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SB300 FOSB，适用于 300 毫米晶圆
SEMI E62 描述了 FOSB 开门装置的特性和基本功能。E62 是针对设备配置的非常具体的标准，包括定位销、密封区域和锁销形状、位置、运动和扭矩。300 毫米 FOSB 必须与这些功能配合使用，但精确的配合功能尺寸、位置和设计由载体制造商决定。与 E62 FOSB 开门器配合的 FOSB 功能由 Entegris 设计规范定义。一般而言，这种兼容性涉及 E62 FOSB 开门器功能周围的适当间隙和相对位置。
采用 Smart Cut 技术的更环保的 SiC 晶圆
在使用我们的 Smart Cut 技术生产 SiC 基板时，我们发现优化键合步骤对于实现高水平的电导率和热导率至关重要。我们的研究表明，键合界面对总基板电阻的贡献相当于标准 SiC 材料的几十微米。在 Smart Cut 将薄片 SiC 从供体基板分割并转移到载体基板后，我们采用了精加工工艺，以确保通过抛光和退火，我们新形成的基板已准备好进行外延处理并与 SiC 器件加工兼容。请注意，我们的 Smart Cut SiC 技术生产的晶圆顶层没有基面位错（见图 2 和 3）。
功率MOSFET WAFERS的降压 - 电气
Wafer Warpage是半导体制造商面临的基线问题，实际上，在与制造功率金属氧化物半导体磁场效应晶体管（MOSFET）的制造的人中尤为明显。这是因为垂直MOSFET与传统的外侧对应物相比会经历更大的经线效应。wafers超过其临界价值的瓦金（Wafers）在自动处理过程中无法通过吸尘器吸附来削减其临界价值；晶圆上制造的设备也面临可靠性问题。本文介绍了用于减少电源MOSFET晶体经纪的各种机制的分析。通过改变背面金属化（BSM）厚度，膜沉积的溅射功率和晶片温度（即将低温条件引入过程中）来检查扭曲行为。结果表明，当前端制造过程完成后，BSM厚度和晶圆的温度都与晶圆经膜的相关性明显相关。晶圆弓水平与溅射功率的大小直接成比例。当溅射功率降低时，诱发残留应力较小以变形晶片结构。因此，可以调整溅射功率，以确保扭曲效应保持在其临界值以下。关键字：经形，功率MOSFET，残余压力，背面金属化，溅射功率，低温温度
对重建晶片的光刻处理的模具对齐
该实验的结果证明了Liteq 500工具在置换和旋转中检测，测量和纠正大偏移的能力，在与当前工业标准保持一致的同时，提供了亚微米的准确性。分析表明，可以通过优化对齐过程来实现吞吐量的重大改进。计划进行其他实验，以验证覆盖性能，并在Liteq 500上使用重建晶片进行叠加诊断的能力。初步估计表明，当覆盖要求不太严格时，可以实现更快的吞吐量。在未来的工作中，我们计划研究当前FO-WLP过程中所需的覆盖精度级别可实现的吞吐量。
芯片、节点和晶圆：半导体数据收集的分类法
半导体价值链容易受到干扰，这对现代经济构成了相当大的风险。更好的数据对于决策者识别瓶颈、监控特定半导体类型的供需平衡以及管理干扰至关重要。本文提出了半导体类型和生产设施的通用分类法，以促进协调的数据收集和共享。该分类法将半导体产品分为四大类——“逻辑”、“内存”、“模拟”和“其他”——并根据其普及程度和特定功能细分为子类别。半导体生产设施根据所使用的技术和生产不同类型半导体的能力、安装的生产能力以及其他相关工厂（和公司）特征进行分类。该分类法将成为半导体生产数据库的基础，并将在未来进行修订，以跟上半导体技术的发展。
研究局部光子退火对硅晶片中应力的影响
使用三重晶体X射线衍射研究了光子退火对硼掺杂CZ-SI晶状体晶体结构中变形的影响。具有卤素灯灯（光子退火模式）和快速热退火的双面抛光硅晶片的整个表面的常规退火产生压缩变形。在相对较低的晶圆温度下（小于55°C），使用特殊的光电板将多个分离的晶圆区域（局部光子退火模式）提供局部退火，可产生拉伸变形。但是，如果退火晶片的反向侧面包含机械固定层，则不会观察到这种效果。已经提出了一种解释实验结果的机制，可用于合成光电转换器结构中的电荷泵。
使用 X 射线衍射映射对硅晶片翘曲进行计量
* 通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie 摘要 — X 射线衍射 (XRD) 映射是一种非破坏性计量技术，可以重建通过热机械应力在硅晶片上引起的翘曲。在这里，我们使用一种基于在 x 和 y 方向以及对同一样品进行不同 90 度旋转的一系列线扫描的方法来映射晶片的翘曲。这些线扫描从晶片表面收集摇摆曲线，记录由于表面取向错误而偏离布拉格角的衍射角 (ω)。表面翘曲通过引起测量的衍射角和参考布拉格角 (ω − ω0) 之间的差异和摇摆曲线增宽 (FWHM) 反映在 XRD 测量中。通过收集和整合整个表面和晶圆多次旋转的摇摆曲线 (RC) 和 FWHM 加宽，我们可以生成表面函数 f(x) 和角度错位 (翘曲) 的 3D 图。翘曲呈现凸形，与文献中报道的光学轮廓测量一致。基于实验室的 XRDI 有可能在更短的时间内原位绘制晶圆的翘曲图，就像在同步辐射源中完美执行一样。关键词：计量学、硅、翘曲、X 射线衍射、晶圆。I.介绍
六面模制面板级芯片尺度包装，带有多个切丁的晶片
摘要 - 在这项研究中，提出了六边模制面板级芯片尺度套件（PLCSP）的设计，材料，过程，组装和可靠性。重点放在PLCSP的重新分布层（RDL）上的制造，并在具有多个设备晶圆的大型临时面板上。因为所有打印的电路板（PCB）面板均处于矩形形状，因此某些设备的晶片将其切成两个或更多件，以便将面板充分利用。因此，它是非常高的吞吐量。因为所有过程/设备都是PCB流程/设备（而不是半导体过程/设备），所以这是一个非常低成本的过程。在RDL的工厂后，PCB面板中的晶片被脱落。随后是焊球安装并制造了带有RDL的原始设备晶片的六边模制PLCSP。介绍了滴测试和包括PLCSP的失败分析的结果。通过非线性温度和时间依赖的有限元模拟进行六面模制PLCSP PCB组件的热循环。