台积电 80% 以上的收入来自 300 毫米晶圆制造的芯片/管芯,台积电正在建造的所有新晶圆厂均基于 300 毫米晶圆技术。较新的汽车 MCU 已转向 300 毫米晶圆技术,但仍有许多汽车 MCU 使用 200 毫米晶圆技术。
除了兼容 FIMS 之外,SB300 FOSB 还具有模制晶圆支架,可在 FOSB 的整个使用寿命期间提供精确且永久的晶圆平面定位,从而在竞争中脱颖而出。这些固定的晶圆平面减少了更换侧柱的需要,侧柱不仅难以清洁,而且尺寸不稳定。这种不稳定性可能会导致重复使用的竞争 FOSB 出现设备错误。模制晶圆支架更容易、更高效地清洁,从而创造更好的晶圆环境,同时在行业现在要求的多次重复使用周期中也更具可重复性和可靠性。
为了确定基板的切口,XRD 用于精确测量布拉格角(衍射角)的变化,因为基板的旋转角度相对于入射的 X 射线束会发生变化。如果布拉格角随基板的旋转角度而变化,则表明晶圆上有切口。非零晶圆切口会导致 Omega 峰位随着晶圆旋转而增加或减少,因为晶面与晶圆表面并不完全平行。当晶圆旋转到平面朝向 X 射线束倾斜到最大值时,Omega 衍射峰将位于比布拉格角低一个角度,该角度的幅度等于切口的大小。例如,朝向 X 射线束的 1° 切口晶圆的 Omega 峰位将比布拉格角预测的低 1°。同样,如果切口大小相同但相对于光束的方向相反,Omega 峰值的角度将比布拉格角大 1°。当晶圆在光束中旋转时,切口会导致 Omega 峰值从最小值平稳移动到最大值,并且可以观察到 Omega 峰值在这些极限之间的偏移。
后减薄是半导体制造中器件制造和先进封装的关键部分。当由于处理困难导致最终晶圆厚度变得非常薄(比如 <100µm)时,载体支撑晶圆减薄就具有吸引力。减薄后处理(沉积、化学机械抛光 [CMP]、键合等)也受益于刚性和热机械稳定的支撑结构。为了实现最终晶圆的非常低的总厚度变化 (TTV),载体晶圆和临时键合材料(通常是粘合剂层)都必须提供足够低的 TTV。载体晶圆还必须具有合适的热膨胀系数 (CTE)。在本文中,我们介绍了一种玻璃载体解决方案和临时键合方法,它们结合起来可实现低 TTV 晶圆减薄。使用直径 150mm 的单晶钽酸锂晶圆进行可行性演示,仅通过晶圆研磨即可减薄 5µm。
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅(SIC)Wafers多年来,ST Microelectronics,2020/1/15:https://newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html,3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂,ST Microelectronics,2022/10/5:https://newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂,在欧洲首次,Nikkei Crosstech,2022/10/18:https://xtps://xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers,Infineon,2018/3/16:https://www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra,Infineon,2018/12/7:https://www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies,Infineon,2020/11/9:https://wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片:与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议,Showa Denko,2021年5月6日:https://wwwwww.resonac.com/jp/
晶圆处理 湿法清洗 溶剂清洗 Piranha 溶液 RCA 清洗 光刻 离子注入 干法蚀刻 湿法蚀刻 等离子灰化 热处理 快速热退火 炉退火 热氧化 化学气相沉积 (CVD) 物理气相沉积 (PVD) 分子束外延 (MBE) 电化学沉积 (ECD) 化学机械平坦化 (CMP) 晶圆测试 晶圆背面研磨 芯片制备 晶圆安装 芯片切割 IC 封装 芯片附着 IC 键合 引线键合 热超声键合 倒装芯片 晶圆键合 胶带自动键合 (TAB) IC 封装 烘烤 电镀 激光打标 修整和成型 IC 测试
可见光摄像机能够使用波长范围从 0.4 到 0.7 µm 的电磁波记录适当照明的物体的图像。在波长超过 0.7 µm 的物体上成像非常有用,因为它可以揭示有关物体的更多信息并实现新的应用。然而,在更长的波长上成像需要配备特殊红外图像传感器和不同光学器件的摄像机 [1, 2, 3]。在众多类型的红外图像传感器和探测器技术中,有微测辐射热计,它实现了非制冷且价格实惠的热红外摄像机。这种热红外摄像机允许人们通过物体的辐射热(即通过普朗克辐射定律描述的红外辐射发射)获取物体的图像。微测辐射热计主要对长波红外 (LWIR) (8-14) µm 敏感,这与地球大气中的透明波段相吻合。与可见光摄像机一样,热红外摄像机在国防、交通、监控、消防、热成像和户外休闲方面具有许多应用和巨大的市场。许多新的应用领域都得益于微测辐射热计
[25] Shi K W,Yow K Y,LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议(EPTC),2014年12月3日至5日,2014年12月3日,新加坡。纽约:IEEE出版社,2015:752-759。