XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemWSe
数据分析师广告薪金R517 066 -Ewseta
请参阅附上数据分析师角色的完整详细职位描述。cvs和合格人员的认证资格必须转发至newRecruitment@ewseta.org.za，不迟于2025年3月17日的业务结束（即下午16:30）。查询可以通过010 109 3250或Mthenjwa Radebe致电Mthenjwar@ewseta.org.org.za。将不考虑截止日期后收到的申请。
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
报价请求（“rfq”）- EWSeta
推荐信是之前成功开展技能发展干预相关项目管理服务的证据。所做的工作必须包括项目启动、监控、报告和财务管理。（注意：推荐信不得超过 5 年前，以之前服务过的客户为抬头，并且至少应反映客户姓名、项目描述、开展年份、完成年份、可联系的推荐人姓名和联系方式）
COVID-19和大脑老化
了解哈伯德模型对于研究各种多体状态及其费尔米金和玻色子版本至关重要。最近，过渡金属二分元元素杂叶剂已成为模拟Hubbard模型丰富物理学的有前途的平台。在这项工作中，我们使用托有此杂种颗粒密度的WS 2 /WSE 2异核器设备探讨了费米子和玻色子种群之间的相互作用。我们分别通过电子掺杂和电子孔对的光学注射来独立调整费米子和骨气群。这使我们能够形成强烈相互作用的激子，这些激子在光致发光光谱中表现出很大的能量隙。通过观察激子强度的抑制抑制激子的抑制，而不是玻色子的弱相互作用气体的预期行为，这表明爆发剂的预期行为，这表明形成了玻体莫特绝缘子，进一步证实了激子的不可压缩性。我们使用包括相空间填充的两波段模型来解释我们的观察者。我们的系统提供了一种可控的方法，可以在广义的bose-fermi-Hubbard模型中探索量子多体效应。
新诊断的成年患者的自我保健做法...
基于WSE 2膜的抽象二维层次过渡金属二分元化元素具有有希望的纳米电子和光伏应用的特性。在这项工作中，WSE 2膜是通过硒化的DC启用W前体制备的。研究了WSE 2膜的结构，形态和光学特性的影响。在50°C的间隔下，硒化温度从350°C到450°C变化。使用X-Ray衍射法（XRD），原子力显微镜（AFM）和UV-VIS-NIR分光光度计研究了WSE 2的结构，形态和光学特性。XRD分析表明，所有WSE 2均为多晶，并且表现出C轴垂直和平行底物纹理的共存。在400°C下硒的样品表现出强（00𝑙）的类型 - 晶体方向的类型 - 垂直C-轴轴底物纹理 - 主导的晶体生长。AFM图像进一步揭示了在350°C和450°C下硒的样品的平行和垂直晶体方向的存在。光学测量表明，所有WSE 2样品都是透明的，由在约620 nm的波长处的激子峰组成。估计的带隙值在1.22 eV至1.37 eV的范围内，这比预期的要低一些 - W 5 O 14阶段的存在被认为是主要原因。关键字：过渡金属果酱，二维层次WSE 2膜，晶体
单层WSE2带有双轴应变调谐的上传感器的光致发光
摘要：机械应变可用于调整单层过渡金属二核苷（1L-TMD）的光学特性。在这里，从1l-wse 2薄片的上转换光致发光（UPL）用通过十字形弯曲和压痕法诱导的双轴应变调节。发现，随着施加的双轴应变从0％增加到0.51％，UPL的峰位置被大约24 nm红移。同时，对于在-157 MeV至-37 MeV之间的宽范围内的上转换能量差，UPL强度指数增加。在三种不同的激发波长为784 nm，800 nm和820 nm处的1L-WSE 2中，UPL发射在1L-WSE 2中观察到的线性和肌功率依赖性表示多音辅助的一photon photon UpConversion发射过程。1L-TMDS的应变依赖性UPL发射的结果铺平了光子上转换应用和光电设备进步的独特途径。
使用反射光谱估算WSE2层厚度，并基于波长与石墨烯进行比较
摘要：这项研究的目的是使用反射率光谱计算WSE 2层厚度，并使用Nemess 2D材料反射光谱使用NanoHub.org进行与石墨烯进行比较，该研究的数据被收集了。根据ClinicalCalc.com，将样品分为WSE2层的（n = 20），石墨烯层（n = 20）。在保持以下值的同时计算了总样本量：alpha误差阈值= 0.05，入学率= 0.1，95％置信区间= 80％，而G-power = 80％。使用SPSS软件通过独立样本测试进行比较。与石墨烯层（2.0669）相比，WSE 2层和石墨烯层的厚度具有统计学上的显着差异。WSE2层（3.4717）显示出更好的结果。与石墨烯层相比，WSE 2层具有更大的厚度。
