XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemWafers
使用X射线衍射映射硅晶片中经纱的计量学
*通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie摘要 - X射线衍射（XRD）映射是一种非破坏性计量技术，可以通过热机械应力重建在硅晶片上引起的经线的重建。在这里，我们使用基于X和Y方向的一系列线扫描以及同一样品的不同90度旋转的方法绘制了晶圆的扭曲。这些线扫描从晶圆的表面收集摇摆曲线，记录由于表面不良导致的衍射角（ω）偏离了布拉格角。表面经线通过诱导测得的衍射角与参考角度角度（ω -ω0）和摇摆曲线扩展（FWHM）之间的差异来反映XRD测量。通过收集和整合摇摆曲线（RCS）和FWHM从整个表面和晶圆的多个旋转范围扩大，我们可以生成表面函数f（x）的3D地图和角度的不良方向（Warpage）。经线表现出凸形，与文献中报道的光学验证测量值对齐。基于实验室的XRDI有可能在较短的时间内和原位绘制晶圆的翘曲，这可以在同步加速器辐射源中完美地执行。关键字：计量学，硅，扭曲，X射线衍射，晶圆。I.简介
使用 X 射线衍射映射对硅晶片翘曲进行计量
* 通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie 摘要 — X 射线衍射 (XRD) 映射是一种非破坏性计量技术，可以重建通过热机械应力在硅晶片上引起的翘曲。在这里，我们使用一种基于在 x 和 y 方向以及对同一样品进行不同 90 度旋转的一系列线扫描的方法来映射晶片的翘曲。这些线扫描从晶片表面收集摇摆曲线，记录由于表面取向错误而偏离布拉格角的衍射角 (ω)。表面翘曲通过引起测量的衍射角和参考布拉格角 (ω − ω0) 之间的差异和摇摆曲线增宽 (FWHM) 反映在 XRD 测量中。通过收集和整合整个表面和晶圆多次旋转的摇摆曲线 (RC) 和 FWHM 加宽，我们可以生成表面函数 f(x) 和角度错位 (翘曲) 的 3D 图。翘曲呈现凸形，与文献中报道的光学轮廓测量一致。基于实验室的 XRDI 有可能在更短的时间内原位绘制晶圆的翘曲图，就像在同步辐射源中完美执行一样。关键词：计量学、硅、翘曲、X 射线衍射、晶圆。I.介绍
Selective Growth of GaP Crystals on CMOS-Compatible Si Nanotip Wafers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
ABSTRACT: Gallium phosphide (GaP) is a III − V semiconductor with remarkable optoelectronic properties, and it has almost the same lattice constant as silicon (Si). However, to date, the monolithic and large-scale integration of GaP devices with silicon remains challenging. In this study, we present a nanoheteroepitaxy approach using gas-source molecular-beam epitaxy for selective growth of GaP islands on Si nanotips, which were fabricated using complementary metal − oxide semiconductor (CMOS) technology on a 200 mm n-type Si(001) wafer. Our results show that GaP islands with sizes on the order of hundreds of nanometers can be successfully grown on CMOS-compatible wafers. These islands exhibit a zinc-blende phase and possess optoelectronic properties similar to those of a high-quality epitaxial GaP layer. This result marks a notable advancement in the seamless integration of GaP- based devices with high scalability into Si nanotechnology and integrated optoelectronics. ■ INTRODUCTION
ESIA 报告-硅锭和硅片.pdf
