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阿根廷经济部长路易斯·卡普托发言
我们正处于一个关键时刻，全球经济显示出明显的复苏迹象，增长温和但稳定，通胀缓慢下降，这表明世界在经历了多年的经济动荡后正接近“软着陆”。然而，大多数发展中国家面临的现实情况不同，因为增长率大多仍低于疫情前的水平，不足以实现关键的发展目标。我们面临的挑战是深刻的，四分之一的发展中经济体仍在受到疫情影响，大多数经济体的增长速度预计将低于前十年。全球高利率加剧了这种情况，给本已有限的财政空间带来压力，阻碍了推动经济增长的投资。一些经济体表现出了复苏和持续增长的迹象，这给我们带来了一线希望。但增长率仍然太慢，无法取得进展，拉丁美洲尤其如此，在极端天气事件和区域内移民日益频繁的背景下，拉丁美洲受到结构性挑战的制约，特别是生产力下降、资本积累低下和私营部门投资减弱。在此背景下，世界银行集团 (WBG) 发挥着关键作用，因为其资金和技术支持对于我们应对这些挑战和解决艰难改革的需求至关重要，以避免陷入复苏和增长缓慢的道路。拉丁美洲拥有地球上 40% 的生物多样性，并具有全球能源转型的关键潜力，因此，世界银行集团不仅要继续，而且要扩大其在该地区的活动，作为其努力恢复其在支持中等收入国家 (MIC) 和高收入国家 (HIC) 方面的相关性的一部分。相关性不仅意味着成为首选的发展伙伴，还意味着参与日益雄心勃勃、影响深远的项目，这些项目将增强世界银行集团的投资组合，完全符合其愿景，并为其使命的实现做出重大贡献。我们认为这种方法是世界银行集团以结果为导向、以影响为导向和面向未来的一个组成部分。本着这种精神，我们期待世界银行集团扩大和加强与我们国家的合作。我们承认并赞赏 DC 文件全面、均衡地记录了自春季会议以来的审议、协议和成就。该文件反映了在多个方面同时取得进展的出色工作。然而，其中一些问题值得更深入的考虑和讨论。人们往往忽视了世界上 60% 以上的极端贫困人口生活在中等收入国家，而消除贫困的最大隐性挑战之一在于解决这些国家内部的严重不平等问题。因此，我们坚决支持制定世界银行集团中等收入国家战略的决定。我们期望这一战略包括提高生产力、支持能源获取和转型、林业和营养、促进新兴产业和创业、创新和就业等行动，
实验证明了1.2 kV的沟槽簇状隔热栅极双极晶体管
硅IGBT的开发一直以更高的功率效率和更高的当前处理能力来设计优化和降低电源转换器系统的成本。在过去的三十年中，通过引入沟槽几何学[1]，野外停机（FS）技术[2]和注射增强（IE）效应来取得重大进展。但是，在州绩效，切换频率和长期可靠性方面的进一步改善变得难以实现。这是因为动态雪崩（DA）在限制高电流密度操作能力方面起着关键因素[4-7]。要打破常规IGBT的基本限制，并保持与宽带差距（WBG）功率设备的竞争力，必须以可靠的方式实施创新的硅技术，以实现自由运营和显着降低功率损失，同时与WBG替代品相比保持硅的成本竞争力。这是因为无DA的操作可以降低门电阻，从而降低开关损耗并提高可靠性。沟槽簇的IGBT（TCIGBT）是唯一到目前为止已实验证明的无DA的解决方案[7-11]。其自晶状功能和PMOS操作可有效地管理沟槽门下的峰值电场分布。此外，即使将NPT-TCIGBT与FS-IGBT进行比较，固有的晶闸管操作也会提供更低的状态损失[10，11]。因此，TCIGBT提供了一种高度有希望的解决方案，可以超越当前IGBT技术的限制。
自动化 RF PA 设备制造以加速 5G...
在5G时代之前，硅基横向双扩散金属氧化物半导体（Si-LDMOS）是4G LTE射频功率放大器市场的主流方案，目前已基本成为主流，技术成熟度较高。传统Si-LDMOS在3.5GHz以下频率表现良好，但无法满足5G应用对更高频率的要求。砷化镓（GaAs）应用工作频率主要在8GHz以内，适用于5G基站的中低功率器件。在高功率射频应用中，氮化镓（GaN）优势明显，是5G宏站的必备材料。GaAs和GaN凭借更优的功率系统效率、性能和成本，有望取代硅成为功率开关技术的支柱。作为宽带隙（WBG）半导体材料，GaAs和GaN器件的效率均高于Si。 GaAs/GaN 器件正在取代 5G 基站、雷达和航空电子设备以及其他宽带应用中的 Si-LDMOS 器件。在未来的网络设计中，由于物理特性的限制，GaAs/GaN 和其他 WBG 材料将取代大多数现有的 Si-LDMOS 器件 [1]。一般来说，5G 基站将采用基于 GaAs/GaN 的 PA 来实现更高的频率，而 Si-LDMOS 仍将只是其中的一部分，用于较低频率
先进包装设计（Keystone 项目 1）
• 设计路径必须显示性能优于基线模块，同时允许共同设计电气、热、机械和成本约束（而不是传统的线性设计工作流程）。• NREL 正在与 ORNL 和行业合作伙伴密切合作，以评估基于 WBG 的牵引逆变器的新封装材料和制造技术。o 杜邦公司的聚酰亚胺材料（Temprion 电绝缘膜）已以有机直接键合铜 (ODBC) 基板的形式进行评估，作为可在更高温度下工作的陶瓷基板的替代品。
瑞典国际发展署对世界银行集团的支持，2022 年
