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28nm 技术的 3D TSV 中介层和细间距焊料微凸块的质量和可靠性
随着互连密度不断缩小，以及制造更细间距基板的成本不断上升，使用传统有机堆积基板的倒装芯片封装在细间距布线方面面临着重大挑战。为了满足这些需求，TSV 中介层应运而生，成为一种良好的解决方案 [1-3]。TSV 中介层提供高布线密度互连，最大限度地减少 Cu/低 k 芯片与铜填充 TSV 中介层之间的热膨胀系数 (CTE) 失配，并由于芯片到基板的互连更短而提高电气性能。TSV 中介层晶圆是通过在硅晶圆上蚀刻通孔并用金属填充通孔来制造的。业界常用的两种 TSV 方法涉及“先通孔/中通孔”和“后通孔”工艺流程。本文中的工作使用“先通孔/中通孔”流程，因为它提供了互连密度的最大优势。通常，使用深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺蚀刻 TSV 通孔以形成高纵横比通孔。 TSV 的直径通常为 10-20 微米，深度为 50-100 微米。TSV 的壁衬有 SiO2 电介质。然后，形成扩散屏障和铜种子层。通过电化学沉积用铜填充通孔。使用化学机械抛光/平坦化 (CMP) 去除铜覆盖层。使用标准后端制造工艺在中介层顶部形成 M1 – Mx 的互连线。中介层顶部涂有钝化层并形成微凸块焊盘。
掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。
先进封装季度市场监测 2021 年第 4 季度
• 供需 • 最终用户应用和关键增长动力/领域 • 工艺技术 • 设备应用组合 • 生产、资本支出、收入和封装 ASP • 3D 堆叠封装包括逻辑和 DRAM 晶圆：3D 堆叠封装包括 HBM、3DS DRAM、3D NAND、3D SoC/SoIC、3D 堆叠 CMOS 图像传感器 • 收入和 ASP 仅反映封装。不包括最终测试。 • **RF-SiP 封装中使用的 WLCSP 组件不包含在 WLCSP 类别中 - 这将在监视器的未来更新中提供 • SiP 封装级市场规模正在确定，不包括 SiP 晶圆级市场。
INP和III-V化合物
III-V半导体材料组的生长特性与硅具有相似的生长特性，该特性在微电子学中已良好。III-V半导体材料是在单晶半导体底物上的外延生长的。主要区别在于光电特性中，大多数III-V半导体具有直接的带隙，这是制造有效激光器和光学放大器的先决条件，缺少属性硅。此外，几个III-V半导体（例如GAAS和INP）具有比硅具有更好的电子性能，这使它们适合于高端RF插图。各种III-V半导体之间的关键差异是波长范围，它们支持光学功能，例如发光，放大，传输和检测光。对于GAA，这是在半导体激光器中应用的第一种III-V材料，操作窗口的范围为800-1100 nm，使其适用于短期通信。GAAS垂直腔表面发射激光器（VCSELS）是短距离（<几百米）通信的主要光源。用于INP及其第四纪化合物Ingaasp和Ingaalas，可以在INP底物上生长，操作窗口范围为1200-1700 nm，范围涵盖了在更长距离（O波段，C-Band，C-Band和l频段）高速通信的最重要波长。因此，这是长时间和中距离高速通信的首选材料。这使其成为在复杂图片中使用的首选材料，在复杂图片中，必须将广泛的功能集成到单个芯片中。光过滤器）。INP及其化合物Ingaasp和Ingaalas的另一个优点是，它们的光学特性（增益，透明度，吸收和检测以及电光调制效率）可以在晶圆中进行本地设计，同时保留在宽波长范围内优化性能的可能性。示例是连贯的发射器和接收器，更一般而言，需要将激光器和光学放大器与有效调节器和检测器集成在一起的任何电路，以及低损坏的被动光元素（例如，用于钝化和隔离的介电材料与用于硅微电子的介电材料非常相似。电气间连接的金属不同。黄金由于其良好的电气和机械性能而经常用于III-V半导体，而由于它具有扩散到硅非常有害的风险，因此它没有应用于硅上。另一方面，铝和铜很少用于III-V材料。特别是铜杂质在III-V材料中降解电和光学特性。晶片小于硅。对于GAAS 4“，6”和8英寸的直径可在市售。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。 较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。
