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随脉冲数增加而呈现增加趋势,并表现出显著的光感应行为,随着光功率从0 mW增加到8 mW而稳步增强。这种依赖于功率的电导控制表明了对突触权重的光学可调性,预示着未来视觉神经应用的潜力。图4i展示了通过调制光功率对开关时间(施加单脉冲时设备电流稳定的时间)的有效控制。对于读取电压为1 V、幅度为5 V、脉冲宽度和间隔均为3 s的脉冲,在532 nm激发下,开关时间从约1.8 s减少到0.6 s。这暗示了光调制忆阻器在神经形态应用上的高级灵敏度。
摘要:慢性淋巴细胞白血病 (CLL) 是一种老年病,但实际年龄并不能准确区分个体间的虚弱状态。虚弱描述了一个人的整体适应力。由于 CLL 是一种压力很大的情况,因此有必要评估患者的虚弱程度,尤其是在开始抗肿瘤治疗之前。我们正处于靶向治疗的时代,这有助于更有效地控制疾病并避免化疗 (免疫) 治疗的毒性。然而,这些药物并非没有副作用,而且出现了其他不容忽视的方面,例如相互作用、先前的合并症或治疗依从性,因为大多数这些药物都是连续服用的。我们面临的挑战是以个性化的方式平衡毒性和疗效的风险,同时不要忘记 CLL 最常见的死亡原因与疾病有关。为此,综合老年评估 (GA) 为我们提供了评估可能影响治疗耐受性的多个领域的机会,这些领域可以通过适当的干预措施得到改善。在本综述中,我们将通过五个方面分析 GA 在 CLL 中的现状。
摘要:由于特性和维度的独特组合,研究了纳米级的各种应用,研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用,热传导起着重要作用。同时,这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里,我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合,以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的,这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷,并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是,这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度,以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD,而外部(ADATOM)缺陷的散射速率随着质量的增加而降低,以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比,我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理,如果不执行,则可能导致零频率限制的虚假贡献。
摘要:可以通过扭曲角度精确控制的空间变化带对齐和电子和孔定位的Moiré杂波,已经成为研究复杂量子现象的令人兴奋的平台。虽然大多数过渡金属二甲化元素(TMD)的异质分子具有II型带对齐,但引入I型带比对可以实现更强的轻度耦合和增强的辐射发射。在这里,我们通过第一原则GW和贝尔特萨蛋白方程(GW-BSE)的计算以及时间和角度解决的光发射光谱(TR-ARPES)测量的结合,与先前的理解相反,与先前的理解相反,MOSE 2 /WS 2杂波在大型型号和类型IS型构建型和同样的区域均与II的类型II型构建型和相似的区域相反。在不同的高对称区域中以小扭曲角度重建。在Tr-arpes中与我们的计算一致,仅在摩西2中观察到长寿命的电子种群,对于具有较大扭曲角的样品,而在具有小扭曲角的样品中,观察到来自两个不同长寿命的激子的信号。此外,尽管这两层的传导带几乎是堕落的,但仍未发生激发杂交,这表明先前观察到的这种材料中的吸收峰来自晶格的重建。我们的发现阐明了Mose 2 /ws 2异质结构中的复杂能量景观,其中I型和II型带对齐的共存为Moiré-Tonable可调光电设备打开了带有内在的侧面异质结的门。
