目的:记录 (1) 评估时有症状的脑震荡儿童的眼球运动 (OM) 和前庭眼 (VO) 功能,并将其与临床康复(无症状)的脑震荡儿童和无脑震荡损伤的儿童进行比较,以及 (2) OM 和 VO 功能与受伤儿童脑震荡后症状严重程度的关系程度。 设置:参与者是从脑震荡诊所或社区招募的。 参与者:总共 108 名脑震荡青少年(72 名有症状;36 名康复)和 79 名健康青少年(年龄 9-18 岁)。如果脑震荡青少年年龄在 9 至 18 岁之间,在过去 12 个月内没有发生过脑震荡,受伤后不到 90 天,并且没有已知的现有视觉障碍或学习障碍,则将其纳入。 研究设计:一项前瞻性横断面研究。主要指标:所有参与者均使用商用虚拟现实 (VR) 眼动追踪系统 (Neuroflex ®,加拿大魁北克省蒙特利尔) 测试 OM 和 VO 功能。脑震荡组完成脑震荡后症状测试的参与者使用脑震荡后症状量表进行评分。结果:平稳追踪期间的会聚 (F 2,176 = 10.90;P < .05)、扫视期间的平均潜伏期 (F 2,171 = 5.99;P = .003) 和反扫视期间的平均反应延迟 (F 2,177 = 9.07;P < .05) 存在显著的群体效应,其中有症状脑震荡的儿童表现比临床康复和健康的儿童差。在水平向左(F 2,168 = 7;P = .001)和向右(F 2,163 = 13.08;P < .05)以及垂直向上(F 2,147 = 7.60;P = .001)和向下(F 2,144 = 13.70;P < .05)方向的平均前庭眼反射增益方面,VO 也发现了相似的结果。在临床康复的幼儿中,平均扫视误差与脑震荡后症状量表总分呈正相关。结论:VR 眼动追踪可能是识别脑震荡后亚急性期(< 90 天)OM 和 VO 缺陷的有效工具。关键词: 角前庭眼反射、眼球追踪、轻度创伤性脑损伤、眼球运动、脑震荡后症状量表、前庭眼、虚拟现实
Vrz osnova na Decision za svekuvawe na Godi{no sobranie na akcioneri na Nacionalna grupacija za insiguruwawe AD Osiguritelna polisa Skopje br.02-2991/1 od 11.05.2021g。由 Dru{tvoto 董事会提出,国家保险集团 AD Osiguritelna polisa 董事会 - 斯科普里宣布 JAVEN POVIK 出席 AD Osiguritelna polisa Skopje 年度股东大会股东 Nacionalna grupaciija za osiguruvawe AD Osiguritelna polisa Skopje }e se odr`a na den 17.06.2021 (~etvrtok) 所以 po~etok vo 13~asot vo Hotel Belvi, ul.32 24, op{tina Ilinden-Skopje (na izlez od Skopje kon Kumanovo) so sledniot DNEVEN RED PROCEDURALEN DEL 1.Izbor na presedava~ na Sobranieto i 2.Izbor na trojca broja~ina glasovi;工作部分 1.Odobruwawe na godi{nata smetka, finansiskite izve{tai i godi{niot izve{taj za bota na Dru{tvoto vo 2020 godina so predlog zakoza; 2、审议通过公司2020年度内部审计师年度工作报告并作出决议; 3. 独立审计师开始对斯科普里国家保险集团AD Insurance保单截至2020年12月31日止年度的财务报表进行审计; 4.批准 Izve{tajot za raboteweto na Odborot na Direktori na Dru{tvoto za 2020 godina Collective i odspect na poedine~ni ~lenovi so predlog 斯洛文尼亚; 5、关于公司 2020 年度利润分配的决议及提案 6、选举一名授权审计师,对公司 2021 年度决算及财务报表进行审计。
v uq ns'k v uq ns'k v uq ns'k v uq ns'k v uq ns'k 1-1-1-1-1- ijh{kk izkjEHk gksus ds rqjUr ckn] vki bl ijh {k.k iqfLrdk dh iM+rky vo ijh{kk izkjEHk gksus [ds rqjUr ckn] bl ijh{k.k iqfLrdk dh iM+rky vo ijh{kk izkjEHk gksus ds rqjUr ckn] vki bl ijh{k.k iqfLrdk dh iM+rky vo'; '; '; '; '; dj ysa fd blesa dksbZ dj ysa fd blesa dksbZ dj ysa fd blesa dksbZ dj ysa fd blesa dksbZ dj ysa fd blesa dksbZ fcuk Nik] QVk ;k NwVk gqvk i` fcuk Nik] QVk ;k NwVk gqvk i` f库克尼克] QVk;k NwVk gqvk i` fcuk Nik] z'z'z'uka ukauka ukauka'''''k vkfn u gksA ;fn ,slk gS] rks bls lgh ijh{k.k k vkfn u gksA ;fn ,slk gS] rks bls lgh ijh{k.k k vkfn u gksA ;fn ,slk gS] rks bls lgh ijh{k.k k vkfn u gksA ;fn ,slk gS] rks bls lgh ijh {k.k k vkfn u gksA ;fn ,slk gS] rks bls lgh ijh{k.k iqfLrdk ls cny ysaA iqfLrdk ls cny ysaA iqfLrdk ls cny ysaA iqfLrdk ls cny ysaA iqfLrdk ls cny ysaA
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2 部门和项目公司同意 VO 3 和 DofV 2 附录 2 中描述的额外景观美化。3 此定义应结合 DofV 2 第 5.4 条理解。请参阅本协议附表 3 第 2.6.4 段。
