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下一代约瑟夫森电压标准的纳米技术...
图 4. 1 cm × cm NIST 1 V 可编程电压标准芯片。微波通过左侧的四条共面波导线发射到芯片上。底部和右侧的焊盘用于每个阵列的直流偏置线。每个阵列有 8 个 4096 个结点的阵列。底部阵列分为 2048、1024、512、256 的二进制序列和两个 128 个结点的阵列。
断路器和低压电器 - ABB
(E) I1=0.4-1 英寸 (E) I1=0.18-1 英寸 (DS) I1=0.4-1 英寸 (DS) (E) I1=0.4-1 英寸 (DS) (E) I1=0.4-1 英寸 (ME) (E) I1=0.4-1 英寸 (E) t1=3-18 秒 t=k/l2 (E) t1=3-18 秒 (DS) t1=3-12 秒 t=k/l2 (DS) (E) t1=3-18 秒 t=k/l2 (DS) (E) t1=3-144 秒 t=k/l2 (ME) (E) t1=3-144 秒 t=k/l2 (E) I2=0.6-10 英寸 (E) I2=0.6-10 英寸 (DS) I2=1-10 英寸(DS) (E) I2=0.6-10 英寸 (DS) (E) I2=0.6-10 英寸 (ME) (E) I2=0.6-10 英寸 (E) t2=0.05-0.5 秒 t=k/l2 或 t=k (E) t2=0.05-0.5 秒 t=k/l2 或 t=k (DS) t2=0.1-0.25 秒 t=k/l2 (DS) (E) t2=0.1-0.8 秒 t=k/l2 或 t=k (DS) (E) t2=0.1-0.8 秒 t=k/l2 或 t=k (ME) (E) t2=0.05-0.8 秒 t=k/l2 或 t=k (E) I3=1.5-12 英寸 (E) I3=1.5-12 英寸 (DS) I3=1-10 英寸 (DS) (E)I3=1.5-12 英寸 (DS) (E) I3=1.5-15 英寸 (ME) (E) I3=1,5-15 英寸 t3=瞬时 t=k t3=瞬时 t=k t3=瞬时 t=k t3=瞬时 t=k t3=瞬时 t=k t3=瞬时 t=k (E) I4=0.2-1 英寸 (E) I4=0.2-1 英寸 – – (DS) (E) I4=0.2-1 英寸 (ME) (E) I4=0.2-1 英寸
— 数字中压开关设备 - ABB
低压配电 ⎻ 低压开关设备 ⎻ 低压配电板 ⎻ 电子继电器与控制器 ⎻ 母线槽 ⎻ 电弧保护 ⎻ 低压电机控制中心 ⎻ 低压电源与照明面板 ⎻ 仪表、监控与信号
电压的能量变化的定量研究...
Mosey，A.，Dale，A。S.，Hao，G.，N'Diaye，A.，Dowben，P.A。，＆Cheng，R。（2020）。对电压控制的自旋跨界分子薄膜的能量变化的定量研究。《物理化学杂志》，11（19），8231-8237。 https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c02209
基于低压体驱动翻转电压跟随器的...
本文提出了一种低压高性能运算跨导放大器设计。所提出的架构基于体驱动准浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，支持低压操作并提高放大器的增益。除此之外，通过在输入对处使用翻转电压跟随器结构以及体驱动准浮栅 MOSFET，消除了运算跨导放大器 (OTA) 的尾电流源要求。与传统的体驱动架构相比，所提出的运算跨导放大器的直流 (DC) 增益增加了五倍，单位增益带宽增加了三倍。用于放大器设计的金属氧化物半导体 (MOS) 模型采用 0.18 微米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术，电源为 0.5 V。
L200 稳压器设计指南
集成稳压器电路的引入大大简化了电源设计工作。电源所需的稳压和保护电路以前使用分立元件实现，现在集成在单个芯片中。这大大节省了成本和空间，并提高了可靠性。如今，设计人员可以选择各种固定和可调、正负串联稳压器以及越来越多的开关稳压器。L200 是一种正可变电压稳压器，它包括一个电流限制器，可在 2.85 至 36 V 的电压下提供高达 2 A 的电流。输出电压由两个电阻固定，如果需要连续可变的输出电压，则由一个固定电阻和一个可变电阻固定。最大输出电流由一个低值电阻固定。该设备具有与普通固定稳压器相同的所有特性，这些特性在数据表中进行了描述。L200 特别适用于需要输出电压变化的应用，或者需要标准稳压器未提供的电压的应用，或者必须对输出电流进行特殊限制的应用。 L200 有两种封装： Pentawatt - 易于组装且可靠性高。保证热阻 (R th j-case) 为 3 °C/W（通常为 2 °C/W），而如果设备不使用散热器，我们可以考虑保证结-环境热阻为 50 °C/W。 TO-3 - 适用于专业和军事用途或需要良好密封性的场合。保证结-外壳热阻为 4 °C/W，而结-环境热阻为 35 °C/W。此封装的结-外壳热阻大于 Pentawatt 的结-外壳热阻，为
数据表：ZCS低压电池
*为了确保最高性能，建议在15°C和40°C之间的受控温度环境中安装（低于15°C以下电池，电池通过限制充电电流和低于0°C的电池停止充电来保护自己电池的条件以及电池连接的逆变器。请参阅逆变器数据表，以进行实际充电和排放电流