不断发展的世界银行集团 2022 年，世界银行集团启动了一项名为“不断发展的银行”的内部改革进程，管理层于同年 12 月提出了路线图。其目的是找到一种方法来更好地应对当今的发展挑战，包括贫困和不平等加剧，以及气候变化、流行病和冲突与暴力增多等全球挑战。瑞典外交部和财政部负有代表瑞典参与这一进程的总体责任，而瑞典国际开发署则利用其专业知识做出贡献。
电力电子设备的未来趋势
DOI: 10.5281/zenodo.3591592 CZU 62-83:621.38 电力电子设备的未来趋势 Titu-Marius I. Băjenescu，ORCID ID：0000-0002-9371-6766 瑞士技术协会，瑞士电子集团 tmbajenesco@gmail.com 收稿日期：2019 年 10 月 16 日 接受日期：2019 年 2 月 12 日 摘要。半导体技术的最新进步以及电力电子器件在电能不同领域（特别是航空、运输和配电网络应用）日益增长的需求，对高频、高电压、高温和高电流密度等新规范提出了要求。所有这些都促进了电力设备的强劲发展。为此，应开发低电阻率薄膜的分离技术以及厚膜生长技术，包括绝缘晶片上的热丝 CVD。本文概述了半导体制造的发展、当前应用和前景。关键词：GaN、SiC、Si vs SiC、IGBT、MOSFET、HEMT、HFET、FET、金刚石功率器件。简介半导体的历史悠久而复杂。表 1 显示了功率半导体器件发展的时间表。在 1950 年代，晶闸管或可控硅整流器 (SCR) 是数百伏固态电力电子的唯一选择。随着技术的进一步发展，JFET、功率 MOSFET 和 IGBT 等新器件问世，它们的性能得到了极大提高，额定电压和电流也更高。现在，在 21 世纪，宽带隙 (WBG) 半导体是高性能电力电子趋势中的最新产品。电力电子技术是一项复杂的跨学科技术，从事该领域的研究需要具备电气工程及其他领域的综合背景。器件研究极其重要，因为该领域的发展从根本上引发了现代电力电子革命。目前硅和宽带隙 (WBG) 功率半导体（图 1、2、3、4）的研发趋势将持续下去，直到功率器件特性和额定值得到显著改善，接近理想的转换。自宽带隙电力电子技术问世以来，器件评论迎来了第二波流行，涵盖了 SiC、GaN 等材料，也许还包括钻石（但程度较小）。很明显，在不久的将来，SiC（而不是 GaN）将成为所选市场的主要 WBG 功率器件材料。宽带隙半导体是半导体材料的一个子类，其带隙大于 Si，通常在 2 到 4 电子伏 (eV) 之间。
印度理工学院Roorkee
a）EEL-543：事实设备B）EEL-634：EEL-EV C）EEL-635的高功率转换器：电力电子系统的数字实施d）EEL-641：MicroController-641：微控制器及其在功率转换器上的应用及其在电源转换器上的应用EEL-643 E）EEL-643：EEL-648：EEL WISTER 50 EEL WIDES EEL WIDES EEL-648：EEL-648：EEL-648：EEL-648：EEL-648：EEL-648：电源H）EEL-651：电源质量改进技术I）EEL-655：特殊机器J）EEL-506：电源转换器的数学建模和控制器k）EEL-673：基于WBG设备的电力转换器的设计L）EET-501：现代运输系统的电动驱动器
俄罗斯副总理阿列克谢·奥弗丘克发表声明......
关于全球经济和俄罗斯 全球经济增长仍不足以应对紧迫的全球挑战。此外，经济增长仍然不平衡，地区差异很大。新兴市场和发展中经济体 (EMDE)，特别是低收入国家，面临发达经济体央行政策紧缩的严重影响。这导致货币贬值、资本外流、借贷成本上升、财政空间受限以及债务偿还负担增加。尽管面临这些挑战以及对俄罗斯实施单方面非法制裁的影响，但俄罗斯经济仍然保持韧性。在强劲的消费支出和通过进口替代实现的国内生产的推动下，GDP 增长率预计将超过去年的增长率，达到 3.9%。根据关于俄罗斯到 2030 年以及到 2036 年的发展目标的行政命令，我们的战略侧重于人力资本、技术和可持续经济发展等关键优先事项——这是保持俄罗斯高收入国家地位的关键要素。我们政策的近期成果包括人均国民总收入大幅增加，按购买力平价计算，俄罗斯已成为世界第四大经济体，这凸显了我们长期战略的成功和对可持续增长的承诺。我们预计，俄罗斯的经济增长将通过各种经济渠道对邻国和主要贸易伙伴产生积极的溢出效应。关于世界银行集团的非政治性职责，银行的采购过程必须完全排除政治化。银行应只关注经济理性，确保各国公司都有平等的参与权利。在任何情况下，银行工作人员或管理层都不得干预，为任何参与者设置人为障碍。任何此类参与都必须披露并公开讨论，以避免声誉风险并维护银行的透明度。正如世界银行的《章程》所规定的那样，世界银行集团的非政治性仍然是该机构的一项基本原则。然而，近年来，世界银行在业务的各个方面都出现了日益政治化的趋势，包括分析报告、项目文件、活动和 G4 签证发放流程。关于向俄罗斯国民发放签证虽然发放签证不直接属于世界银行集团的权力，但该机构有责任保障员工的福利并确保公平待遇。签证延期，特别是对于经常面临一年以上等待的俄罗斯国民，阻碍了职业发展并造成了不必要的障碍。这种情况与我们的核心价值观不符，不应成为