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CMOS 数字隔离器取代工业光耦合器...
CMOS 数字隔离器的基本操作类似于光耦合器，只是使用 RF 载波代替光（图 1b）。CMOS 数字隔离器由两个相同的半导体芯片组成，它们在标准 IC 封装内连接在一起，形成由差分电容隔离屏障隔开的 RF 发射器和接收器。数据使用简单的开关键控 (OOK) 从输入传输到输出。当 VIN 为高电平时，发射器生成 RF 载波，该载波通过隔离屏障传播到接收器。当检测到足够的带内载波能量时，接收器在 VOUT 上断言逻辑 1。当 VIN 为低电平时，发射器被禁用，并且不存在载波。因此，接收器未检测到带内载波能量并将 VOUT 驱动为低电平。
电流镜：一般定义和属性
1. V in 应几乎恒定且尽可能小 2. 理想函数应保持到非常小的 Vout 值。最小 V out 值用 V MIN 表示 3. 当 V out >V MIN 时，I out 对 V out 的依赖性必须尽可能小。
PIR 运动传感器 - Comet Electronics
注 1）总电流消耗等于待机模式下的电流消耗（Iw）加上检测期间的输出电流（Iout）。对于 1μA 类型，请注意睡眠模式下的平均电流消耗为 1μA，待机模式下的平均电流消耗为 1.9μA。另请参阅时序图。注 2）请根据 Vout 选择输出电阻（下拉概念），使输出电流低于或等于 100μA。如果输出电流超过 100μA，可能会导致误报。注 3）传感器温度必须在指定时间内保持恒定。
MSK5978RH 和 MSK5980RH 评估板用户的...
当 MSK5978RH 和 MSK5980RH 采用双电源供电时。将输出负载连接在 VOUT 和 GND 端子之间。使用单独的或开尔文连接来连接输入和输出监控设备。当使用示波器探头测量输出电压时，从探头到接地夹的导线将充当天线，拾取过多的噪声。为了获得更好的结果，应将测试钩从探头尖端移除。尖端应接触输出转盘，将裸露的接地屏蔽压在接地转盘上。这可以减少外部源引起的噪声。请参阅数据表中的典型性能特性曲线，了解各种条件下的预期压差、CTL 引脚电压和电流要求。
BSV - m3、m6、m8 - RS Components
< 概述 > 电容器经过仔细测试，在实际电路条件下，Vout 在 Ra=open 时为 3.3V。当将输出电压调整为 3.3V 时，元件布置和操作。在这种情况下，请连接 Ra 或以下的数量。当 RC 引脚连接到 SG 引脚时，负载电路和转换器将停止指定的陶瓷电容器数量，而当它打开时，转换器将启动设备无法减少。因此请务必安装高频操作。不使用开/关控制时，请保持 RC 引脚打开。请根据负载电路去耦陶瓷电容器，并参考有关其他功能（如调整设备说明）的其他页面。建议使用总容量为 500µF 或低于输出电压的负载电容器、远程开/关等。注意： - 对于此转换器，无法进行输出并联操作。- 请确保输入和<调整输出电压>
MSK5980RH
除非另有说明， 1输出使用220µF触觉低ESR电容器将其分解至地面上。 （见图1）2通过设计保证，但未测试。 典型参数代表实际设备性能，但仅供参考。 3个工业级设备应测试到子组1，除非另有说明。 4类H，K设备应100％测试到亚组1,2和3。。 5亚组1 t a = t c = +25°C亚组2 t a = t c = +125°C子组3 t t a = t c = -55°C 6在测试线调控时经过验证的最小负载电流。 7相对于VOUT测量电压。 8引用当前极限典型性能曲线，用于输入到输出电压差分经文电流功能。 9在绝对最大评级下的连续操作可能会对设备性能和/或生命周期产生不利影响。 除非另有说明， 10在25°C下的辐射限度（Si）tid在25°C时是相同的。1输出使用220µF触觉低ESR电容器将其分解至地面上。（见图1）2通过设计保证，但未测试。典型参数代表实际设备性能，但仅供参考。3个工业级设备应测试到子组1，除非另有说明。4类H，K设备应100％测试到亚组1,2和3。5亚组1 t a = t c = +25°C亚组2 t a = t c = +125°C子组3 t t a = t c = -55°C 6在测试线调控时经过验证的最小负载电流。7相对于VOUT测量电压。8引用当前极限典型性能曲线，用于输入到输出电压差分经文电流功能。9在绝对最大评级下的连续操作可能会对设备性能和/或生命周期产生不利影响。10在25°C下的辐射限度（Si）tid在25°C时是相同的。10在25°C下的辐射限度（Si）tid在25°C时是相同的。