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超符合硅碳化物涂料通过前体脉冲化学蒸气沉积
在这项工作中，碳化硅（SIC）涂层通过脉冲化学蒸气沉积（CVD）成功生长。未在连续流中提供四氯化硅（SICL 4）和乙烯（C 2 H 4），而是以H 2作为载体和清除气体交替脉冲到生长室中。典型的脉冲CVD循环为SICL 4脉冲 - H 2净化 - C 2 H 4脉冲 - H 2吹扫。这导致了超符号SIC涂层的生长，在相似的过程条件下，使用恒定的流动CVD工艺无法获得。我们通过脉冲CVD提出了一个两步的SIC生长框架。在SICL 4脉冲期间，沉积了一层Si。在以下C 2 H 4脉冲中，该Si层被渗入，并形成SIC。据信SICL 4脉冲后，高氯表面覆盖范围可以通过生长抑制作用来实现超级生长。
绿色 CVD-迈向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178241 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Pedersen, H., Barry, ST, Sundqvist, J., (2021)，绿色 CVD-向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念迈进，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，39(5)，051001。https://doi.org/10.1116/6.0001125
可再生纳米结构材料的多层材料，具有高氧和水蒸气壁垒的食物包装
摘要：天然生物聚合物已成为准备生物降解食品包装的关键参与者。然而，生物聚合物通常是高度亲水性的，这在与水相互作用相关的屏障特性方面施加了限制。在这里，我们使用多层设计增强了生物基包装的屏障特性，其中每一层都显示一个互补的屏障函数。氧气，水蒸气和紫外线屏障。我们首先设计了几种包含CNF和Carnauba蜡的设计。在其中，我们在包含三层的组装中获得了低水蒸气的渗透率，即CNF/Wax/CNF，其中蜡作为连续层存在。然后，我们在几丁质纳米纤维（LPCHNF）上掺入了一层木质素纳米颗粒，以在维持紫外线的同时引入完全屏障，同时保持纤维透明度。包括CNF/Wax/LPCHNF的多层设计启用了高氧（OTR为3±1 cm 3/m 2·Day）和水蒸气（WVTR为6±1 g/m 2·天），以50％的相对湿度为50％。它也对石油穿透也有效。氧气渗透性受纤维素和几丁质纳米纤维的紧密网络的控制，而通过组装的水蒸气散析则由连续的蜡层调节。最后，我们展示了我们的完全可再生包装材料，以保存商业饼干（干粮）的质地。我们的材料显示出与原始包装相似的功能，该功能由合成聚合物组成。关键字：纤维素纳米纤维，蜡，木质素颗粒，分层生物聚合物，可持续纤维，生物基包装■简介
使用降低压力化学蒸气沉积在不强的SiO2上硅外延层的原位暗示
随着芯片结构系统的功率需求不断增长，由于其低功率泄漏，超薄体越来越重要。硅启动器（SOI）技术用于制造此类超薄平台。但是，当代的SOI过程和晶圆本身是复杂而又是典型的。在这项研究中，我们开发了一种简单的SOI制造工艺，可以使用商业实施的减少压力化学物质沉积技术在散装硅晶片的任何所需的局部实施。通过硅的选择性外延生长制造了局部SOI，它也可以在用1μm宽的硅种子区和蚀刻剂的蚀刻剂侧面横向生长，尺寸为20×100μm。局部SOI通过化学机械抛光处理至100 nm或更少的厚度，表现出高度结晶状态，这是由横截面成像和衍射模式分析，表面粗糙度分析和广泛的表型分析所确定的。局部SOI在优化的工艺条件下，表现出0.237 nm的表面粗糙度，并保持了与硅晶片相同的完美（100）晶体平面。我们在当前的本地SOI上成功制造了可重新配置的晶体管，这意味着当代硅电子可以在其自己的平台上利用SOI设备。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章
