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基于二极管激光的光声仪器二十年的空气水蒸气和总水量测量
水蒸气是最重要的大气成分，对地球辐射收支有很大影响。除了水蒸气的直接辐射强迫外，其通过产生云滴的间接效应也在气候中起着至关重要的作用。因此，准确和定期地表征其在大气中的丰度至关重要，特别是在不断变化的气候系统中。在大气的上对流层/下平流层 (UTLS) 区域，水蒸气通过均质或非均质冻结过程驱动纯冰 (卷云) 云的生成，并通过沉积驱动云冰粒子的生长。卷云的辐射效应仍不为人所知；一些研究表明它们会冷却，而另一些研究表明它们会变暖，这取决于云光学厚度和冰粒大小和浓度的表现。在欧洲 CARIBIC 项目 [ 1 , 2 ]（基于仪器容器的定期大气调查的民用飞机）的框架内，自 2005 年以来，我们利用实验室开发的基于光声 (PA) 方法的仪器，在 UTLS 区域（10 至 12 公里高度）的商用飞机上定期测量大气水蒸气和总水（即水蒸气和云水/冰的总和）浓度。机载 PA 水蒸气测量仪（称为 WaSul-Hygro）基于电信型近红外 (NIR) 二极管激光器。此外，为了确保同时测量总水量和水蒸气的要求，WaSul–Hygro 拥有针对低温低压条件优化的双室 PA 装置。这种操作由安装在飞机下方的特殊环境进气系统实现，该系统包含一个侧向进气口和一个前向进气口，用于对水蒸气进行采样
基于双频无线电信号和卫星间通信网络反演大气水汽含量的研究
摘要：大气总水蒸气含量 (TWVC) 会影响气候变化、天气模式和无线电信号传播。全球导航卫星系统 (GNSS) 等最新技术用于测量 TWVC，但精度、时间分辨率或空间覆盖范围均有所降低。本研究证明了使用扩频 (SS) 无线电信号和低地球轨道 (LEO) 卫星上的软件定义无线电 (SDR) 技术预测、绘制和测量 TWVC 的可行性。提出了一种来自小型卫星星座的卫星间链路 (ISL) 通信网络，以实现 TWVC 的三维 (3D) 映射。然而，LEO 卫星的 TWVC 计算包含电离层总电子含量 (TEC) 的贡献。TWVC 和 TEC 贡献是根据信号传播时间延迟和卫星在轨道上的位置确定的。由于 TEC 与 TWVC 不同，依赖于频率，因此已经实施了频率重构算法来区分 TWVC。这项研究的新颖之处在于使用时间戳来推断时间延迟、从星座设置中独特地推导 TWVC、使用算法实时远程调谐频率以及使用 SDR 进行 ISL 演示。这项任务可能有助于大气科学，测量结果可以纳入全球大气数据库，用于气候和天气预报模型。
消防喷淋器的腐蚀防护
Cortec ® 是通用空气产品公司专利防腐系统 Vapor Pipe Shield 的气相腐蚀抑制剂的骄傲供应商。Vapor Pipe Shield 于 2023 年发布，经 UL 认证可用于干式和预作用式消防喷淋系统，并且正在稳步获得认可。新的测试结果显示了 Vapor Pipe Shield 的明显优势，有望进一步重塑行业对消防喷淋系统的防腐方法。
通过金属有机化学气相沉积制备相变富 Ge Ge–Sb–Te/Sb2Te3 核壳纳米线
摘要：富 Ge Ge-Sb-Te 化合物具有较高的结晶温度，是未来相变存储器的理想材料，具有广泛的应用前景。本文，我们报道了通过金属有机化学气相沉积生长的自组装富 Ge Ge-Sb-Te/Sb 2 Te 3 核壳纳米线。核心富 Ge Ge-Sb-Te 纳米线通过气相-液相-固相机制自组装，由 Si (100) 和 SiO 2 /Si 基底上的 Au 纳米粒子催化；随后在室温下进行 Sb 2 Te 3 壳的保形过度生长，以实现核壳异质结构。利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼显微光谱和电子能量损失谱对富Ge Ge-Sb-Te核和富Ge Ge-Sb-Te/Sb 2 Te 3核壳纳米线进行了广泛的表征，以分析其表面形貌、晶体结构、振动特性和元素组成。
通过激光辅助等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅，用于下一代有机电子器件
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 在低温下无损伤、无应力地沉积化学计量的氮化硅是微电子、微机电系统 (MEMS) 等各种应用领域中的一个重要课题。本研究研究了氮化硅 PECVD (LAPECVD) 过程中激光辅助对沉积的 Si 3 N 4 薄膜的物理和化学特性的影响。由于反应气体的分解作用增强，在 80 ◦ C 下用 193 nm 激光辅助的 LAPECVD 显示出比 PECVD 更高的沉积速率。此外，沉积的氮化硅薄膜的 N/Si 化学计量比和残余应力也得到了改善。当氮化硅直接沉积在有机发光二极管 (OLED) 上进行薄膜钝化时，LAPECVD 没有观察到电气损坏，这可能是因为激光辅助沉积在 OLED 表面覆盖了一层薄薄的氮化硅层，而传统的 PECVD 则因直接暴露于等离子体而导致离子轰击导致器件损坏。我们相信 LAPECVD 系统可用于各种下一代微电子行业，这些行业需要在低温 PECVD 期间以最小的损坏进行高质量的薄膜沉积。
通过卤化物蒸气相互延伸
目前，由金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）生长的富含硼龙硼氢化硼（H-10 BN）硝酸硼（H-10 BN）超级氮化液（MOCVD）生长的超速型硝酸硼（H-10 tbn）超级氮化液带固定型的热中性探测器保持创纪录的所有固体检测率在59％处于59％的固体检测器中。为了克服MOCVD增长的短期繁殖，包括固有的低增长率和不可避免的杂质，例如金属有机物中的碳，我们在这里证明了使用Halide蒸汽相结合（HVPE）的SEMI SENIQUICENCE的天然六边形硝酸硼（H-BN）半裸型硼硼（H-BN）半裸型WAFER的增长。电运输表征结果表明，这些HVPE种植的材料具有1 10 13 x cm的电阻率，电荷载体迁移率和寿命为2 10 4 cm 2 /v s。用100 l m厚的H-BN晶片制成的检测器表明，热中子检测效率为20％，对应于500 V的运营电压，对应于60％的收费收集效率。此初始演示为高效H-BN中性探测器的高效型核能造成了核能的核能，这可能会创造出较高的核能，这可能会产生核能的核能，这可能会创造出不合时宜的核能，这可能会导致不合时宜，这可能会造成良好的核能，这可能会造成良好的成本，这可能会导致良好的核能，这可能会导致良好的核能，这是可降低的，这可能会产生良好的核能，这可能会产生良好的核能。核废料监测和管理，医疗保健行业以及物质科学。
