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使用X射线衍射映射硅晶片中经纱的计量学
*通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie摘要 - X射线衍射（XRD）映射是一种非破坏性计量技术，可以通过热机械应力重建在硅晶片上引起的经线的重建。在这里，我们使用基于X和Y方向的一系列线扫描以及同一样品的不同90度旋转的方法绘制了晶圆的扭曲。这些线扫描从晶圆的表面收集摇摆曲线，记录由于表面不良导致的衍射角（ω）偏离了布拉格角。表面经线通过诱导测得的衍射角与参考角度角度（ω -ω0）和摇摆曲线扩展（FWHM）之间的差异来反映XRD测量。通过收集和整合摇摆曲线（RCS）和FWHM从整个表面和晶圆的多个旋转范围扩大，我们可以生成表面函数f（x）的3D地图和角度的不良方向（Warpage）。经线表现出凸形，与文献中报道的光学验证测量值对齐。基于实验室的XRDI有可能在较短的时间内和原位绘制晶圆的翘曲，这可以在同步加速器辐射源中完美地执行。关键字：计量学，硅，扭曲，X射线衍射，晶圆。I.简介
SiC 衬底和外延晶片中位错修饰的 PL 特征
agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com, bcharles.lee@sksiltron.com, candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、 candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、 candrey.soukhojak@sksiltron.com, dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、dtawhid.rana@sksiltron.com agil.chung@sksiltron.com、bcharles.lee@sksiltron.com、candrey.soukhojak@sksiltron.com、 dtawhid.rana@sksiltron.com
具有多个切割晶圆的六面模塑面板级芯片级封装
摘要 本研究介绍了 6 面模塑面板级芯片级封装 (PLCSP) 的设计、材料、工艺、组装和可靠性。重点介绍了在带有多个器件晶圆的大型临时面板上制造 PLCSP 的 RDL（重新分布层）。由于所有印刷电路板 (PCB) 面板都是矩形，因此一些器件晶圆被切成两块或更多块，以便充分利用面板。因此，产量非常高。由于所有工艺/设备都是 PCB 工艺/设备（不是半导体工艺/设备），因此这是一个非常低成本的工艺。制造 RDL 后，将晶圆从 PCB 面板上剥离。然后进行焊球安装，并从带有 RDL 的原始器件晶圆制造 6 面模塑 PLCSP。介绍了 PLCSP 的跌落测试和结果（包括故障分析）。 6 面模塑 PLCSP PCB 组件的热循环由非线性温度和时间相关有限元模拟执行。关键词 扇入封装、再分布层、6 面模塑面板级芯片级封装、切割晶圆和跌落测试。
位于硅萨克森州和欧洲中心的 200/300 毫米晶圆的前沿半导体研究
创新、小巧、快速、精确。并且具有一定的节能效果。这些是许多先进技术和微型部件所需的要素。为了继续快速的技术进步，弗劳恩霍夫光机电系统研究所还向小型企业提供其研究组合、最先进的技术和设备以及 200 毫米和 300 毫米洁净室。 200 毫米晶圆上的 MEMS 技术和设备 在弗劳恩霍夫光机电系统研究所，MEMS 技术的技术开发和支持贯穿整个价值链：从单个工艺到技术模块再到完整技术，以及洁净室设备的工艺技术支持。i. 成功开发后，该研究所提供试生产或技术转让支持。弗劳恩霍夫光机电系统研究所涵盖的技术成熟度 (TRL) 为 3 至 8。因此，初创企业、中小型企业和没有自己工厂的公司尤其可以从低投资成本中受益。在传感器和执行器领域，弗劳恩霍夫光机电系统研究所开发了电容式超声波传感器等产品。这些是作为快速客户定制化调整的平台提供的。这为中小型公司提供了经济高效的高科技访问方式。对客户来说，另一个重要方面是：一种简单且经济高效的方法来测试其应用中的最新开发成果。为此，Fraunhofer IPMS 提供了评估套件。借助这些现成的设置，客户可以例如
Selective Growth of GaP Crystals on CMOS-Compatible Si Nanotip Wafers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
