XiaoMi-AI文件搜索系统
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扭曲智能学习引擎（Wilee）
Wilee（发音为Wiley）是一种先进的，数据驱动的基于风险的决策工具，它利用AI技术来整合，处理和分析大量数据源，以使地平线扫描能力能够提供地平线，使其能够提供积极主动的姿势，以使其能够保持庞大的姿势，以使其能够保持庞大的趋势，以使发展趋势保持趋势，以准备一定的发展，而Andimise则一定要循环又有一定的发展，而Ane则是一定的，并且在一定的趋势上又能促进A A A A A A A A A A A A A A正来，并且Andimist of And of Ar Indrimiss又可以使A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A S A A A A A A S A A A S S Scks保持组上。 （操作风险 - 例如，在家禽加工中有关抗菌残留水平的USDA规则的变化），根据风险或利益相关者认为对CFSANS属性规定的物质的风险确定措施的优先级。Wilee具有多个模块，可实现市场后的监视，信号检测和知识发现。
应力膜直接图案化对马鞍形翘曲的应力分析与优化
摘要 随着三维集成电路（3D-IC）堆叠的增加，由于不对称马鞍形翘曲的增加，机械应力问题具有挑战性。通过在晶圆背面形成数十微米的沟槽或进行激光退火处理来减少不对称翘曲的各种方法已被提出，但它们的产量低或缺乏改进价值。在本文中，我们提出了一种通过在晶圆背面直接涂覆来降低取决于翘曲形状的机械应力的新方法。所提出的方法是通过使用喷墨打印对感光聚酰亚胺（PSPI）进行图案化以调整表面特性和台阶，然后沉积具有高压应力的四乙基硅酸酯（TEOS）薄膜来释放翘曲。利用ABAQUS有限元分析软件，测量了裸晶圆在工艺前后沿x轴和y轴方向的不对称弯曲变化。通过实验和仿真，在300mm晶圆上部分沉积10µm厚的TEOS膜时，x-y方向的倾斜度约为230µm。此外，利用该工艺，可以根据TEOS膜厚度和面积的变化来释放局部弯曲（翘曲）。这些结果为解决堆叠工艺引起的异常翘曲提供了有效的指导，可应用于先进封装中的3D集成。关键词 翘曲、马鞍形翘曲、NAND、3D NAND、背面图案化
扭曲是300毫米晶片出现后微电子中最重要的挑战之一。防止和理解这种现象
该项目的目的是通过利用在要模拟的过程步骤中测量所涉及的材料的固有应力来获得变形晶片的图形表示。通过应力，可以通过对扁平晶片的一系列特征进行评估，可以直接获得变形，而无需考虑导致几何形状修饰的热预算或步骤。在一个阶段进行模拟整个晶圆仍然需要无法实现的计算能力，因此有必要将模拟分为3个主要步骤：
晶圆翘曲和背面冷却条件变化对静电吸盘 (ESC) 性能的影响
在 ESC/BSG 系统中，冷却气体（氦气）的漏流被测量为夹紧性能的标准：大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧，因此冷却气体未到达晶圆。相反，少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下，20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下，弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高，漏流值已达到最大值 20 sccm。但是，只要背面冷却气体压力较低，较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说，需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆，这会导致背面冷却系统的边缘性更严格，并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
对曲速理论和技术的检验，以确定其先进性和可行性
在评估一项科学或技术概念是否值得研究的过程中，在进一步研究之前，观察其高层次的驱动概念往往是有益的。本文的目的有两个。首先，激发读者的兴趣，不断推动科学的发展，追求看似不可能的技术，而这些技术有朝一日可能会实现。其次，提供一份专门针对曲速驱动概念的“路线图”，让不熟悉该领域的人能够很好地理解其基本概念、所取得的进展以及必须解决的具体知识和技术弱点或差距。这将涵盖从时空度量的理论方面到更实用的实验，包括干涉测量和电磁学。有一点是肯定的，需要跨一系列科学和工程学科的团队合作，才能奠定进一步发展这项技术所需的基础。
BigBrainWarp 工具箱用于将 BigBrain 3D 组织学与多模态神经成像相结合
1 加拿大蒙特利尔麦吉尔大学蒙特利尔神经病学研究所和医院麦康奈尔脑成像中心；2 德国于利希研究中心神经科学与医学研究所（INM-1）；3 加拿大蒙特利尔康考迪亚大学计算机科学与软件工程系；4 英国伦敦大学学院威康信托神经影像中心；5 加拿大安大略省西安大略大学大脑与思维研究所；6 德国莱比锡马克斯普朗克人类认知与脑科学研究所奥托哈恩认知神经遗传学小组；7 德国于利希研究中心神经科学与医学研究所（INM-7）；8 加拿大伦敦西安大略大学舒立克医学与牙科学院医学生物物理学系
智能功率模块（IPMS）的扭曲建模和表征
Intelligent power modules (IPMs) are widely used in the electric vehicle (and hybrid electric vehicle industry nowadays due to their high power densityandabilitytointegratemultiplecomponentswithinasinglepackage.However,thereliabilityofIPMsisseverelydegradedbythesubstrate warpage effect produced during the packaging process.因此，本研究开发了一个计算模型，以分析包装过程的各个阶段IPM组装的经线。通过比较直接镀铜底物的经线的数值结果与实验观察结果来确认模拟模型的有效性。Taguchi experiments are then performed to examine the effects of eight control factors on the IPM package warpage following the post-mold cure (PMC) process, namely (1) the dam bar layout, (2) the epoxy molding compound (EMC) thickness, (3) the lead frame thickness, (4) the ceramic thickness, (5) the bottom layer Cu foil thickness, (6) the top layer Cu foil thickness, （7）陶瓷材料类型和（8）EMC材料类型。最后，Taguchi分析结果用于确定最大程度地减少POST-PMC软件包的经线的最佳包装设计。
功率MOSFET WAFERS的降压 - 电气
Wafer Warpage是半导体制造商面临的基线问题，实际上，在与制造功率金属氧化物半导体磁场效应晶体管（MOSFET）的制造的人中尤为明显。这是因为垂直MOSFET与传统的外侧对应物相比会经历更大的经线效应。wafers超过其临界价值的瓦金（Wafers）在自动处理过程中无法通过吸尘器吸附来削减其临界价值；晶圆上制造的设备也面临可靠性问题。本文介绍了用于减少电源MOSFET晶体经纪的各种机制的分析。通过改变背面金属化（BSM）厚度，膜沉积的溅射功率和晶片温度（即将低温条件引入过程中）来检查扭曲行为。结果表明，当前端制造过程完成后，BSM厚度和晶圆的温度都与晶圆经膜的相关性明显相关。晶圆弓水平与溅射功率的大小直接成比例。当溅射功率降低时，诱发残留应力较小以变形晶片结构。因此，可以调整溅射功率，以确保扭曲效应保持在其临界值以下。关键字：经形，功率MOSFET，残余压力，背面金属化，溅射功率，低温温度