通过化学束蒸气沉积对高质量外延锂薄膜的有效优化：阳离子化学计量的影响
Niobate锂是其具有挑战性的功能性能的特殊材料，可以适合各种应用。然而，到目前为止，在蓝宝石底物上生长的高品质200毫米li x nb 1-x o 3薄片迄今为止从未报道过这限制了这些潜在应用。本文报告了蓝宝石（001）底物在组合构造中通过化学梁蒸气沉积在蓝宝石（001）底物上对高质量的薄膜沉积的有效优化。使用此技术，LI/NB的流量比可以从单个晶圆上调整≈0.25至≈2.45。在膜的胶片（不同阳离子比）的不同区域进行了各种互补特征（通过不同的效果，显微镜和光谱技术），以研究阳离子化写计数器对纤维属性的影响。接近阳离子化学计量学（Linbo 3），外延纤维具有高质量（尽管有两个平面域，但低镶嵌性为0.04°，低表面粗糙度，折射率和带隙接近散装值）。偏离化学计量条件，检测到次级相（富含NB的流动比的Linb 3 O 8，Li 3 NBO 4具有部分非晶化的Li-foW流比）。linbo 3薄膜对于数据通信中的各种关键应用程序都具有很高的兴趣。
木兰6394-A
物理状态：液体外观：粘贴。凝胶。颜色：棕褐色。气味：略微空灵。Odor threshold : No data available pH : No data available Relative evaporation rate (butyl acetate=1) : No data available Melting point : Not applicable Freezing point : No data available Boiling point : > 107.3 °C Flash point : > 93.4 °C Auto-ignition temperature : No data available Decomposition temperature : No data available Flammability (solid, gas) : Not applicable Vapor pressure : No data available Relative vapor density at 20 °C : No data available Relative density : ≈ 1.2 Solubility : Water: Negligible Partition coefficient n-octanol/water (Log Pow) : No data available Viscosity, kinematic : No data available Viscosity, dynamic : No data available Explosive properties : No data available Oxidizing properties : No data available Explosion limits : No data available
三价准备工作
Physical state : Solid (swab or pellet) Appearance : Clear to hazy Color : According to product specification Odor : Odorless Odor threshold : No data available pH : No data available Melting point : No data available Freezing point : No data available Boiling point : No data available Flash point : No data available Relative evaporation rate (butyl acetate=1) : No data available Flammability (solid, gas) : No data available Vapor pressure : No data available Relative vapor density at 20°C : No data available Relative density : No data available Solubility : Miscible in water Partition coefficient n-octanol/water (Log Pow) : No data available Auto-ignition temperature : Not self-igniting Decomposition temperature : No data available Viscosity, kinematic : No data available Viscosity, dynamic : No data available Explosion limits : No data available Explosive properties : No data available Oxidizing properties : No data available
在电信 C 波段附近的金属有机气相外延中通过改进的液滴外延在 InGaAsP/InP(100) 上自组装 InAs 量子点，用于量子光子应用
这些材料在激光中被广泛应用，包括作为激光器中的活性介质[3-5]、作为量子信息技术的纯单光子和纠缠光子对源[6]、以及作为新型纳米存储器件的构建块。[7-9] 特别是 InAs/InP 量子点，由于其与 1.55 μ m 的低损耗电信 C 波段兼容，目前作为单光子发射器非常有吸引力。[10,11] 金属有机气相外延 (MOVPE) 中的液滴外延 (DE) 是一种新近且非常有前途的 QD 制造方法，因为它结合了大规模外延技术和多功能外延方法。[12-15] 这是一种相对较新的工艺，其生长动力学尚未完全了解，特别是对于与电信波长兼容的 III-V 材料系统，例如 InAs/InP。因此，它在制造用于广泛应用的电信 QD 方面具有巨大的发展潜力。此外，使用 InP 作为基质材料可以实现 InAs 量子发射体的生长，而无需任何额外的变质缓冲剂（例如 AlInAs/GaAs）。[16 – 18]