ABSTRACT: Gallium phosphide (GaP) is a III − V semiconductor with remarkable optoelectronic properties, and it has almost the same lattice constant as silicon (Si). However, to date, the monolithic and large-scale integration of GaP devices with silicon remains challenging. In this study, we present a nanoheteroepitaxy approach using gas-source molecular-beam epitaxy for selective growth of GaP islands on Si nanotips, which were fabricated using complementary metal − oxide semiconductor (CMOS) technology on a 200 mm n-type Si(001) wafer. Our results show that GaP islands with sizes on the order of hundreds of nanometers can be successfully grown on CMOS-compatible wafers. These islands exhibit a zinc-blende phase and possess optoelectronic properties similar to those of a high-quality epitaxial GaP layer. This result marks a notable advancement in the seamless integration of GaP- based devices with high scalability into Si nanotechnology and integrated optoelectronics. ■ INTRODUCTION
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
基于全无机无铅钙钛矿晶片的低剂量率高灵敏度直接转换 X 射线探测器
正如在太阳能电池制备中大热的铅基钙钛矿一样，铋基钙钛矿在直接X射线检测中也表现出了优异的性能，尤其是Cs 3 Bi 2 I 9 单晶（SC）。但与铅卤化物钙钛矿相比，Cs 3 Bi 2 I 9 SC在X射线检测应用方面的一个挑战是难以制备大尺寸和高质量的SC。因此，如何获得大面积高质量的晶片也与Cs 3 Bi 2 I 9 生长方法研究一样重要。这里，使用不同的反溶剂制备多晶粉末，采用反溶剂沉淀法（A），作为对照，还采用高能球磨法（B）制备多晶粉末。制备的两种Cs 3 Bi 2 I 9 晶片的微应变为1.21 × 10 −3 ，电阻率为5.13 × 10 8 Ω·cm ，微应变为1.21 × 10 −3 ，电阻率为2.21 × 10 9 Ω·cm 。基于高质量Cs 3 Bi 2 I 9 晶片的X射线探测器具有良好的剂量率线性度，灵敏度为588 µC∙Gy air s −1 ∙cm −2 ，检测限（LoD）为76 nGy air ∙s −1 。
引用（APA）Stehouwer，L。E. A.，Tosato，A.，Degli Esposti，D.，Costa，D.，Veldhorst，M.，Sammak，A。，＆Scabpucci，G。（2023）。
我们通过在100 mm ge晶片上减少压力化学蒸气沉积来生长紧张的GE/SIGE异质结构。将GE晶片用作外部延长的底物可以使高质量的GE富含SIGE应变 - 释放的缓冲液具有螺纹位错密度为ð66 6 61Þ10 5 cm 2，与SI Wafers上的控制应变缓冲区相比，几乎是一个数量级的改善。相关的短距离散射的减少可以极大地改善二维孔气体的疾病性能，该特性在几个GE/SIGE异质结构领域效应的晶体管中测量。We measure an average low percolation density of ð 1 : 22 6 0 : 03 Þ 10 10 cm 2 and an average maximum mobility of ð 3 : 4 6 0 : 1 Þ 10 6 cm 2 = Vs and quantum mobility of ð 8 : 4 6 0 : 5 Þ 10 4 cm 2 = Vs when the hole density in the quantum well is satu- rated to ð 1 : 65 6 0 : 02 Þ 10 11 cm 2 。我们预计，这些异质结构即时应用于下一代，高性能的GE旋转量，并将其集成到更大的量子处理器中。
Valley Design Corp.
•在马萨诸塞州梅里马克山谷开设了设施，最初是为I.D.设立的。切割和晶状材料。项目包括用于Intel E-Prom的融合二氧化硅，HP的直径为4英寸的蜂蜜底物，硼加和用于掺杂硅的Wafers for Illinois的Owens。