二维(2D)过渡金属二北元化(TMD)是原子上薄的半导体,在整个可见光谱中具有有希望的光学应用。然而,它们本质上弱的光吸收和低光质量量子产率(PLQY)限制了它们的性能和潜在用途,尤其是在紫外线(UV)波长光范围内。衍生自2D材料(2D/QD)的量子点(QD)提供有效的光吸收和发射,可以调节能量的光波长。在这项研究中,我们通过与2D/QD的杂交(尤其是Ni-Tride MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE QD(TI 2 N MQD)和nitride nitride QD)(GCD)(GCD)(GCD)(GCNQ)(GCNQ)(gcnqd),通过杂交与2D/QD杂交在UV范围内大大增强了单层(1L)二硫键(WS 2)的光子吸收和PLQ。With the hybridization of MQD or GCNQD, 1L- WS 2 showed a maximum PL enhancement by 15 times with 300 nm wavelength excitation, while no noticeable enhance- ment was observed when the excitation photon energy was less than the bandgap of the QD, indicating that UV absorp- tion by the QD played a crucial role in enhancing the light emission of 1L-WS 2 in our 0D/2D混合系统。我们的发现提出了一种方便的方法,用于增强1L-WS 2的光响应到紫外线,并为使用1L-TMD收集紫外线能量提供令人兴奋的可能性。
jüstel/ neitzel-grieshammer 6 CIW.2.0062.0.P粒子技术WS Salameh 6 Itb.2.0096.0.p项目管理WS Guderian 6 Itb.2.0120.0.P涂料技术Gregor 6 Phy.2.0138.0。图像处理ws ws Wers 6 Phy.2.0139.0集成设备WS Vogelbacher/ Gregor 6 Phy.2.0140.0。Laser Metrology (Großer Wahlbereich) Sose Gurevich 6 ITB.2.0164.0.P Laser Material Processing WS Gurevich 6 PHY.2.0059.0.V.1 Laser Physics WS Gurevich 6 ITB.2.0082.0.P Microscopy/Surface Science (Großer Wahlbereich) Sose Mertins 6 phy.2.0135.0。建模和仿真(GroßerWahlbereich)Sose Trinschek 6 Phy.2.0143.0。光学相干断层扫描WS Vogelbacher 6 Phy.2.0144.0。光子晶体和材料sose vogelbacher 6 Phy.2.0121.0.M量子传感器SOSE GREGOR/GLösekötter6 Itb.2.0112.0.P量子统计物理学(GroßerWahlbereich)
二维二硫键(WS 2)作为具有独特层依赖性电子和光电特性的半导体材料,在光电设备领域表现出了有希望的应用前景。晶圆尺度单层WS 2膜的制造目前是一个至关重要的挑战,可以推动其在高级晶体管和集成电路中的应用。化学蒸气沉积(CVD)是一种可行的技术,用于制造大面积,高质量的单层WS 2膜,但其生长过程的复杂性导致低生长效率和WS 2的薄膜质量不一致。为了指导实验性努力以减少WS 2中的晶界,从而提高了膜质量以提高电子性能和机械稳定性,本研究通过第一原则理论计算研究了CVD增长过程中WS 2的成核机制。通过将化学势视为关键变量,我们在不同的实验条件下分析了WS 2的生长能曲线。我们的发现表明,调节钨和硫的前体的温度或压力可以决定性地影响WS 2的成核速率。值得注意的是,成核速率在1250 K的钨源温度下达到峰值,而硫源温度的升高或压力降低可以抑制成核速率,从而增强单层WS 2的结晶度和均匀性。这些见解不仅为根据需要在实验中微调核定率提供了强大的理论基础,而且还提供了优化实验参数以完善单层WS 2膜的结晶度和均匀性的战略指导。这些进步有望在一系列高性能电子设备中加速WS 2材料的部署,这标志着材料科学和工业应用领域的显着迈步。
条款(6)偏离指控,与与WS卖方共同置于同一互连点的WS卖方的ESS应如下:i)i)该卖方应通过互连点的铅生成器或QCA为WS和ESS组件提供单独的时间表。ii)与WS组件相对应的偏差应与适用于WS卖方相同的速率,是根据本法规的第(4)条,是基于太阳能或风太阳资源的杂种的发电站; iii)与ESS组件相对应的偏差应与适用于本法规(5)条的独立ESS相同的速率。第(5)条的偏差指控,就独立的存储系统(ESS)而言,应与一般
教学•学士讲座 /研讨会:✓中东的政治经济学(研讨会)(也适合MA Powo)。WS✓中间政治经济学的定量方法(研讨会)。WS。•M.Sc.讲座 /研讨会:✓参照MENA(讲座)的经验发展经济学。WS。✓人口过渡,经济增长和政治稳定(研讨会)。