Continental - ESR 外部单旋转式 . . . . . . . . . . 20-21 Extreme - XESR 外部单旋转式 . . . . . . . . . . . 22-23 Monarch - ICC 内部凸轮夹板 . . . . . . . . . . . . .24-25 Sentry - ISC 内部凸轮夹板 - 加强型 . ...
兽医学对于解决营养安全、环境可持续性和公共卫生等全球挑战至关重要。如果没有牲畜健康计划和研究,联合国的多项可持续发展目标(包括 1:无贫困和 2:零饥饿)是无法实现的。此外,食品动物生产和医学科学交叉领域的研究对于理解和预防新出现的疾病威胁至关重要。兽医需要更多地参与解决从气候变化到流行病预防等各种挑战;然而,兽医学生往往很少有机会获得解决这些问题所需的研究方法的经验。食品与农业研究基金会 (FFAR) 兽医学生研究奖学金(FFAR 兽医研究员计划)为兽医学生提供支持,让他们获得这些研究领域的经验,为他们从事科学和公共服务等各种重要职业做好准备。 FFAR 的兽医学生研究奖学金旨在与现有的兽医学院 (CVM) 研究生项目相结合,最终形成广受关注的兽医学者研讨会 (VSS)。美国兽医学院协会 (AAVMC) 正在与 FFAR 合作设计和管理奖学金计划。该计划旨在鼓励申请人获得研究经验。因此,FFAR 和 AAVMC 强烈鼓励没有研究经验的学生申请。支持的研究主题
注意:所有通信和刷新率时序均针对标称校准的 HFO 频率给出,并将随此频率的变化而变化。1.所有 PWM 时序规格均针对单个 PWM 输出给出(MLX90614xAx 的出厂默认值)。对于扩展 PWM 输出(MLX90614xBx 的出厂默认值),每个周期的时序规格为原来的两倍(请参阅 PWM 详细描述部分)。对于大电容负载,建议使用较低的 PWM 频率。热继电器输出(配置时)具有 PWM DC 规格,可以编程为推挽或 NMOS 开漏。PWM 是自由运行的,上电出厂默认为 SMBus,详情请参阅 7.6“在 PWM 和 SMBus 通信之间切换”。2.有关 12V 应用上的 SMBus 兼容接口,请参阅应用信息部分。SMBus 兼容接口在 SMBus 详细描述部分中有详细描述。一条总线上 MLX90614xxx 设备的最大数量为 127,如果设备数量较多、总线数据传输速率更快、总线无功负载增加,建议使用较高的上拉电流。MLX90614xxx 始终是总线上的从设备。MLX90614xxx 可以在低功耗和高功率 SMBus 通信中工作。除非另有说明,所有电压均指 Vss(接地)。5V 版本 (MLX90614Axx) 不提供省电模式。
由心理社会提名;一项提名每3年提名2023年教师发展奖,佐治亚理工学院2022 Vision Sciences Society(VSS)年轻调查员奖,每年获得一项奖项2022 Cullen-Peck奖,佐治亚理工学院,佐治亚理工学院,佐治亚理工学院(包括10,000美元的资金中$ 10,000)2021 APA杰出的科学奖,以实现早期职业贡献,对精神病学领域:INEURISE IN NITERICE andCOSSI生神:行为和COCTACY ARCHATION和SCONCONAL CANCATION and CONCATION CONCATION; one award made every 2 years 2020-2023 Student Recognition of Excellence in Teaching: Class of 1934 Award (received 3 times) Recognizes teachers with top-40 student evaluation scores 2021 Reflective Teaching Badge, Georgia Tech 2020 Class of 1969 Teaching Fellow, Georgia Tech 2019 NSF CAREER Award (funding declined in lieu of an overlapping R01 award) 2019 Inaugural National Eye Institute Faculty Travel Award 2018-present感谢师生证书(获得7次),乔治亚理工学院2012年研究生旅行奖,视觉科学学会2008年冲绳计算神经科学夏季课程(涵盖全额支出)2007 Thomas T. Hoopes杰出大学杰出本科论文奖奖学金2007年PHI BETA KAPPA KAPPA HONORS COMPATION INFORICATION 2004-2005 INTARIPLAINS 2004-2005 HORCONDER SELLICAPENT 2003 2002-2003国际数学奥林匹克运动会的两枚金牌NIH R01 MH119189,揭示元认知期结构:5/2020 - 2/2025角色:PI总额:PI总额:$ 1,855,530
