XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemVrms
DNA/DNR/DNF-AI-222
2 线 ±0.8 °C / ±1.6 °C ±0.2 Ω / ±0.4 Ω ±0.4 Ω / ±0.8 Ω ±0.8 Ω / ±1.6 Ω ±0.8 Ω ±0.08% / ±1% 读数 激励电流 50 µA 典型值（所有范围） 电阻范围 0 – 40,000 Ω 通用 A/D 规格 增益误差 ±0.005 %（典型值） 输入 INL 误差 6 ppm 典型值，15 ppm 最大值 输入阻抗 >5000 MΩ 抗混叠滤波 @47.6% 采样率，~100 dB/十倍频 50/60/400 Hz 陷波滤波 >70 dB，采样率为 19.7 Hz 或更低 通道间串扰 < 0.03 Ω 或 0.08 °C，使用 100 Ω PT RTD 隔离 350 Vrms，通道间和通道间过压保护 -15 V 至 +15 V（电源开启或关闭时，电流必须限制在 ±20 mA） 功耗 最大 4 W 工作温度（经测试） -40 °C 至 +85 °C 工作湿度 95%，无凝结 振动 IEC 60068-2-6 IEC 60068-2-64 5 g，10–500 Hz，正弦 5 g (rms)，10–500Hz，宽带随机
MRI 3T机器
i）应具有具有良好场地稳定性的主动屏蔽，外部干扰屏蔽。场稳定的加班应为<或等于0.2 ppm/hr。（ii）提及RF操作频率和场漂移。c）同质性（i）应提供最佳同质性。在10 cm，20 cm，30 cm和40 cm DSV的VRMS中指定同质性，最大。可以用引用的扫描仪来实现。（ii）对于单素体素和CSI光谱应该非常好。指定值。（iii）请在40 cm FOV（保证同质性）处指定同质性。（iv）请指定保持哪些FOV梯度线性。（v）幻影中的自动弹跳应优于40 dsv中的0.55ppm。d）磁铁孔（i）70厘米或更多的磁铁孔直径，梯度，垫片和射频线圈用耀斑定位后。（ii）生理信号，线圈连接和表调整应显示在磁铁的龙门上e）主动屏蔽/条纹场 div>
MRI 3T机器
i）应具有具有良好场地稳定性的主动屏蔽，外部干扰屏蔽。场稳定的加班应为<或等于0.2 ppm/hr。（ii）提及RF操作频率和场漂移。c）同质性（i）应提供最佳同质性。在10 cm，20 cm，30 cm和40 cm DSV的VRMS中指定同质性，最大。可以用引用的扫描仪来实现。（ii）对于单素体素和CSI光谱应该非常好。指定值。（iii）请在40 cm FOV（保证同质性）处指定同质性。（iv）请指定保持哪些FOV梯度线性。（v）幻影中的自动弹跳应优于40 dsv中的0.55ppm。d）磁铁孔（i）70厘米或更多的磁铁孔直径，梯度，垫片和射频线圈用耀斑定位后。（ii）生理信号，线圈连接和表调整应显示在磁铁的龙门上e）主动屏蔽/条纹场 div>
DNA/DNR/DNF-MF-102
模拟输入 通道数 16 个单端或 8 个全差分 输入配置 多路复用 ADC 分辨率 18 位 采样率 每通道 2000 次/秒 高压模式 分辨率 准确度 (25°C 时) ±80 V 610 µV ±24 mV ±20 V 153 µV ±6 mV ±5 V 38.1 µV ±2.5 mV ±1.25V 9.54 µV ±700 µV 输入阻抗 > 1.13 MΩ Diff / 565 kΩ SE 输入失调电流 < 72 µA 过压保护 ± 100 Vdc 低压模式 分辨率 准确度 (25°C 时) ±10 V 76.3 µV ±2.5 mV ±2.5 V 19.1 µV ±300 µV ±0.625 V 4.77 µV ±170 µV ±0.156 V 1.19 µV ±115 µV 输入阻抗 > 10 MΩ 输入失调电流 ±1 nA 最大值，±0.5 nA 典型值 过压保护 ± 100 Vdc 共模抑制 100 dB 典型值（差分模式） 隔离 350 Vrms（模拟输入和输出共享一个接地）
基于180nm CMOS工艺的可配置4通道脑电信号采集模拟前端设计
摘要 – 本文提出了一种用于 EEG 信号记录的 4 通道模拟前端 (AFE) 电路。对于 EEG 记录系统，AFE 可以处理各种传感器输入，具有高输入阻抗、可调增益、低噪声和宽带宽。缓冲器或电流-电压转换器块 (BCV) 可设置为缓冲器或电流-电压转换器电路，位于 AFE 的电极和主放大器级之间，以实现高输入阻抗并与传感器信号类型配合使用。斩波电容耦合仪表放大器 (CCIA) 位于 BCV 之后，作为 AFE 的主放大器级，以降低输入参考噪声并平衡整个 AFE 系统的阻抗。可编程增益放大器 (PGA) 是 AFE 的第三级，允许调整 AFE 的总增益。建议的 AFE 工作频率范围为 0.5 Hz 至 2 kHz，输入阻抗大于 2 T Ω，采用 180nm CMOS 工艺构建和仿真。AFE 具有最低 100 dB CMRR 和 1.8 µVrms 的低输入参考噪声，可实现低噪声效率。该设计采用了 BCV 等新功能来增强输入多样性，与之前的研究相比，IRN 和 CMRR 系数表现出显着增强。可以使用该 AFE 系统获取 EEG 信号，这对于检测癫痫和癫痫发作非常有用。