在温暖的Rubidium Vapor中快速，低损坏，全光相调制
与经典相关（即非量化）。所有这些应用都需要高速开关，这可以通过光学信号的相位调制来实现。现有技术提供低损坏或高带宽解决方案，但并非同时提供。例如，纤维集成的电流调节器在商业上成熟，并且可以在纳秒时间尺度上提供相位调制。nev-这些设备的插入损失增加了一个实际的开销：减轻这些损失需要增加输入功率，中间放大器和废热管理[6]。此外，提高开关速度的功能可能导致现有基于半导体的电信设备的过时，从而推动了对全光开关技术的研究[7]。因此，在一系列应用领域中，需要更有效的光学调制技术。光子量子计算代表了我们对这项工作的实践动机。此平台出于多种原因吸引人，包括所有或多个组件的室温操作，高时钟率，高连通性，对流浪场不敏感和模块化结构。，但仍然是一个关键的技术挑战：以高速和极低的损失进行切换和动态重新旋转光子的要求。这是用于光子量化计算过程的各种过程中的重要阶段，例如实现：循环记忆[8，9]，同步[10]或单光子源的多重[11，12，13]和图形状态生成[14]。放大量子量子相干性，因此无法使用
通过杂化金属 - 有机化学蒸气沉积的2D半导体化学定制的生长
摘要：二维（2D）半导体过渡 - 金属二甲藻元化（TMDC）是激动人心的兴奋性物理和下一代电子设备的令人兴奋的平台，从而提出了强烈的需求，以了解其增长，兴奋剂和异质结构。尽管在固体源（SS-）和金属 - 有机化学蒸气沉积（MOCVD）中取得了显着进展，但仍需要进一步优化，以增强高度结晶的2D TMDC，并具有受控的掺杂。在这里，我们报告了一种混合MOCVD生长法，该方法结合了液相金属前体沉积和蒸气相机 - chalcogen的递送，以利用MOCVD和SS-CVD的优势。使用我们的混合方法，我们证明了WS 2的生长，具有从分离的单晶结构域到各种底物的连续单层膜的可调形态，包括蓝宝石，SIO 2和AU。这些WS 2膜表现出狭窄的中性激子光致发光线的宽度，低至27-28 MeV和室温迁移率最高34-36 cm 2 v-1 s-1。通过对液体前体组成的简单修改，我们证明了V掺杂WS 2，Mo X W 1-X S 2合金和面内WS 2 - MOS 2异质结构的生长。这项工作提出了一种有效的方法，可以在实验室规模上满足各种TMDC合成需求。关键字：金属 - 有机化学蒸气沉积，2D半导体生长，过渡金属二甲构代化，掺杂，合金，WS 2，MOS 2，MOS 2
2024 JISEA年度会议：会议3
累积部署的薄效率 - 光电脉冲和薄的光伏制造能力的行业领导者都通过蒸气加工产生其镉的太阳能电池。4 - 6此外，可以使用蒸气处理通过Heliatek GmbH对有机光伏的溶液或蒸气方法进行制造。7与这些技术类似，基于蒸气的加工有望在基于钙钛矿的光伏的商业化中发挥关键作用。8它们不仅可以启用具有高产量和可重复性的高质量工艺，而且还可以消除危险溶剂，并简化对较大设备区域的升级。9此外，通过蒸气加工均匀地涂层在粗糙表面上涂层的能力是有益的，在串联应用中，在部署基于perovskite的材料时，这一点尤其重要。10 - 12虽然只有一小部分的研究专注于卤化物钙钛矿材料的蒸气加工，但其进度绝不比基于溶液的方法不如基于溶液的方法，尤其是在研究最多的混合有机有机物 - 无机卤化盐酸钙钛矿材料时。13 - 15个使用蒸气加工有机 - 无机卤化物钙钛矿吸收剂的太阳能电池的降低功率转化率（PCE）为24.4％，16个与基于溶液的方法相当。17
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
层退火温度对暴露于酒精蒸气的自旋涂层SBS层的感测特性的影响
为10-40 kJ/mol [75]。根据表3，三种类型的酒精的相互作用是物理吸附（ED = 27-45 kJ/mol）。物理吸附相互作用是可逆的。酒精