fe3gate2/wse2/fe3gate2 van der wa der waals异质结构
磁性隧道连接点（MTJ）是非挥发性随机访问记忆（MRAM）技术的领先存储成分。1,2它由夹在两个磁层层之间的薄隧道屏障层组成，提供快速开关速度，高耐力和低功耗。3，随着大数据和物联网的不断增长，优化了MTJ的运营，以实现较低的能源消耗以获得高密度记忆，并且更快的数据处理变得至关重要。4一种有效且易于访问的方法来操纵MTJ，正在使用电场，该电场在铁磁/铁电力多性异质结构中实现。5 MTJ Spintronic设备的行为和性能受到异质结构之间的界面的显着影响。4因此，实现MTJ的高质量接口对于充分利用其功能并增强数据处理速度至关重要。二维（2D）范德华（VDW）磁铁的出现为结构VDW异质结构提供了有前途的途径，与原子尖锐的互相互相互相互相耦合，6 - 14，这使得它使IT可以探索MTJ Pertronic设备的新颖电子控制。4,15近年来，在全VDW MTJ中，在带有隧道屏障HBN，MOS 2和INSE的全VDW MTJ中，在自旋阀设备中进行了显着的前进。16 - 21个最近的研究在低温下通过VDW异质结构中的电子均值报道了TMR。23 - 2516然而，在室温下实现TMR操作的电气控制仍然是一个持续的挑战，迄今为止，VDW异质结构尚未实现室温可调TMR。永远，发现2D VDW铁磁（FM）金属Fe 3 Gate 2，22，其在室温高于室温（居里温度≈350 - 380 K）上表现出强烈的铁磁作用，并稳健的大型垂直磁性各向异性，可以打开VDW旋转器件中房间温度旋转操作的可能性。
在WSE 2 Qing Rao上单层石墨烯中自旋 - 轨耦合带的弹道传输光谱，1†Wun-Hao Kang，2†Hongxia Xue，1 Ziqing ye
Ballistic transport spectroscopy of spin-orbit-coupled bands in monolayer graphene on WSe 2 Qing Rao, 1 † Wun-Hao Kang, 2 † Hongxia Xue, 1 Ziqing Ye, 3 Xuemeng Feng, 3 Kenji Watanabe, 4 Takashi Taniguchi, 4 Ning Wang, 3 Ming-Hao Liu, 2 * and Dong-Keun Ki 1 * 1 Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China 2 Department of Physics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan 3 Department of Physics and Center for Quantum Materials, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon 999077, Hong Kong, China 4 National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tsukuba, 305-0044，日本伊巴拉基†同等贡献。*通讯作者。Email: minghao.liu@phys.ncku.edu.tw , dkki@hku.hk Van der Waals interactions with transition metal dichalcogenides was shown to induce strong spin-orbit coupling (SOC) in graphene, offering great promises to combine large experimental flexibility of graphene with unique tuning capabilities of the SOC that can rotate spin by moving electrons or vice versa.在这里，我们通过测量弹道横向磁聚焦在WSE 2上的石墨烯中探测SOC驱动的带和电子动力学。我们在第一个焦点峰中发现了清晰的分裂，其电荷密度和磁场的演变通过使用〜13 meV的SOC强度进行了很好的重现，而在第二个峰中没有分裂，这表明较强的Rashba Soc。在温度依赖测量中也发现了电子电子散射的可能抑制。我们的研究表明，利用石墨烯中发音的弹道电子运动的一种有趣的可能性。此外，我们发现Shubnikov-de Haas振荡的SOC强度约为3.4 MEV，这表明它探测了不同的电子动力学，要求新理论。