Nitro ANV15-51（WIN11）规格（V8-0-8）
支持2048NVIDIA®CUDA®核心。•1155-1477 MHz提升时钟•实时射线跟踪•NVIDIA GEFORCE经验•NVIDIA ANSEL•NVIDIA•NVIDIA亮点•Nvidia Optimus技术•NVIDIA BowdateBoost•NVIDIA WHEPERMODE•NVIDIA WHESPERMODE•GAME REACH驱动程序•Microsoft®Directx®12api gpi，OpenGIA，Open GPU，•n.6 api•n.6 api•n.6 NVIDIA编码器（NVENC）音频•DTS®X：超音频，具有优化的低音，响度，扬声器保护，最多可通过智能放大器进行6种自定义内容模式•在Windows空间游戏中支持DTS许可的Windows空间声音，并具有DTS许可证的PC游戏声音，并具有超级启动型和内部的驱动程序和高级型号的速度和高级驾驶员•高高的SNR DAC•2.1 VRMS•高级DAC（2.1 VRM） 600欧姆）•acer纯化。麦克风中双重内置的AI降噪的Voice技术。功能包括远场拾音器，通过神经网络降低动态噪音，自适应束的形成以及预定的个人和电话会议模式。•与Cortana兼容的语音•Acer TrueHarmony技术，用于较低的失真，更广泛的频率范围，类似耳机的音频和功能强大的声音
双路隔离双向数字耦合器 (Rev. D) - Farnell
• 替代高性能光耦合器 • 数据速率：80 M 波特，典型值 ISO150 是 2 通道、电气隔离的数据耦合器，典型数据速率为 80M 波特。 • 低功耗：每通道 25 mW，每个通道都可以单独编程为在任一方向传输数据。 • 两个通道，每个通道都是双向的，数据通过高压 0.4 pF 电容器耦合互补脉冲跨隔离栅传输。接收器电路将脉冲恢复到标准逻辑电平。差分信号传输可抑制隔离模式电压瞬变 • 每通道低成本高达 1.6 kV/µ s • 采用 SO 封装 ISO150 避免了光耦合器常见的问题。光隔离耦合器需要高电流脉冲，并且必须考虑到 LED 老化。ISO150 的 Bi-CMOS 电路以每通道 25 mW 的功率运行 • A/D、D/A 转换的数字隔离。• 隔离的 RS-485 接口 ISO150 采用 SO-28 封装，规格为 • 多路复用数据传输，工作温度范围为 –40°C 至 85°C。• 隔离的并行到串行接口 • 测试设备 • 微处理器系统接口 • 隔离的线路接收器 • 接地环路消除
用于高效发电机和电机驱动器的并联路径磁技术
在 PPMT 电机中，转子类似于传统的可变磁阻电机 (VRM)。VRM 通常用于步进电机。与 VRM 一样，PPMT 电机的转子是高磁导率铁层压板，转子上没有线圈或磁铁。这就是它与 VRM 的相似之处。与 VRM 不同，PPMT 电机的定子部分包括永磁体。对于每对磁铁，定子上缠绕有两个线圈。在传统的 VRM 中，线圈缠绕在每个定子极上，电流流过这些线圈产生的磁通用于产生扭矩。在 PPMT 电机中，永磁体磁通加上负载电流产生的感应磁通相加产生轴扭矩。定子线圈切换的适当时机可优化扭矩。线圈提供磁通控制服务，在适当的时间将永磁体的磁通引导到适当的极点以产生扭矩。由于永磁通量产生的补充功率，所需的输入功率远低于传统电机产生每磅扭矩所需的功率。因此，PPMT 电机效率更高。PPMT 电机在连续工作应用中具有出色的性能。与传统电机的连续工作额定值相比，PPMT 电机比任何传统设计都更轻、更小、效率更高。
DNA/DNR-AI-224
输入 通道数 4，同时采样 配置 全桥、半桥或四分之一桥 分辨率 18 位 输入范围†见下表。 采样率 100 kSamples/sec（最大板速率 400 kS/s） 精度 积分非线性±0.0015% 偏移误差@25°C，G=2 0.0005% 典型值 增益误差@25°C，G=2 0.003% 典型值 偏移漂移/°C 2ppm 典型值 / 10ppm 最大 增益漂移/°Cz 2ppm 典型值 / 10ppm 最大 整体误差<250µV 桥接电阻120、350 或 1000 Ohm 抗混叠滤波器* 自动，72 dB 最小抑制 输入阻抗10 MegOhm，最小 激励输出 通道数每通道两个（P+、P-），可独立编程 输出电压0 至±10 Vdc（每个输出）； 20Vdc 差分跨度 分辨率 16 位 输出驱动电流 50 mA，最大值 输出误差 ± 5 mV，最大值，测量精度与模拟输入相同 分流校准**（见下页注释） 分流范围 6.7 k 至 170k Ohm（拉力或压力）内部。还提供两个用于用户提供的分流电阻的连接。 分流分辨率 ~1.1 kOhm 分流读回精度** 返回读数的 ±0.02% 自动桥零位/平衡 零位/平衡范围 19 位分辨率 @ ±10V（自动零位 1 mV 最大值） 通用规格 电气隔离 350 Vrms，通道到通道和通道到底盘 工作温度 经测试 -40 °C 至 +85 °C 振动 IEC 60068-2-6 IEC 60068-2-64