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第 23 章：晶圆级封装 (WLP)
范围和章节大纲 本章旨在简要概述晶圆级封装 (WLP)，包括晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 和扇出型封装，作为这些技术未来发展路线图的背景。本文并非旨在提供详细的历史，也不是与这些技术相关的所有可能的结构、工艺和材料的详细描述。在有关该主题的各种文章和书籍中可以找到更详细的信息。本章试图回顾 WLP 技术迄今为止的发展，并预测未来的需求和挑战。 晶圆级封装是指在晶圆仍为晶圆时对芯片进行封装，可以单独封装，也可以与其他芯片或其他组件（例如分立无源器件）或功能组件（例如微机电系统 (MEMS) 或射频 (RF) 滤波器）组合封装。这允许使用异构集成进行晶圆级和面板级封装。尽管从定义上讲，WLP 历来都是使用直径为 200 毫米或 300 毫米的圆形晶圆格式生产的，但多家供应商正在将类似的制造方法扩展到矩形面板格式。这将允许不仅在晶圆级基础设施（晶圆级封装，或 WLP）上制造异构封装，而且还可以在面板级基础设施（面板级封装，或 PLP）上制造异构封装。本章将包括异构集成路线图 (HIR) 的 WLP 和 PLP 格式。本章分为 7 个部分：1. 执行摘要 2. 晶圆级封装的市场驱动因素和应用 3. 晶圆级封装概述：技术、集成、发展和关键参与者 4. 技术挑战 5. 供应链活动和注意事项 6. 总结、最终结论和致谢 7. 参考文献
eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）封装的板级可靠性改进
在减小移动设备外形尺寸和增加功能集成度方面，晶圆级封装 (WLP) 是一种极具吸引力的封装解决方案，与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出型 WLP (FOWLP) 的进步，与扇入型 WLP 相比，它是一种更优化、更有前景的解决方案，因为它可以在设计更多输入/输出 (I/O) 数量、多芯片、异构集成和三维 (3D) 系统级封装 (SiP) 方面提供更大的灵活性。嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 是一种扇出型 WLP，可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用，因为它有可能以经过验证的制造能力和生产良率发展为各种配置。eWLB 是一种关键的先进封装，因为它具有更高的 I/O 密度、工艺灵活性和集成能力。它有助于在一个封装中垂直和水平地集成多个芯片，而无需使用基板。结构设计和材料选择对工艺良率和长期可靠性的影响越来越重要，因此有必要全面研究影响可靠性的关键设计因素。
改进的从水中浸出铀和钍的方法……
摘要 近年来，锕系元素可迁移分数在污染场地风险评估中的重要性日益增加。了解238 U和232 Th在放射性废物上的吸附动力学和吸附过程的热力学对于理解它们的迁移率非常重要。本研究研究了莱纳斯先进材料厂水浸净化 (WLP) 残渣中 238 U和232 Th 的浸出过程，采用合成沉淀浸出程序与间歇法相结合的方式，模拟酸雨和严重水灾，获得了最佳浸出条件。研究了WLP 残渣中 238 U和232 Th 的初始浓度，以及在不同pH值和接触时间下238 U和232 Th 的浓度。结果表明，WLP 残渣中 238 U和232 Th的初始浓度分别为 6.6 和 206.1 mg/kg。总体而言，238 U 和 232 Th 浸出过程后浓度的最高值分别为 0.363 和 8.288 mg/kg。这些结果表明，在 pH 为 4 且接触时间相同（14 天）的情况下，238 U 和 232 Th 的最大再迁移潜力。在类似的持续时间内，238 U 和 232 Th 的最大浸出百分比分别为 5.50% 和 3.99%。此外，在 pH 为 7 时，238 U 和 232 Th 的最小浸出百分比分别为 4.7% 和 3.61%。因此，238 U 和 232 Th 的再迁移表明，浸出速率受所用浸出剂的 pH 值影响。 238 U 和 232 Th 的最大浓度是在 pH 值较低（例如 pH 4）时获得的。在 pH 值为 7 和 8 时，238 U 和 232 Th 的浸出量最小。因此，结合 SPLP 和批量方法对于估计 WLP 残渣中 232 Th 和 238 U 的浸出和再动员是可行的。组合方法可能有助于环境研究中的监测和风险评估。关键词：浸出、WLP 残渣、铀、钍
Wolverhampton.gov.uk主要文档出版物...
