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晶圆级光学制造
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5G、AI 和 IoT 设备受益于最新的双层材料
先进晶圆级封装的一个重要方面是使用临时晶圆键合 (TWB) 材料和工艺，使部分处理过的晶圆即使在极高的温度和高真空条件下也能承受各种后续步骤。如果要求他们描述能够节省时间和金钱同时保持最佳性能的“理想” TWB 材料解决方案，许多制造商会要求使用可以在室温下应用和键合的材料，并且可以在热压键合 (TCB) 步骤中操作减薄晶圆时提供保护。这些材料还应具有足够的柔韧性，以支持不同的固化选项，同时保持设备功能的完整性。同时，材料应能够使用各种分离技术将减薄晶圆从载体上分离。
最终报告 - GR740 下一代微处理器飞行模型（NGMP 第 3 阶段）
STMicroelectronics 开发了一套针对 GR740 晶圆 (EWS) 的测试程序。所有用于生产飞行部件的晶圆都经过此程序测试，只有合格的晶圆才能进入装配线（飞行部件）。ST 未公布 EWS 程序内容的细节，因为他们认为这是其“技术诀窍”的一部分。ST 在筛选两个飞行质量批次时获得的产量反映了 EWS 对飞行部件制造的影响。总体而言，产量数字非常好。
晶圆级封装的光子脱键合
关键词：光子剥离、临时键合和解键合、薄晶圆处理、键合粘合剂 摘要 临时键合和解键合 (TB/DB) 工艺已成为晶圆级封装技术中很有前途的解决方案。这些工艺为晶圆减薄和随后的背面处理提供了途径，这对于使用 3D 硅通孔和扇出晶圆级封装等技术实现异质集成至关重要。这些对于整体设备小型化和提高性能至关重要。在本文中，介绍了一种新颖的光子解键合 (PDB) 方法和相应的键合材料。PDB 通过克服与传统解键合方法相关的许多缺点来增强 TB/DB 工艺。PDB 使用来自闪光灯的脉冲宽带光 (200 nm – 1100 nm) 来解键合临时键合的晶圆对与玻璃作为载体晶圆。这些闪光灯在短时间间隔（~300 µs）内产生高强度光脉冲（高达 45 kW/cm 2 ），以促进脱粘。引言近年来，三维 (3D) 芯片技术在微电子行业中越来越重要，因为它们具有电路路径更短、性能更快、功耗和散热更低等优势 [1]。这些技术涉及异质堆叠多个减薄硅 (Si) 芯片（<100 µm）并垂直互连以形成三维集成电路 (3D-IC) [2]。在现代 3D 芯片技术中，可以使用硅通孔 (TSV) 来代替传统的引线键合技术在硅晶圆之间垂直互连。减薄晶圆使得这些 TSV 的创建更加容易 [3, 4]。为了便于处理薄硅晶圆，需要对硅晶圆进行临时键合。在临时键合工艺中，次级载体晶圆充当主器件晶圆的刚性支撑，并利用两者之间的粘合层将两个晶圆粘合在一起。晶圆粘合在一起后，即可进行背面研磨和后续背面处理。背面处理后，减薄后的晶圆和载体堆叠
UV LED 光源 非常紧凑实用的系统...
UV-KUB 3 是基于掩模对准系统的 UV-LED，可用光源为 365nm。这是一款非常紧凑的台式系统，可兼容 4 英寸晶圆或 6 英寸晶圆（具体取决于版本）。由于特定的光学布置提供了最大发散角小于 2° 的准直光束，因此可实现的最小特征尺寸为 1µm。UV-KUB 3 系统兼容硬（物理）或软（接近）掩模接触模式，并提供低至 1µm 的对准分辨率。该掩模对准系统支持所有标准光刻胶，例如 AZ、Shipley、SU-8 和 K-CL。
碳化硅的新外观
抽象的硅碳化物，SIC是使用最广泛的材料之一，在诸如航空航天，电子，工业炉和耐磨机械零件等行业中起着至关重要的作用。尽管SIC被广泛用于电子和其他高科技应用中，但冶金，磨料和难治性行业占主导地位。仅在过去的五到六年中，SIC才在半导体行业中发挥了新的重要作用。SIC已成为驱动电气化的关键材料。它是独特的物理特性，宽阔的带隙，尤其是高温性能和“易于制造性的易用性，使其成为关键的材料。使SIC如此独特的物理特性在SIC二极管，晶体管和模块的大规模制造中也代表了一些严重的问题。sic是一种非常艰难的材料，它的莫尔硬度额定值为9.5，接近钻石。就像半导体行业需要高质量缺陷的硅晶圆一样，SIC行业也是如此。高质量的无缺晶石刚刚进入市场。它们是4个和六个晶圆，可以允许SIC。这些boules可以在晶圆中“切成薄片”，并在标准的CMOS制造过程中运行。接下来是将晶片划分到设备中的。钻石锯必须以非常缓慢的速度运行，几乎像钻石本身一样硬。die附件带来了一个有趣的问题。设备通常在200+ d c和电压> 1000W时的速率。这些都是今天所面临的挑战。标准环氧树脂甚至Au/Si Eutectic Die附件在这些极端操作条件下都存在问题。最后，环氧造型化合物必须能够承受恶劣的条件并且不要破裂。这是一个持续的故事，讲述了半导体行业如何适应不断变化的需求。关键词硅碳化物（SIC），高压，高功率，高频，高性能