所有Intelbras Future无线产品均可通过开放的网络管理协议实现基于WSM的有线无线一体化管理。WSM是基于下一代业务软件平台on-premise集中式软件的无线运营管理组件。具有良好的可扩展性,能够满足客户网络管理不断发展的需求。基于Web的管理系统为无线业务管理人员提供了简洁、友好的管理平台。配合on-premise集中式软件平台等组件,还可实现无线设备的面板管理、故障管理、性能监控、软件版本管理、配置文件管理、接入用户管理等功能,并可对网络中的其他设备进行统一管理,实现智能化的有线无线一体化管理。
在具有非常规条带结构的系统中诱导超导性是实现非常规超导性的有希望的AP。是涉及Weyl半法的单一界面或Josephson结构结构,这些结构预计将具有奇特的奇偶校验,潜在的拓扑,超导状态。这些期望在两个系统之间的界面上至关重要地依赖于电子状态的隧道。在这项研究中,我们通过量子隧道重新审视了反转WSM中诱导超导性的问题,将界面视为有效的潜在屏障。我们确定间隙函数在WSM中与Weyl Physics及其特性伴侣的条件。我们的模拟表明,低能电子状态的性质的不匹配导致半金属内超导性的迅速衰减。
保证经理、房地产设施经理、区域(服务)交付健康与安全顾问的保证经理、顶级预算持有人、总承包商、项目经理、基础设施经理和物业经理,负责国防部项目和物业管理工程服务(包括 EWC/WSM 的遗留工作)、授权人员(电气)、授权工程师(电气)等。
weyl semimetals(WSM)中的电荷密度波(CDW)已被证明会诱导一个外来的轴心绝缘相,其中CDW的滑动模式(Phason)充当动力轴承纤维,从而产生大型的正磁磁性[Wang等人。修订版b 87,161107(r)(2013); Roy等人,物理。修订版b 92,125141(2015); J. Gooth等人,自然575,315(2019)]。在这项工作中,我们预测动态应变会诱导由CDW覆盖的时间 - 反转 - (Tr-)不变的WSM中的散装轨道磁化。我们将这种效果称为“动态压电效应”(DPME)。与[J. Gooth等人,Nature 575,315(2019)],在这项工作中引入的DPME发生在散装组合中(即,在散装中的静态和空间均匀,并且不依赖于闪光,例如phason。通过研究低能效果理论和最小的紧密结合(TB)模型,我们发现DPME源自有效的山谷轴纤维,以将电磁体的ELD结合使用,以应变诱导的Pseudo-gauge-gauge-gauge-eLD。尤其是在先前作品中研究的压电效应的特征是2D浆果曲率,而DPME代表了源自Chern-Simons 3-Form的基本3D菌株效应的第一个例子。我们进一步发现,DPME在CDW顺序参数相位的临界值时具有不连续的变化。我们证明,当DPME中有跳跃时,系统的表面会经历拓扑量子相变(TQPT),而整体则保持不变。因此,dpme在trimiant weyl-cdw中提供了边界TQPT的大量标志。
近年来,外尔半金属(WSM)在固态研究中引起了广泛关注。它们的独特性质是由电子能带结构中导带和价带的单个接触点决定的,该结构具有线性电子色散。[1,2] 在这种所谓的外尔锥中,电子表现为无质量的准相对论费米子,并由狄拉克方程的相应解外尔方程描述。[3] 这些外尔节点总是以相反手性的成对出现,在动量空间中分开并由拓扑保护的表面态(费米弧)连接。 [4,5] 这种特殊的电子结构产生了许多材料特性,例如高电子迁移率、[6,7] 低温超导性、[8–10] 巨大的磁阻、[11,12] 强烈的异常霍尔效应、[7,11,13] 以及 Adler–Bell–Jackiw 异常。[14–17]
利用其电子结构的特性来观察独特的物理现象,例如手性[15–17]和轴引力异常、[18]圆形光电效应、[19–20]手性声波、[21–22]表面态增强的埃德尔斯坦效应[23]或最近提出的手性霍尔效应。[24]大多数这些效应的观察取决于是否可以轻松访问WSM的拓扑电子态。在这方面,抑制非拓扑(平凡)表面态以及修改费米能级位置以获得所需费米面拓扑的能力将允许充分揭示拓扑表面态对物理可观测量的作用,此外,还可以按需构造费米面以利用电、声或光可测输出。到目前为止,电子结构的多样性是通过探索不同的 WSM 实现的,但对同一材料中拓扑能带形状和大小的真正控制仍然难以实现,主要是因为缺乏自下而上的超高真空合成方法,无法控制表面终止和费米能级位置,例如通过掺杂或应变。需要克服这一挑战才能实现费米能级设计的韦尔半金属异质结构,从而产生大量新平台来探索基于拓扑的基本现象和设备应用。在这项工作中,我们展示了 I 型韦尔半金属 NbP 电子结构的两种显著修改,这得益于成功的外延薄膜生长合成路线。 [25] 首先,由于表面悬空键被有序磷终端饱和,NbP 的蝴蝶结状(平凡)表面态被完全抑制,表现为(√2×√2)表面重构。其次,通过用 Se 原子化学掺杂表面,费米能级发生约 + 0.3 eV(电子掺杂)的大幅偏移,同时保留了原始的 NbP 能带结构特征,从而首次在实验中可视化了远高于 Weyl 点的拓扑能带色散,并强调了通过分子束外延过程中的表面化学掺杂可以实现的大费米能级可调性。我们的工作为实现最近的理论提议开辟了可能性,例如依赖于纯拓扑
其电子结构的特性观察到独特的物理现象,例如手性[15-17]和轴向重力异常,[18]圆形光钙效应,[19-20]手性声波,[21-22]表面状态增强的Edelstein效应[23]或最近提出的Chiral Hall-Chiral Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-feff。[24]大多数这些效果的观察取决于WSM的拓扑结构是否可以轻松访问。In this regard, the ability to sup- press non-topological (trivial) surface states, as well as to modify the Fermi-level posi- tion to get a desired Fermi surface topology, would allow full access to unveil the role of topological surface states on physical observables, and, in addition, to construct on-demand Fermi-surfaces to harness electrical, acoustic or optical measurable outputs.到目前为止,通过探索不同的WSM来实现电子结构的多样性,但是对同一材料中拓扑带的形状和大小的真实控制仍然存在,这主要是由于缺乏自下而上的超高维库姆合成方法,从而可以控制表面终端和Fermi-Level的位置,以通过dopsing或Fermi-Level的位置来控制。需要克服这一挑战,以实现Fermi级工程的Weyl Semimetal异质结构,从而导致了众多的新型平台,以探索基于拓扑的基本质量和设备应用。在这项工作中,我们展示了I型Weyl Semimetal NBP的电子结构的两个引人注目的修改,它们由于成功的外延薄膜生长合成途径而变得可访问。[25]首先,由于有序的磷末期表面悬挂键的饱和,因此获得了NBP的弓形状(琐碎)表面状态的完全抑制,这表现在A(√2×2×√2)表面重构中。第二,通过化学对表面进行化学掺杂,fermi-Energy经历了大约 + 0.3 eV(电子掺杂)的实质转移,同时保留原始的NBP NBP的谱带特征,从而使拓扑范围的范围优点和点亮点能够达到较大的范围,从而实现了第一个实验性的视觉效果,并实现了范围的范围,并实现了范围的范围,并实现了范围的范围。分子束外延过程。我们的工作打开了实现最新理论建议的可能性,例如依赖纯拓扑>
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