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晶圆级集成和多芯片的详细分析...
《近期研究评论》杂志，2022 年 12 月，第 1 卷，第 1 期，第 75-86 页 75 DOI：https://doi.org/10.36548/rrrj.2022.1.007 © 2022 Inventive Research Organization。这是一篇根据知识共享署名-非商业性国际 (CC BY-NC 4.0) 许可协议开放获取的文章
2021 年 InP 晶圆、外延片和器件市场
3) 市场趋势 89 市场细分 InP 行业：发展时间表 InP 应用市场概览 技术概览、每种应用的经济要求 4) 市场份额和供应链 188 光子学和射频应用的 InP 供应链和商业模式 主要参与者和格局 不同地理区域主要晶圆和外延片参与者的映射 InP 裸片市场份额 打开 InP 外延片市场份额 InP 晶圆市场份额 公司简介：II-V、Lumentum、LandMark、Sumitomo、AXT、InPact、Denselight、Smart Photonics 5) InP 技术趋势 215 器件 • 基于 InP 的器件概览：光子学、集成 SiPh 和 PIC 和 RF 器件 外延 • 外延生长方法 • 关注 DFB 外延生长 • 讨论外延要求 晶圆 • InP 晶体生长方法 • 晶圆精加工 • 基板尺寸和类型 6) 展望 286 总结 7) 附录 291 8) Yole 集团公司介绍
Wafer -Scale纳米结构的黑色硅具有形态...
Black-Si（B-SI）提供宽带光防反射已成为光电探测器，光电催化，传感器和光伏设备的多功能底物。然而，常规的制造方法具有单一形态，低产量或脆弱性。在这项工作中，我们提出了一种高收益CMOS兼容的技术，可生产具有不同随机纳米结构的6英寸晶片尺度B-SI。B-SI是通过o2 /sf 6基于si晶片的基于O 2 /sf 6等离子体的反应离子蚀刻（RIE）来实现的，该反应离子蚀刻（rie）被GESN层覆盖。在初始GESN蚀刻过程中形成的Sno X F Y层的稳定网格充当了自组装的硬掩模，用于形成亚波长的SI纳米结构。b-Si，例如纳米孔，纳米酮，纳米霍尔，纳米霍克和纳米线。此外，在近红外（NIR）波长范围（1,000-1,200 nm）处B-SI金属 - 溶液中的（MSM）光电探测器的响应能力比平面SI MSM MSM光电量的平面SI MSM光电量高40-200％，对黑暗电流的水平相同，对光元素的应用中有益于光子元素，并在光元素中的应用和光元素的应用。这项工作不仅展示了一种制造晶圆尺度的B-Si晶片的新的非印刷方法，而且还可以提供一种新颖的策略，以使用形态工程制造其他纳米结构表面材料（例如GE或III-V的化合物）。
硅同质外延晶圆表面清洁... - DSpace@MIT
本论文的目的是研究使用 ECR（电子回旋共振）氢等离子体技术的低温原位清洗工艺和使用 HF 浸渍法的原位清洗工艺，用于低温硅同质外延生长。在 MS-CVD（多室化学气相沉积）反应器上安装了负载锁室，以降低将污染物引入系统的可能性。选择 ECR 等离子体系统是因为与传统的 RF（射频）系统相比，它可以以良好调节的方式输送更高密度的低能离子。选择氢气是因为氢气质量轻，并且能够与表面污染物发生化学反应。在原位清洗的晶圆顶部沉积外延层，并通过 XTEM（横截面透射电子显微镜）和 RBS（卢瑟福背散射光谱）技术研究外延层和外延层/衬底界面的结构质量。使用 SIMS（二次离子质谱）检测界面处的氧和碳污染物。
基于激光的碳化硅晶片制造用于下一代...
