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75W 智能 LED 驱动器（恒压）
• 请勿在设备通电的情况下组装控制模块。请勿在设备通电的情况下安装。请勿将设备暴露在潮湿环境中。• • • 请勿在关闭驱动器电源后 1 分钟内更换控制模块，以免烧坏。
stnw1174-标准 - 低压 - eg-connections。 ...
a。在将其固定的EG系统与分配系统互连之前，请从DNSP获得同意。b。确保该设计由昆士兰注册专业工程师（RPEQ）认证。c。遵守此标准以及相关连接合同的条款和条件。d。确保拟议的固定EG系统的构建，操作和维护及其与分配系统的联系符合相关的能源法，包括在昆士兰州适用的任何适用法规，标准，手册，指南，指南和实践守则。e。没有DNSP的事先书面协议，不连接其他逆变器，进行修改或安装其他EG单元（包括任何存储系统）。f。满足适用于与LV分配系统连接的调试要求，并根据由RPEQ认证的调试计划进行完整调试，除非此标准另有说明。
HV-IBSS-USB参考设计高压智能...
2.3。用户承认（i）参考设计是在实验室条件下创建的，除了参考设计中可以明确描述的任何其他测试，（ii）与参考设计相关的参考设计中的任何信息，或者使用参考设计或评估套件中包含的第三方组件（第三方产品”（“第三方产品”）不使用任何第三方或任何第三方产品或任何第三方产品或任何第三方产品，或者使用任何第三方产品，或任何第三方产品，或任何第三方的产品，服务可能需要根据专利或其他知识产权获得第三方的许可，并且（iii）Vishay可以对其各自的产品和服务，参考设计或评估套件进行更正，增强，改进以及其他更改，并停止任何产品或服务。vishay没有义务，也没有对参考设计或评估套件中包含的第三方产品的索赔，陈述，保证或保证。
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TPS7A02 Nanopower IQ，25-NA，200-MA，带有快速瞬态响应数据表（Rev. C）
6.1 Absolute Maximum Ratings........................................ 4 6.2 ESD Ratings............................................................... 4 6.3 Recommended Operating Conditions......................... 5 6.4 Thermal Information.................................................... 5 6.5 Electrical Characteristics............................................. 6 6.6 Switching Characteristics............................................ 7 6.7 Typical特征........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 18
芯片CMOS S＆H电压传感器的比较研究：SOI与散装
摘要 - 本文评估了两个芯片样品和持有（S＆H）电压传感器的性能，可用于功率完整性测量，目的是比较硅启用器（SOI）和散装CMOS技术。使用优化的参数和兼容的设备在180 nm 5 V AMS-bulk和XFAB-SOI过程中设计和模拟了两个传感器。分析的基本变量是功耗，泄漏电流，回弹率（SR）和瞬态输出电压，正在处理，电压和温度变化。与散装技术相比，SOI的功耗较低（平均为2.2兆瓦）和泄漏供应电流（在27○C时为9.5 PA），对过程变化的敏感性较高（额外的回转率最高为88％，而在80○C时为39％），对温度变化的弹性更高（在输出Voltage中的6％）和更大的占用区域（6％）和较大的占用区域。SOI传感器旨在制造并用于评估注入的连续波和瞬态干扰以及由于功率分布网络上的内部活动而引起的电压弹性。索引项 - 整合电路，电压传感器，SOI，PVT，功率完整性
Aln/Algan/Aln双重异质结构的明显故障电压
Mie University，MIE 514-8507，日本摘要 - 超宽带隙（UWBG）材料（例如ALN）是一类材料的一部分，这些材料的一部分比传统的宽带隙（WBG）材料（例如GAN），例如GAN，例如GAN，允许更高的工作电压。在这项工作中，我们介绍了Aln/Algan/Aln双重异质结构的制造和DC/高压表征，这些异质结构是由Aln/Sapphire上的Metal Organic Chemical Vapor沉积重生的。报道了低于2µm的间距的泄漏电流约1100V的缓冲区分解，这对应于大约6 mV/cm的分解场。此外，晶体管在此异质结构上已成功制造，泄漏电流低和抗性低。确实已经达到了4.5 kV的击穿电压，而现状泄漏电流确实已经达到0.1 µA/mm。这些结果表明，Algan-Channel Hemts对高功率，高温未来的应用有希望。
片上尖峰分类，有效的中位数...
摘要 - 我们提出了Lenzen，Fuegger，Kinali和Wiederhake的电压下垂校正电路的基于闩锁的无PLL设计[1]。这样的电路会动态修改VLSI系统的数字时钟的时钟频率。我们的电路在两个时钟周期内做出响应，并将同步器链的长度减半，而同步链的长度与先前的设计相比。此外，我们引入了一种基于差异传感器的设计，用于掩盖闩锁，以替代[1]所需的设计，但仍未指定。使用闩锁而不是阈值改变的触发器改变了我们设计的时序特性，因此伴随其设计伴随的正确性证明了我们在此处提出的修改。该设计已成功实施，在IHP 130 nm过程技术上。实验测量结果将在随后的出版物中讨论。
TMCS1127-Q1 AEC-Q100，250KHz Hall-hall效果电流传感器，具有加强隔离工作电压和环境场拒绝数据表
• AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to 125°C, T A • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design • High continuous current capability: 80A RMS • Robust reinforced isolation • High accuracy – Sensitivity error: ±0.4% – Sensitivity thermal drift: ±40ppm/°C – Sensitivity lifetime drift: ±0.2％ - 偏移误差：±0.7MV - 偏移热漂移：±10μV/°C - 偏移寿命漂移：±12mA - 非线性：±0.2％•±0.2％•对外部磁场的高度免疫力•快速响应•信号宽度 - 信号带宽 - 信号带宽 - 250kHz - 250kHz - 响应时间：1μs - 供应范围：110范围••BB•BIR•BIR•BID•BID•BID•BID•3VIR：3V•3 vir•3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v. 3 v。单向电流传感•多种灵敏度选项： - 从25mv/a到200mv/a•安全相关认证（计划） - UL 1577组件识别计划 - IEC/CB 62368-1
低电压电子显微镜，用于表征与基因治疗应用的腺相关病毒（AAV）
raav对于基因替代疗法至关重要，将功能基因传递给靶向组织。低电压电子显微镜（LVEM）为有效分析AAV Capsids的结构和质量提供了重要的潜力。基因治疗旨在通过将基因的功能拷贝传递给靶向组织，通常使用诸如AAV之类的病毒矢量来纠正遗传缺陷。这些矢量由封装治疗基因的27 nm直径capsid组成。电子显微镜，包括低温透射电子显微镜（Cryo-TEM），通常用于分析这些病毒颗粒。但是，这些方法通常具有挑战性，需要大型且昂贵的专业设备和条件。