XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemWSe
国防标准化研讨会 (WSE 023)
完成本课程后，学生应能够：1. 应用标准化文件（现有或新开发的）来满足用户的基本需求，为政府带来最佳价值。2. 陈述与国防部政策一致的基于绩效的要求。3. 应用促进使用商业产品和实践的技术。4. 利用市场研究修订或创建采购支持文件。目标受众：负责制定、审查、协调和管理国防部规范和标准或以其他方式支持国防部制定标准化决策的工程和采购人员。
在WSE 2 Qing Rao上单层石墨烯中自旋 - 轨耦合带的弹道传输光谱，1†Wun-Hao Kang，2†Hongxia Xue，1 Ziqing ye
Ballistic transport spectroscopy of spin-orbit-coupled bands in monolayer graphene on WSe 2 Qing Rao, 1 † Wun-Hao Kang, 2 † Hongxia Xue, 1 Ziqing Ye, 3 Xuemeng Feng, 3 Kenji Watanabe, 4 Takashi Taniguchi, 4 Ning Wang, 3 Ming-Hao Liu, 2 * and Dong-Keun Ki 1 * 1 Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China 2 Department of Physics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan 3 Department of Physics and Center for Quantum Materials, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon 999077, Hong Kong, China 4 National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tsukuba, 305-0044，日本伊巴拉基†同等贡献。*通讯作者。Email: minghao.liu@phys.ncku.edu.tw , dkki@hku.hk Van der Waals interactions with transition metal dichalcogenides was shown to induce strong spin-orbit coupling (SOC) in graphene, offering great promises to combine large experimental flexibility of graphene with unique tuning capabilities of the SOC that can rotate spin by moving electrons or vice versa.在这里，我们通过测量弹道横向磁聚焦在WSE 2上的石墨烯中探测SOC驱动的带和电子动力学。我们在第一个焦点峰中发现了清晰的分裂，其电荷密度和磁场的演变通过使用〜13 meV的SOC强度进行了很好的重现，而在第二个峰中没有分裂，这表明较强的Rashba Soc。在温度依赖测量中也发现了电子电子散射的可能抑制。我们的研究表明，利用石墨烯中发音的弹道电子运动的一种有趣的可能性。此外，我们发现Shubnikov-de Haas振荡的SOC强度约为3.4 MEV，这表明它探测了不同的电子动力学，要求新理论。
2025 年催化剂奖团队
Hassan Farah 2027 华尔街经济学会 生物医学工程 Moonhyung (Bruce) Lee 2025 华尔街经济学会 生物医学工程 Youran (Peggy) Li 2025 华尔街经济学会 生物医学工程 Derek Minn 2027 华尔街经济学会 生物医学工程 Ishir Sharma 2025 华尔街经济学会 生物医学工程 Sangmita Singh 2025 华尔街经济学会 生物医学工程 Shreya Tiwari 2027 华尔街经济学会 生物医学工程 用于深层皮肤靶向的冷冻疗法设备 Maanya Bajaj 2026 华尔街经济学会 生物医学工程 Harrsha Kumar 2025 华尔街经济学会 生物医学工程 Helen Wang 2026 华尔街经济学会 生物医学工程 Alana Yee 2026 华尔街经济学会 生物医学工程 Alice Yu 2026 华尔街经济学会 生物医学工程 MelaKnowMore：一种用于定量表征皮肤黑色素瘤的非侵入性设备
![arxiv：2402.12353v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年2月19日](/simg/g:\will\search\icon\source\f\f42fa929656ee3302d29d2a91c337f2322a17de9.webp)
arxiv：2402.12353v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年2月19日
Rashba自旋轨道耦合是一种典型的自旋相互作用，几乎在任何电子异质结构中都出现。在动量空间中其范式旋转纹理形成切向量矢量场。使用第一原理调查，我们证明在扭曲的同型和异性恋者中，Rashba耦合可能主要是径向，平行于动量。具体而言，我们研究了四个实验相关的结构：扭曲的双层石墨烯（GR），扭曲的双层WSE 2和扭曲的多层WSE 2/GR/WSE 2和WSE 2/GR/GR/GR/GR/WSE 2。我们表明，此类结构中的Rashba旋转轨道纹理可以通过电场控制，从而使其从径向调整为切线。这种自旋轨道工程对于设计新型的自旋荷尔格转换和自旋轨道扭矩方案以及控制范德华材料中的相关相位和超导性应该很有用。
新诊断的成年患者的自我保健做法...