SGP30 的电气规格如表 3 所示。电源引脚必须用 100 nF 电容去耦,该电容应尽可能靠近引脚 VDD - 参见图 7 。所需的去耦取决于连接到传感器的电源网络。我们还建议将 VDD 和 VDDH 引脚短路。SCL 用于同步微控制器与传感器之间的通信。SDA 引脚用于与传感器之间传输数据。为了安全通信,必须满足 I 2 C 手册 4 中定义的时序规范。SCL 和 SDA 线都是开漏 I/O,带有连接至 VDD 和 VSS 的二极管。它们应连接到外部上拉电阻。为避免信号争用,微控制器必须仅将 SDA 和 SCL 驱动为低电平。需要外部上拉电阻(例如 R p = 10 kΩ)将信号拉高。确定电阻尺寸时,请考虑总线容量和通信频率(有关更多详细信息,请参阅 NXP I 2 C 手册第 7.1 节 4)。应注意,上拉电阻可能包含在微控制器的 I/O 电路中。芯片焊盘或中心焊盘与 GND 电连接。因此,电气考虑不会对芯片焊盘的布线施加限制。但是,为了保证机械稳定性,建议将中心焊盘焊接到 PCB 上。
背面电源传输网络 我们的 BS-PDN 结构如图 1 所示,其中 PDN 利用了几乎 100% 的 BSM 资源,将电源布线资源与正面的信号分离。A. 背面 DC-DC 转换器:片上 DC-DC 单元转换器 (UC) 提供高效转换和块级电压调节 [3]。封装寄生效应会导致不必要的 IR 压降/反弹,影响正面 (FS) 和 BS-PDN。相反,片上 UC 可以减轻封装和键合带来的压降;然而,它们的大尺寸使它们不适合 FS 集成。相比之下,背面提供了足够的空间,可以实现密集的 UC 集成而不会造成布线拥塞。B. BS-UC 的集成:我们的 4:1 背面 UC(BS-UC)将 3.3V 降至 0.7V 的片上电源电压。为了分离两个电压域,添加了两个额外的背面金属层 MB3 和 MB4(见表 I)。MB3 专用于 BS-UC 布线;MB4 用于为 BS-UC 提供 3.3V VDD 和 0V VSS 输入。图 2 显示了我们的 BS-UC 堆叠。我们的电压域去耦确保 MB4 和 MB2 层之间没有连接,从而保留了 BS-PDN 配置。对于 BS-UC 放置,我们应用了交错策略以实现紧凑性。BS-UC PDN 金属层击穿和 BS-UC 放置如图 3 所示。C. BS-UC 的好处:BS-UC 降低了最坏情况下的动态 IR 降和逐层最小电压降(见图 4)。最后,去耦策略可以实现更高的 C4/微凸块密度,而不会产生显著的电源焊盘面积开销。
2.1 (a) 垂直 MEMS 耦合器的 (a) 关闭状态和 (b) 开启状态示意图 - 图片取自 [14] (c) MEMS 开关单元的 SEM - 图片取自 [22] . . 7 2.2 MEMS 开关元件的代表性传递函数。 . . . . . . . . . . . . . 8 2.3 (a) 128x128 SiPh MEMS 纵横开关 (b) 4x4 CMOS 高压驱动芯片倒装芯片接合到 SiPh MEMS 芯片的 GDS 屏幕截图。 . . . . . . . . . . . . 9 2.4 (a) SuperSwitch 1 高压驱动芯片的显微照片 (b) 驱动芯片的卡通布局图。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 2.5 假设采用单个 CMOS 芯片,则激活 128 行中的 1 行的简单原理图。 . 11 2.6 假设采用 4x4 CMOS 芯片阵列,则控制 128x128 开关的原理图。 12 2.7 (a) N c = 1 时第 0 列和第 1 列的逻辑 (b) N c = 2 时第 0 列和第 1 列的逻辑。 13 2.8 (a) 带有用于调试的环回多路复用器的 SuperSwitch1 控制芯片扫描架构的最终原理图。 (b) SuperSwitch1 控制器芯片的最终参数。 . . . . . 14 2.9 (a) SuperSwitch1 高压驱动电路原理图。 (b) 所有电源及其标称值的列表。 . . . . . . ... 19 2.13 (a) HVDD = 70 V、HVSS = 65 V 时所有角的 VSS 电阻 shmoo 图。 (b) 相同图,但 HVDD = 70 V、HVSS = 66 V。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.16 (a) 凸块 CMOS 焊盘的显微照片。(b) Au UBM 和 Au 微凸块的横截面。(c) 使用不同厚度的 UBM 在 SiPh 芯片上补偿 CMOS 焊盘高度差异的键合工艺说明。. . . . . . . . . 22