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MWSCAS-2024_征文通知.pdf
会议委员会联合主席 Neeraj Magotra 西新英格兰大学 neeraj.magotra@wne.edu Randy Geiger 爱荷华州立大学 r.geiger@ieee.org 技术程序委员会联合主席 Jose Silva-Martinez 德克萨斯 A&M 大学 jose-silva-martinez@tamu. edu Kourosh Rahmamai 西新英格兰大学 kourosh.rahnamai@wne.edu Robert Brennan 安森美半导体公司 Robert.Brennan@onsemi. com 财务 Robert (Bob) Alongi r.alongi@ieee.org 出版物 Stephen Adamshick 西新英格兰大学 stephen.adamshick@wne. edu 特别会议 Ayman Fayed 俄亥俄州立大学 fayed.1@osu.edu John Burke 西新英格兰大学 john.burke@wne.edu Sudipto Chakraborty IBM schakraborty@ibm.com Samuel Palermo 德州农工大学 spalermo@tamu.edu 教程 Gabriel Rincon-Mora 佐治亚理工学院 rincon-mora@gatech.edu Nicole McFarlane 田纳西大学 mcf@utk.edu
单片 3D 集成中高效可扩展的带扩展栅极的 MIV 晶体管（已在 MWSCAS 2023 中接受）
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制，因此需要加以解决。以前的研究集中于利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，所提出的 MIV 晶体管的漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件