碳化硅电力电子代表了下一代技术，该技术已在更紧凑的外形下以更高的电压和更高的频率运行，在广泛的产品中展示了显著的整体能效改进。它们已用于著名的高端应用，包括电动汽车、工业、电气化铁路和风能电力电子，以及电网传输和电动汽车充电基础设施。该项目的目的是扩大和商业化一种新型的基于激光的制造技术，用于制造碳化硅晶片，碳化硅晶片是构建碳化硅电力电子的基本构件。成功采用了初始概念验证原型，并将其构建成一条完整的生产线，展示了低速率的初始生产。该项目已经证明，该技术有可能实现零材料损失，并且每个晶片的产量在几分钟内即可完成。这将大大降低导电碳化硅基板的成本，从而使这种材料系统经过验证的有益特性能够应用于各种应用的先进下一代电力电子中。
纳米、微米和宏观晶圆键合技术
本文概述了用于实现纳米、微米和宏观系统以及系统集成的最常见晶圆键合技术。首先，讨论了晶圆键合应用的一般方面。然后是对不同晶圆键合工艺的技术描述，因为不同的键合应用需要与工艺集成和应键合的晶圆上的实际表面层相关的不同工艺。最后，在概述表中显示了优点和缺点以及技术和应用方面，对所述键合工艺进行了系统化和详细的比较。本概述应有助于为晶圆级键合和其他应用选择最合适的工艺。
建模300mm晶圆厂碳排放
在计算选定晶面的总设备用电后，我们将其值与晶圆厂的总电用使用情况进行了比较[9]。差异除以处理为设施值的掩码层处理的掩模层数。然后可以对按过程节点进行电气使用（逻辑显示），请参见图3。利用这种方法，我们发现设备用电量在没有EUV的40％+范围内，而EUV的范围为50％+范围。这与2007年至2011年时间范围的4个FAB的SEMATECH数据一致。设备对总用电的贡献的这些值不同于[6]中使用的60％假设。图3 EUV用电使用持续的30mJ/cm 2剂量（未填充条），并随着节点增加剂量，我们认为更反映实际需求（填充条）。euv在引言的第一个节点上，与DUV相比，DIV> EUV可以一次性减少。这是由于消除了多造影步骤。
部门：半导体（晶圆制造）行业概述
半导体行业是新加坡的主要制造业之一；占2014年制造总价值的17.6％ - 该行业雇用了3600名工人，约占电子劳动力总数的53％。今天，新加坡是世界上三大晶圆铸造厂的所在地，全球四家顶级外包组装和测试服务公司，以及世界上9家顶级女装的半导体公司。其中一些公司包括Broadcom，NXP，Mediatek，Micron Semiconductor Asia PTE Ltd，United Microelectronics Corporation，STATS CHIPPAC，QUAPCOM，Qualcomm和Silicon Manufacturing Company的系统。在2013年，我们的晶圆厂每月生产约100万个晶圆，在全球范围内约有10个晶圆的晶圆。工作详细信息：
STARRY NITE 多项目晶圆计划申请...
根据与诺斯罗普·格鲁曼公司的协议，合作者将有一段预定的时间（“设计期”），使用诺斯罗普·格鲁曼公司提供的模型和 PDK 进行设计。设计期结束后，合作者需要在规定的截止日期前向代工厂提交设计，以便将其设计纳入工厂运行。合作者还需要提交其设计和文档，以便在 STARRY NITE IP 存储库中存档。一旦掩模完成流片，诺斯罗普·格鲁曼公司将使用该掩模制造晶圆。请注意，诺斯罗普·格鲁曼公司不会对电路进行直流或射频测试；整个工厂流程中都会测量掩模上的过程控制监视器 (PCM) 结构。b. 合作者同意公布设计提交和掩模流片时间表。c. 请注意，美国政府对哪些设计将投入生产拥有最终决定权
太阳能电池应用的半导体晶圆粘结
有效地需要用能量转换器覆盖较大的表面。这是太阳能电池，也称为光伏的地方。光伏设备，首先是由法国科学家Henri Becquerel于1839年发现的，它通过产生电子对 - 在光伏材料中的孔对直接转化为电子。这些对创建了电流流，该电流遵循材料的内置势坡。太阳能电池已成为重要的替代电源，尤其是自1970年代的石油座舱以来。此外，太阳能电池是一种有希望的无碳能源，可以帮助减轻全球变暖。实现高效率太阳能转化对于使太阳能成为满足世界能源需求的可行选择至关重要。太阳能电池的能量转化效率是指电池产生的电力与电池每单位时间接收到的入射阳光能量的比率。