van thien chi nguyen 1.2#,在hieu nguyen 1.2#,nhat tan doan 1,2,thi quynh pham 1,2,giang thi huong nguyen 1.2,thanh thanh dat dat ngat ngat nguyen 1.2 U Thinh Nguyen 3,Trieu Vu Nguyen 7,Hue Hanh Nguyen 1.2,Le Anh Khoa: 3,Minh Tran先生3,Viet Hai Nguyen 3,Vu Tuan anh nguyen 3,Le Minh Quoc Ho 3,Quang dat Tran 3,Thu thu thu thu thu thu thu th dat ho 4,bao toan nguyen 4,thanh vo nguyen 4,thanh vo nguyen 4, Thoang Nai 4,Thuy Trang Tran 4,我的Hoang Truong 4,Thanh Huong 4 Phuong Thi Bach 5.6,Van Vu Kim 5,6,Anh Pham 5.6,Duc Huy Tran 3,Trinh Ngoc An Le 3,Truong Vinh Ngoc Pham 3,Minh Triet Le 3,Dac Ho vo 1,2 I Trang Tran 1.2,Vu Uyen Tran 1,2,Minh Phong Le 1,2,Thi Van Phan Nguyen,Luang 1.2,1.2 1,2,van Thinh高9,Thanh Thuy Thi Do 2,Dinh Kiet Truong 2,挂在Tang 1,2,Hoa Giang 1,2,Hoai-Jghia Nguyen 1.2,Minh Duy Phan 1,2,*,*,Le Son Tran 1,2,*,*
********问题:P10_22 **************** ****** 主电路从这里开始************** IBIAS VG23 0 DC 100uAdc RSIG VSIG VG1 20k TC=0,0 VS VSIG 0 AC 10m +SIN 0.58 2m 1k 0 0 0 V1 VDD 0 1.8Vdc M1 VO VG1 0 0 NMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M2 VO VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M3 VG23 VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 CGS 0 VG1 17.5f CGD VO VG1 3.2f ******* 主电路从这里结束*************** ***************** PMOS 模型从这里开始 ******************************* .model PMOS0P18 PMOS(Level=1 VTO=-0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.8 + LD=0 WD=0 UO=118 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.45 MJSW=0.29 CGDO=3.43E-10 JS=4.0E-7 CGBO=3.5E-10 + CGSO=3.43E-10) ***************** PMOS 模型从这里结束 ***************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ****************************** .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=473 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1.6E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.5 MJSW=0.11 CGDO=3.67E-10 JS=8.38E-6 CGBO=3.8E-10 + CGSO=3.67E-10) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************
氧化铍 (BeO) 具有超宽带隙,是一种很有前途的量子缺陷宿主。我们利用混合函数的密度泛函理论,对 BeO 中的原生点缺陷进行了全面的第一性原理研究。我们发现铍和氧空位是最稳定的缺陷,而其他原生缺陷(如间隙或反位)则具有较高的形成能。我们通过检查自旋态和内部光学跃迁,研究了点缺陷作为量子缺陷候选者的可能性。氧空位 (V + O) 是一种合适的自旋量子比特或单光子发射体;我们还发现,通过与 Li 受体形成 (VO − Li Be) 0 复合物可以增强其稳定性。O − Be 反位还具有理想的光学和自旋特性。总体而言,由于其作为宿主材料的理想特性,BeO 可以成为量子缺陷的优良宿主,其中 V + O、(VO − Li Be) 0 和 O − Be 是主要候选者。
摘要:研究了 LiCuFe 2 (VO 4 ) 3 的磁化率、比热容、介电常数和电极化。在零磁场下观察到 T N1 ∼ 9.95 K 和 T N2 ∼ 8.17 K 处的两个连续反铁磁转变。虽然在 T N1 处可以清楚地识别出一个介电峰,但测量的热电电流在 T N1 处也呈现出一个尖锐的峰,暗示与磁相关的铁电性。有趣的是,在 T N2 附近观察到另一个具有相反信号的热电峰,导致 T N2 以下的电极化消失。此外,电极化在外部磁场下被显著抑制,证明显著的磁电效应。这些结果表明,LiCuFe 2 (VO 4 ) 3 中的磁结构与铁电性之间存在着本质相关性,值得进一步研究其潜在机制。■ 简介
关键字:二氧化钒,莫特过渡,电子相关,相共存,纳米域。简介:在二氧化钒(VO 2)中,在𝑇𝑇≈67℃中热诱导的一阶转变涉及从低温单斜(M Marking M1)绝缘子到高温四方lutagonal lutagonal(R)金属的电子和晶格结构的变化。(1)在过去的几十年中,过渡的确切原因是未知的,并且一直在争论。,已经引入了两种竞争机制,对于诱导vo 2:Peierls结构不稳定性的绝缘体金属过渡(IMT或电子切换)至关重要,这意味着倾斜的钒二聚体的形成/消失(2) - (3) - (3)和mott Swisting grom/collons s Swisting comptions and Interons primpt/promption/primnes intons insons intross intross intross intross突然相互作用(4)。此外,还建议了组合的Peierls-mott场景。(6) - (7)