基于WSE 2膜的抽象二维层次过渡金属二分元化元素具有有希望的纳米电子和光伏应用的特性。在这项工作中，WSE 2膜是通过硒化的DC启用W前体制备的。研究了WSE 2膜的结构，形态和光学特性的影响。在50°C的间隔下，硒化温度从350°C到450°C变化。使用X-Ray衍射法（XRD），原子力显微镜（AFM）和UV-VIS-NIR分光光度计研究了WSE 2的结构，形态和光学特性。XRD分析表明，所有WSE 2均为多晶，并且表现出C轴垂直和平行底物纹理的共存。在400°C下硒的样品表现出强（00𝑙）的类型 - 晶体方向的类型 - 垂直C-轴轴底物纹理 - 主导的晶体生长。AFM图像进一步揭示了在350°C和450°C下硒的样品的平行和垂直晶体方向的存在。光学测量表明，所有WSE 2样品都是透明的，由在约620 nm的波长处的激子峰组成。估计的带隙值在1.22 eV至1.37 eV的范围内，这比预期的要低一些 - W 5 O 14阶段的存在被认为是主要原因。关键字：过渡金属果酱，二维层次WSE 2膜，晶体
计算医学，次要
计算医学研究所（ICM）为CM的第一个教育计划提供了计算医学的本科生，反映了约翰·霍普金斯大学在这一领域的领导。像ICM一样，计算医学的本科生是综合和多学科的。在多个约翰·霍普金斯大学系和包括生物医学工程，计算机科学，电气和计算机工程，机械工程，应用数学和统计数据（WSE）（WSE）（WSE）的多个约翰霍普金斯大学系和学校（包括生物医学工程，计算机科学和计算机工程）（包括生物医学工程，计算机科学，电气和计算机工程）（包括生物医学工程，计算机科学和计算机工程）（WSE）的ICM核心教师；神经外科，急诊医学，医学以及心脏病学和健康科学信息学（SOM）；以及健康政策与管理（BSPH）。
纳米级
1.2 eV (间接、多层)，理论电子和空穴迁移率分别约为 250 和 270 cm 2 V − 1 s − 1。6 – 8 WSe 2 以其独特的物理性质为具有优异光电性能的多功能电子和光电子器件打开了大门。近年来，基于范德华 (vdW) 垂直异质结构或横向 p – n 异质结的新型人工结构在 WSe 2 光电器件应用中引起了极大的兴趣。9 – 14 例如，Jo 等人证明，通过三苯基膦 n 掺杂法显着提高了基于 WSe 2 /h-BN 的 p – n 异质结光电探测器的光响应度。 15 Guo 等人报道，由 p 型 WSe 2 和 n 型 ZnO 结合制成的 WSe 2 – ZnO p – n 异质结光电探测器在 405 nm 光照下表现出 4.83 × 10 3 AW − 1 的超高光响应度。16 Liu 等人报道，基于 WSe 2 – Bi 2 Te 3 p – n 异质结的光电探测器在 633 nm 光照下可产生约 210 μ s 的快速响应时间和约 20.5 AW − 1 的高光响应度。17
使用反射光谱估算WSE2层厚度，并基于波长与石墨烯进行比较
摘要：这项研究的目的是使用反射率光谱计算WSE 2层厚度，并使用Nemess 2D材料反射光谱使用NanoHub.org进行与石墨烯进行比较，该研究的数据被收集了。根据ClinicalCalc.com，将样品分为WSE2层的（n = 20），石墨烯层（n = 20）。在保持以下值的同时计算了总样本量：alpha误差阈值= 0.05，入学率= 0.1，95％置信区间= 80％，而G-power = 80％。使用SPSS软件通过独立样本测试进行比较。与石墨烯层（2.0669）相比，WSE 2层和石墨烯层的厚度具有统计学上的显着差异。WSE2层（3.4717）显示出更好的结果。与石墨烯层相比，WSE 2层具有更大的厚度。
h-BN 封装中的超低肖特基势垒...
图 1：(a) 具有铁磁触点的 h-BN 封装单层 WSe 2 隧道器件示意图 (b) 器件的光学显微镜图像。矩形部分（红色）表示封装结构；定义触点之前的封装样品的光学图像。(c) (顶部) 单层 WSe 2 相对于直接接触材料铂的能级图；(底部) 在有限偏压和超阈值栅极电压下的正向偏压条件下的漏源电流示意图。请注意，在我们的器件中，多数电荷载流子是空穴。围绕铁磁触点弯曲的能带未缩放。(d) 4.7K 下单层 WSe 2 的光致发光 (PL) 光谱仪（X o 表示中性激子峰）；（插图）同一单层 WSe 2 的室温 PL 光谱显示单层中集体激发的单个特征峰在 1.67 eV 处。