1.5 WLP规定了Wolverhampton以及整个Wolverhampton的住房和就业分配的战略政策，除了Wolverhampton市中心。WLP与Wolverhampton的非战略政策一起坐在Wolverhampton统一开发计划（2006年）中提供的部分，以及Bilston走廊，Stafford Road走廊和Wolverhampton市中心的区域行动计划。这些开发计划文件中的政策（以及Tettenhall和Heathfield Park的邻里计划中的国家政策和政策）提供了一套规则，对Wolverhampton的规划申请进行了评估。对Wolverhampton市中心地区行动计划的未来审查将为Wolverhampton市中心提供最新的开发分配。
2.5D/3D 封装和异构集成的技术趋势 Masaya Kawano 新加坡 A*STAR 微电子研究所，kawanom@ime.a-st
除了使用有机基板封装外，为了克服尺寸限制，人们还提出了新的封装技术并将其应用于半导体产品。晶圆级封装 (WLP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 的开发是为了通过采用晶圆工艺而不是基于层压的工艺来进一步缩小封装尺寸。对于亚微米互连，还提出了通过 Si 中介层 (TSI) 进行互连，并用于高密度 2.5D/3D 封装，其中 Cu BEOL 互连可用作再分布层 (RDL)。热压键合 (TCB) 目前用于 2.5D/3D 组装，然而，混合键合将是进一步缩小芯片连接尺寸的关键推动因素，这将在后面讨论。英飞凌于 2006 年提出了一种称为嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 的 FOWLP [1]，该技术于 2009 年转让给 STATS ChipPAC 进行批量生产。台积电开发了另一种类型的 FOWLP，称为
流感疫苗导致的肩袖撕裂和骨坏死
4. Yuen WLP、Loh SYJ、Wang DB。接种 mRNA COVID-19 疫苗后 SIRVA（与疫苗接种相关的肩部损伤）：病例讨论和文献综述。疫苗。2022 年 4 月 20 日；40(18):2546-2550。doi：10.1016/j.vaccine.2022.03.037。电子版 2022 年 3 月 21 日。PMID：35339304；PMCID：PMC8934720。
先进封装的当前趋势和挑战
注意：• 此饼形图代表所有先进封装平台（扇入/扇出 WLP、倒装芯片包括 2.5D/3D 和嵌入式芯片）的叠加。• 倒装芯片值作为总产能输入，扇入、扇出、3D 堆叠和嵌入式芯片作为总产量输入。• 客户未提供倒装芯片产量值 – 全球利用率约为产能的 85-90%。
汽车 eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）FOWLP 的板级可靠性
随着芯片尺寸的缩小，晶圆级封装 (WLP) 正成为一种有吸引力的封装技术，与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出晶圆级封装 (FOWLP) 设计的进步，这种先进技术已被证明是一种比扇入 WLP 更理想、更有前景的解决方案，因为它具有更大的设计灵活性，具有更多的输入/输出 (I/O) 和更好的热性能。此外，与倒装芯片封装相比，FOWLP 具有更短、更简单的互连，具有卓越的高频性能。eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）是一种 FOWLP，可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用。它还可能发展成各种配置，并基于超过 8 年的大批量生产，具有经过验证的产量和制造经验。本文讨论了 eWLB 在汽车应用中的强大板级可靠性性能方面的最新进展。将回顾一项实验设计 (DOE) 研究，该研究通过实验结果证明了改进的板内温度循环 (TCoB) 性能。我们计划进行多项 DOE 研究，并准备了测试载体，变量包括焊料材料、阻焊层开口/再分布层 (RDL) 设计的铜焊盘尺寸、铜 (Cu) RDL 厚度和凸块下金属化 (UBM) 以及印刷电路板 (PCB) 上的铜焊盘设计 (NSMD、SMD)。通过这些参数研究和 TCoB 可靠性测试，测试载体通过了 1000 次温度循环 (TC)。菊花链测试载体用于在行业标准测试条件下测试 TCoB 可靠性性能。
面板级封装翘曲变形实验研究
§ 全帧测量技术，几秒钟内即可测量表面形貌 § 高点密度，每次采集 500 万个 3D 点 § 可扩展，标准测量范围从 10x12x3 [mm] 到 400x500x50 [mm]，并可定制 得益于独特的设计，多尺度分析允许在一个热曲线中使用不同的放大倍数对同一物体进行多次采集。因此，可以研究不同尺度对变形的影响 [2] — 例如，同时研究 WLP 级和中心/外围芯片。因此，TDM 技术已被确定为一种适合执行 PLP 翘曲测量的工具：在室温下，在热曲线期间，研究重力效应。