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75W 智能 LED 驱动器（恒压）
• 请勿在设备通电的情况下组装控制模块。请勿在设备通电的情况下安装。请勿将设备暴露在潮湿环境中。• • • 请勿在关闭驱动器电源后 1 分钟内更换控制模块，以免烧坏。
加纳沃尔塔地区HO市消耗的水的微生物质量和矿物质含量
背景：水质和安全是人类发展和福祉的基础。因此，这项研究的目的是确定加纳沃尔塔地区首都HO中水的细菌学和矿物质含量。方法：由于消费率高及其假定质量，从1月至2月对小香囊，瓶装和自来水进行了采样，这些质量是从整个市政当局的五个不同地点随机采用的。水质评估方案被用来确定样品的细菌学和矿物质含量，而ANOVA则用于确定统计差异和显着性在p <0.05。结果：自来水的最大异养板计数为9.95±0.64×10 5菌落形成单元（CFU）/ml，囊囊水为7.46±0.09×10 6 CFU/ml，瓶装水的瓶装水为1.10±0.56×10 5 cfu/ml，nut nut nut nut nut，对于MacConkey琼脂，最大生长分别为2.94±0.03×10 6，9.42±1.67×10 6，和2.31±0.77×10 5 cfu/ml的水龙头，小袋和瓶装水。木糖赖氨酸脱氧胆酸琼脂表明最大生长为1.84±0.34×10 3，5.72±0.06×10 6，分别用于TAP，SACHET和瓶装水。pH，浊度，颜色和电导率等物理参数在加纳标准管理局设定的建议范围内。但是，自来水记录的浊度最高，瓶装水分别记录了最高和最少的pH和浊度。与瓶装水样品相比，小香囊和自来水是最不健康的。此外，矿物分析表明，瓶装水中的磷酸盐（po₄砂），氯化物（Cl-）和钠（Na）在瓶装水中，总铁（Fe）相对较高，在几个Tap和sachet水样中，后者的氨（NH 3）也最高。结论：总体而言，水龙头，小香囊和瓶装水样表现出各种水平的微生物和矿物质含量，而物理参数相对在推荐水平范围内。
stnw1174-标准 - 低压 - eg-connections。 ...
a。在将其固定的EG系统与分配系统互连之前，请从DNSP获得同意。b。确保该设计由昆士兰注册专业工程师（RPEQ）认证。c。遵守此标准以及相关连接合同的条款和条件。d。确保拟议的固定EG系统的构建，操作和维护及其与分配系统的联系符合相关的能源法，包括在昆士兰州适用的任何适用法规，标准，手册，指南，指南和实践守则。e。没有DNSP的事先书面协议，不连接其他逆变器，进行修改或安装其他EG单元（包括任何存储系统）。f。满足适用于与LV分配系统连接的调试要求，并根据由RPEQ认证的调试计划进行完整调试，除非此标准另有说明。
HV-IBSS-USB参考设计高压智能...
2.3。用户承认（i）参考设计是在实验室条件下创建的，除了参考设计中可以明确描述的任何其他测试，（ii）与参考设计相关的参考设计中的任何信息，或者使用参考设计或评估套件中包含的第三方组件（第三方产品”（“第三方产品”）不使用任何第三方或任何第三方产品或任何第三方产品或任何第三方产品，或者使用任何第三方产品，或任何第三方产品，或任何第三方的产品，服务可能需要根据专利或其他知识产权获得第三方的许可，并且（iii）Vishay可以对其各自的产品和服务，参考设计或评估套件进行更正，增强，改进以及其他更改，并停止任何产品或服务。vishay没有义务，也没有对参考设计或评估套件中包含的第三方产品的索赔，陈述，保证或保证。
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TPS7A02 Nanopower IQ，25-NA，200-MA，带有快速瞬态响应数据表（Rev. C）
6.1 Absolute Maximum Ratings........................................ 4 6.2 ESD Ratings............................................................... 4 6.3 Recommended Operating Conditions......................... 5 6.4 Thermal Information.................................................... 5 6.5 Electrical Characteristics............................................. 6 6.6 Switching Characteristics............................................ 7 6.7 Typical特征........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 18
芯片CMOS S＆H电压传感器的比较研究：SOI与散装
摘要 - 本文评估了两个芯片样品和持有（S＆H）电压传感器的性能，可用于功率完整性测量，目的是比较硅启用器（SOI）和散装CMOS技术。使用优化的参数和兼容的设备在180 nm 5 V AMS-bulk和XFAB-SOI过程中设计和模拟了两个传感器。分析的基本变量是功耗，泄漏电流，回弹率（SR）和瞬态输出电压，正在处理，电压和温度变化。与散装技术相比，SOI的功耗较低（平均为2.2兆瓦）和泄漏供应电流（在27○C时为9.5 PA），对过程变化的敏感性较高（额外的回转率最高为88％，而在80○C时为39％），对温度变化的弹性更高（在输出Voltage中的6％）和更大的占用区域（6％）和较大的占用区域。SOI传感器旨在制造并用于评估注入的连续波和瞬态干扰以及由于功率分布网络上的内部活动而引起的电压弹性。索引项 - 整合电路，电压传感器，SOI，PVT，功率完整性
Aln/Algan/Aln双重异质结构的明显故障电压
Mie University，MIE 514-8507，日本摘要 - 超宽带隙（UWBG）材料（例如ALN）是一类材料的一部分，这些材料的一部分比传统的宽带隙（WBG）材料（例如GAN），例如GAN，例如GAN，允许更高的工作电压。在这项工作中，我们介绍了Aln/Algan/Aln双重异质结构的制造和DC/高压表征，这些异质结构是由Aln/Sapphire上的Metal Organic Chemical Vapor沉积重生的。报道了低于2µm的间距的泄漏电流约1100V的缓冲区分解，这对应于大约6 mV/cm的分解场。此外，晶体管在此异质结构上已成功制造，泄漏电流低和抗性低。确实已经达到了4.5 kV的击穿电压，而现状泄漏电流确实已经达到0.1 µA/mm。这些结果表明，Algan-Channel Hemts对高功率，高温未来的应用有希望。