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用于中红外应用的光子锗平台
基于GE的集成光子回路过去10年中，基于锗(Ge)的光电元件得到了发展，拓展了硅(Si)光子回路的潜力。光电探测器、调制器和Ge-on-Si激光器已经在中红外区得到演示。Ge的主要优势在于它的透明窗口大，波长范围从1.8至14μm，并且与CMOS兼容。Ge和SiGe合金很快被视为开发集成光子元件的首选材料。厚Ge和SiGe层(高达40%的Ge)通常在工业外延集群工具中通过化学气相沉积在200mm和300mm Si(001)晶片上生长。关于Ge和SiGe生长的更多细节可以在参考文献[1]中找到。 SiGe 或绝缘体上的 Ge（如 SiN）晶片可从之前的外延中制造出来。在这种情况下，需要将两个晶片键合在一起：第一个晶片具有 Ge 或 SiGe 外延层，上面覆盖有 SiNx 层和薄 SiO 2 层，第二个晶片是氧化 Si 晶片。在 SiO 2 到 SiO 2 键合之后，起始
功率器件 | 提高生产率和产量
在背面金属化之前，晶圆会被减薄，因为基板是设备的功能部分。300 毫米/12 英寸晶圆要么减薄到约 200 微米厚，要么遵循所谓的 Taiko 晶圆研磨原理。在后一种情况下，硅晶圆由一个外部 Taiko 环和减薄的硅膜组成。对于 300 毫米/12 英寸晶圆，该膜会根据设备电压等级减薄到 60、90 或 120 微米。薄基板的热容量低，因此需要严格控制工艺温度。沉积过程中的温度对固有薄膜应力有显著影响。为了最大限度地减少晶圆弯曲，必须最大限度地减少金属层堆栈引入的应力。CLUSTERLINE® 采用特殊的卡盘设计，可控制晶圆温度而不会损坏正面。在标准应用中，使用凹陷卡盘配置。在这种经典设计中，晶圆在沉积过程中位于外环上，从而防止与设备表面接触。然而，尽管凹陷式卡盘是一种经济高效的解决方案，但由于缺乏主动卡盘，热耦合受到限制。因此，对于需要更严格温度控制的应用，独特的 BSM-ESC（用于背面金属化的静电卡盘）是首选。
Hua Hong半导体有限公司华虹半导体有限公司
在2023年1月18日的公司宣布和2023年2月24日的公司通函中规定，Hua Hong Manufacturing将从事综合电路和12英寸（300mm）Wafers的制造和销售业务，主要采用65/55 Nm至40 nm的工艺。此后，Hua Hong Manufacturing进入了Hua Hong Manufacturing EPC合同，还与建造生产工厂，电力设施和辅助设施的建设有关，以期开发自己的生产线以制造12英寸（300mm）集成电路芯片。有关更多详细信息，请参阅2023年5月19日和2023年6月5日的公司的宣布。
芯片供应链：分叉与本土化
这是人类历史上规模最大的制造业。高度复杂的半导体供应链是周期性的和相互关联的，因此很难理清。在过去的几十年里，半导体供应链已经简单地分为三个主要生产步骤，专注于性能和能效创新，同时降低成本和缩小芯片尺寸。首先，工程师设计芯片并精心规划如何构建其电子电路。其次，通过光刻等工艺将芯片设计制造到洁净室中的硅晶片上，微小电路被一层层构建起来。最后，将制造好的芯片从晶片上切下来，封装在保护外壳中，并经过严格测试以确保功能，然后才能集成到电子设备中（参见 CSS 研究）。
芯片供应链：分叉和本地化
在人类历史上大规模提出。高度复杂的半导体供应链是偏重的和互连的，因此很难解开。在最后几个decades中，半导体供应链简单地将三个主要的生产步骤分成了分散，重点是性能和功率效率创新，同时又赋予了成本和芯片大小。首先，工程师设计芯片并精心计划如何构造其电子电路。第二，芯片设计是在洁净室的硅晶片上通过光刻造影等制造的，其中小电路逐层建造。最后，制造的芯片是从晶片上切出的，用保护性壳体包装，并进行了严格测试，以确保在将功能集成到电子设备中之前确保功能（请参阅CSS研究）。
47471684001.pdf
摘要：众所周知，在现代微电子和纳米电子学中，薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响，并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底，使用了磷掺杂的硅单晶晶片，取向为 (111) 方向，电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片（Al-Si 系统）和氧化硅晶片（Al-SiO2 系统）的温度场，既有点热源的情况，也有长矩形金属化路径的情况（假设轨道长度明显超过其宽度）。计算结果表明，金属化路径（宽度 75 μm）横向的温度分布是不均匀的。结果还表明，与 SiO2 膜相比，硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
用于堆叠芯片的芯片粘接膜 (DAF) ...
ESP7660-SC 是 AIT 广泛的 DAF 粘合剂之一，专为更高效的堆叠芯片应用而设计，具有以下优点：• 控制和定义粘合线厚度，标准应用为 10 和 20 微米，超薄堆叠应用为 3 和 5 微米。• 经过验证的低吸湿性，符合 MSL Leve1 封装要求。• 采用先进的聚合物分子工程进行应力管理。• AIT DAF 晶圆安装速度更快，在 10 秒内以 60-70°C 的滚动压力进行。• 预层压 DAF 的晶圆可以储存 3 个月，从而方便在多个地点进行制造。• 只要切割胶带兼容，就可以像没有 DAF 一样执行 UV 释放或剥离切割胶带和切割操作。• AIT 不直接提供预先层压到兼容切割胶带上的芯片贴装膜 (DAF) 粘合剂，其重复图案和指定间距与传统 DDAF 格式相同。 AIT 与晶圆安装设备合作，提供集成式整体材料-设备-工艺解决方案，以更低的成本实现更快的晶圆加工。AI Technology 提供以下形式的 DAF：1. 适用于任何尺寸晶圆的 DAF 预制件片或模切卷，覆盖在离型膜上 2. AIT DAF 材料的“液体版本”可用于定制预涂在任何尺寸厚度的晶圆上。AIT 液体版本的 DAF 具有适合筛选和旋涂的粘度。
Valley Design Corp. ISO 9001：2015 ITAR注册
Valley Design成立于1975年，在过去的四十年中，已成为高级材料加工领域的公认世界领导者。从晶状体和基板到复杂的组件，谷提供了一站式购物，用于精确捕捉，抛光，dicing，CNC微加工和其他加工服务。我们可以在您的材料或我们的材料中制造复杂的形状和特征，从熔融二氧化硅和石英到各种类型的光玻璃，96％-99.8％的氧化铝，硝酸铝，梅斯，甲金刚，碳化硅，金属，金属等。特殊功能：超薄：10µm超级粉：1/10 Wave超级抛光：1 Angstrom/10/5刮擦/挖掘/挖掘紧密公差 + 0.5µmTTV：<0.5µm的零件，从高达0.127mm平方的0.127毫米平方直至48英寸平方。我们将材料处理至超薄厚度，其中有些薄至10µm。我们使用微米级别的公差，艰难的表面表面表面，并行性和平坦的规格，并提供行业中一些最快的交货时间。我们的大量库存中有许多原材料和成千上万的成品晶片和基材有库存。使Valley设计您的一站式商店，用于晶体和底物，组件和光学元件，需要精确的打击和抛光，磨损，复杂的CNC加工以及您可能拥有的任何其他精确加工要求。来到Valley Design的精确和创新世界。