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Gaoyang Zhao, Zhen Wei, Weilei Wang, Daohuan Feng, Aoxue Xu, Weili Liu*, and Zhitang Song Review on modeling and application of chemical mechanical po
摘要：随着集成电路技术的发展，特别是进入亚微米工艺之后，关键尺寸的缩小和高密度器件的实现，集成电路材料层之间的平整度变得越来越关键。因为传统的机械抛光方法不可避免地会在金属甚至电介质层中产生与器件相同尺寸的划痕，导致光刻中的景深和聚焦问题。第一个实现应用的平坦化技术是旋涂玻璃（SOG）技术。但是该技术不仅会引入新的材料层，而且无法达到VLSI和ULSI技术所要求的整体平坦化。而且旋涂过程中的工艺不稳定性和均匀性无法满足晶圆表面的高平坦度要求。而一些技术如反向刻蚀和玻璃回流虽然可以实现亚微米级的区域平坦化。当临界尺寸达到0.35微米(亚微米工艺)后,上述方法已不能满足光刻和互连制造的要求.20世纪80年代,IBM首次将用于制造精密光学仪器的化学机械抛光(CMP)技术引入到DRAM制造中[1].随着CMP技术的发展,DRAM的制造工艺也发生了巨大的变化.
克莱奥：2011
Yujie Ding，美国利哈伊大学，主席 Weili Zhang，美国俄克拉荷马州立大学，替补主席 Jerry Chen，美国麻省理工学院林肯实验室 Nils Fernelius，美国空军研究实验室 Manfred Helm，德国德累斯顿-罗森多夫研究中心 Iwao Hosako，日本国立信息通信技术研究所 Hiromasa Ito，日本理化学研究所 Peter Jepsen，日本理工大学丹麦，丹麦 Thomas Kleine-Ostmann，德国联邦物理技术研究院 Ajay Nahata，Univ.美国犹他州 Tsuneyuki Ozaki，国家科学研究所加拿大科学研究中心 Ci-Ling Pan，Natl.清华大学，中国 石伟，NP Photonics，Inc.，美国 David Zimdars，Picometrix，LLC，美国
美国代表的报告举行了CCPR
背景和代表制法典农药残留委员会（CCPR55）的第55届会议于2024年6月3日至6日在中国成都举行，并于2024年6月8日采用了报告。该会议由农业和农业事务部（ICAMA）副控制学院副总监Weili Shan博士主持，并由ICAMA部门主任Lifang Duan博士共同主持。会议由48个成员国，一个成员组织（欧盟）和13个观察员组织参加。美国由美国代表美国环境保护署（EPA）的代表Aaron Niman，农药计划办公室，以及美国农业部（USDA）（USDA），食品安全与检查服务局（FSIS）的替代代表Alexander Domesle，以及美国法典办公室（USCO）和外国农业服务（FAS）的其他美国代表团成员美国食品和药物管理局（FDA）的食品安全与应用营养中心（CFSAN）；和三位非政府顾问。