中国占据全球近 97% 的产能，是制造光伏电池所用硅片的制造业高度集中的地方 [1, 2]。硅锭-硅片生产的整个产业生态系统，包括材料、设备和消耗品，也都位于中国。中国商务部和科技部最新发布的《禁止出口限制出口技术目录》 [3] 包括“大规模太阳能硅片技术、超高效铸锭单/多晶技术、黑硅制备技术和‘其他’”，这意味着与光伏制造业相关的三项技术的出口可能会受到限制：硅片、黑硅和铸锭。如果这三类技术被添加到限制名单中，制造商将需要从相应省级部门获得技术出口许可证才能出口此类产品 [4]，以支持中国以外的制造业。
SiC 衬底和外延晶片中位错修饰的 PL 特征
agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com, bcharles.lee@sksiltron.com, candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、 candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、 candrey.soukhojak@sksiltron.com, dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、 dtawhid.rana@sksiltron.com
基于全无机无铅钙钛矿晶片的低剂量率高灵敏度直接转换 X 射线探测器
正如在太阳能电池制备中大热的铅基钙钛矿一样，铋基钙钛矿在直接X射线检测中也表现出了优异的性能，尤其是Cs 3 Bi 2 I 9 单晶（SC）。但与铅卤化物钙钛矿相比，Cs 3 Bi 2 I 9 SC在X射线检测应用方面的一个挑战是难以制备大尺寸和高质量的SC。因此，如何获得大面积高质量的晶片也与Cs 3 Bi 2 I 9 生长方法研究一样重要。这里，使用不同的反溶剂制备多晶粉末，采用反溶剂沉淀法（A），作为对照，还采用高能球磨法（B）制备多晶粉末。制备的两种Cs 3 Bi 2 I 9 晶片的微应变为1.21 × 10 −3 ，电阻率为5.13 × 10 8 Ω·cm ，微应变为1.21 × 10 −3 ，电阻率为2.21 × 10 9 Ω·cm 。基于高质量Cs 3 Bi 2 I 9 晶片的X射线探测器具有良好的剂量率线性度，灵敏度为588 µC∙Gy air s −1 ∙cm −2 ，检测限（LoD）为76 nGy air ∙s −1 。
SB300 FOSB，适用于 300 毫米晶圆
SEMI E62 描述了 FOSB 开门装置的特性和基本功能。E62 是针对设备配置的非常具体的标准，包括定位销、密封区域和锁销形状、位置、运动和扭矩。300 毫米 FOSB 必须与这些功能配合使用，但精确的配合功能尺寸、位置和设计由载体制造商决定。与 E62 FOSB 开门器配合的 FOSB 功能由 Entegris 设计规范定义。一般而言，这种兼容性涉及 E62 FOSB 开门器功能周围的适当间隙和相对位置。
功率MOSFET WAFERS的降压 - 电气
Wafer Warpage是半导体制造商面临的基线问题，实际上，在与制造功率金属氧化物半导体磁场效应晶体管（MOSFET）的制造的人中尤为明显。这是因为垂直MOSFET与传统的外侧对应物相比会经历更大的经线效应。wafers超过其临界价值的瓦金（Wafers）在自动处理过程中无法通过吸尘器吸附来削减其临界价值；晶圆上制造的设备也面临可靠性问题。本文介绍了用于减少电源MOSFET晶体经纪的各种机制的分析。通过改变背面金属化（BSM）厚度，膜沉积的溅射功率和晶片温度（即将低温条件引入过程中）来检查扭曲行为。结果表明，当前端制造过程完成后，BSM厚度和晶圆的温度都与晶圆经膜的相关性明显相关。晶圆弓水平与溅射功率的大小直接成比例。当溅射功率降低时，诱发残留应力较小以变形晶片结构。因此，可以调整溅射功率，以确保扭曲效应保持在其临界值以下。关键字：经形，功率MOSFET，残余压力，背面金属化，溅射功率，低温温度
具有多个切割晶圆的六面模塑面板级芯片级封装
摘要 本研究介绍了 6 面模塑面板级芯片级封装 (PLCSP) 的设计、材料、工艺、组装和可靠性。重点介绍了在带有多个器件晶圆的大型临时面板上制造 PLCSP 的 RDL（重新分布层）。由于所有印刷电路板 (PCB) 面板都是矩形，因此一些器件晶圆被切成两块或更多块，以便充分利用面板。因此，产量非常高。由于所有工艺/设备都是 PCB 工艺/设备（不是半导体工艺/设备），因此这是一个非常低成本的工艺。制造 RDL 后，将晶圆从 PCB 面板上剥离。然后进行焊球安装，并从带有 RDL 的原始器件晶圆制造 6 面模塑 PLCSP。介绍了 PLCSP 的跌落测试和结果（包括故障分析）。 6 面模塑 PLCSP PCB 组件的热循环由非线性温度和时间相关有限元模拟执行。关键词 扇入封装、再分布层、6 面模塑面板级芯片级封装、切割晶圆和跌落测试。