三安半导体与 Luminus Devices 合作，将 SiC 和 GaN 功率半导体产品引入美洲
加州桑尼维尔，2024 年 1 月 8 日，宽带隙功率半导体材料、组件和代工服务领域的新兴领导者三安半导体宣布 Luminus Devices 为其在美洲的独家销售渠道。这是一个自然而然的选择，因为两家公司都是三安光电的子公司，三安光电是化合物半导体创新者和全球最大的 LED 芯片制造商。这种合作的时机非常理想，因为近年来，各种电力相关行业的客户都因交货时间过长而受到影响，尤其是碳化硅 (SiC) 晶圆、肖特基二极管和 MOSFET。三安最近在中国长沙完成了价值 20 亿美元的“超级工厂”的建设，现在有能力为客户提供交货时间短的产品和代工服务，大多数产品的交货时间最短为 8 周。这座超级工厂的产能也使三安成为中国最大的垂直整合 SiC 制造商，也是全球第三大制造商。三安计划专注于代工服务，为需要 SiC 基板、外延片或裸片安全供应的成熟半导体公司提供支持。同时，三安提供 SiC 肖特基二极管和 SiC MOSFET 的交钥匙解决方案，为可再生能源和各种应用领域的新兴客户提供支持，例如工业电源、风力发电、储能、电机驱动、数据中心、暖通空调、电动汽车 (EV) 充电、光伏和其他高功率场景，在这些场景中，SiC 的优势可提供必要的稳健性、价值和效率。
半导体和微电子 - Techmation B.V.
AMC - 空气分子污染描述了在洁净室和超洁净室中基于硅晶片的半导体器件整个生产领域的问题。洁净室和超洁净室是特殊制造工艺所必需的，在这些工艺中，普通环境空气中存在的颗粒或化学物质会在微米范围内干扰集成电路的图案化。因此，该术语描述了洁净室空气中的固体、液体或气体污染物，这些污染物对制造的工件具有不良的化学或物理影响。这特别包括在硅晶片上半导体器件的所谓前端制造中生产过程各个步骤中使用的所有化学品。
市场领域的分类学|尤里卡网络
塑料制造商同质注射/挤出物非均匀注射/挤出纤维增强（塑料）复合材料（塑料）复合材料其他制造的塑料工艺，用于使用塑料涂料和粘合剂制造膜和膜的产品和基于膜的产品专用材料：生产者和制造商的产品专业材料：E.G.G.硅晶片）III/V半导体材料（例如砷化金属）特种金属（包括与金属合作的过程）陶瓷润滑剂和功能流体其他特色材料商品化学品和聚合物工业化学化学物质聚合物（塑料）材料专用/性能/性能化学化学化学品电子化学物质电子化学物质其他特种化学物质农业化学品和其他分类化学材料（其他分类）工业化学
申请注意清洁室材料作为机载分子污染的来源
引入清洁室的每种材料都是空气传播分子污染（AMC）的潜在来源。材料的化学成分，其表面积，其热行为和温度最终通过特定组件确定了引入洁净室环境中的污染水平。那些在关键过程成分上凝结的污染物可能会导致“ AMC缺陷”，例如晶片，不受控制的硼和磷掺杂，蚀刻速率变化，阈值电压移位，晶片和丙键率偏移和高接触率和高接触电阻的变化。随着微电子设备的线路宽度缩小了“ AMC缺陷”已成为一个主要问题，需要在洁净室的设计中考虑。
HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED 华虹半导体有限...
本公司于 2023 年 1 月 18 日发布的公告及于 2023 年 2 月 24 日发布的通函载明，华虹制造将从事集成电路及 12 英寸（300 毫米）晶圆制造及销售业务，主要采用 65/55 纳米至 40 纳米工艺。其后，华虹制造订立华虹制造 EPC 合同，内容涉及（其中包括）建设生产厂房、电力设施及辅助设施，旨在发展其自有生产线以生产 12 英寸（300 毫米）集成电路芯片。有关详情，请参阅本公司于 2023 年 5 月 19 日发布的公告及于 2023 年 6 月 5 日发布的通函。