XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemWt
INCB161734：一种新颖，有效和口服的可生物可利用KRAS G12D选择性抑制剂在KRAS G12D突变肿瘤中表现出抗肿瘤活性
INCB161734与具有皮摩尔亲和力（K D）的开关II袋中的G12D突变体的GDP和GTP形式结合，并且对野生型（WT）KRAS的选择性> 80倍。INCB161734在无细胞测定中（IC 50 <3 nm）中有效抑制SOS1依赖性GDP/GTP交换活性，并且对G12D与WT KRAS的选择性> 40倍。此外，使用G12D突变体与WT癌症衍生的细胞系，在各种细胞测定中，INCB161734在WT中表现出高于WT的高选择性。INCB161734有效抑制ERK磷酸化（KRAS活性的相关性），在7个小鼠G12D细胞系中，平均IC 50中的平均IC 50中的14.3 nm（范围：1.9-45.2 nm）；在14 wt细胞系中，在1μM（最大测试浓度）下观察到平均21.5％的抑制作用。同样，INCB161734抑制G12D突变细胞系的增殖，平均IC 50中的154 nm中的IC 50（范围：8.3-318 nm）横跨相同的7人G12D细胞系；在相同的14 wt细胞系中，在1μm处观察到<30％的抑制作用（平均13％）。用INCB161734处理在PDAC细胞系（G12D HPAC）中诱导caspase 3/7裂解，EC 50 <100 nm； WT细胞系中的caspase 3/7切割（NCI-H838）未以高达5μm的剂量诱导。此外，INCB161734在G12D HPAC细胞系中诱导细胞周期停滞（S期抑制），IC 50 12.8 nm； WT NCI-H838细胞系中的S期抑制仅以更高的剂量发生（IC 50>3.3μm）。
CRISPR/基因编辑技术为阿尔茨海默病创造了新的治疗可能性
方法：为了评估我们的方法在体内的安全性和有效性，我们使用了两种不同的 CRISPR 编辑方法。首先，我们通过向胚胎注射 APP C 端靶向 CRISPR 在 Wt 和 APP 敲入 (APP NL-GF ) 小鼠中生成种系编辑。然后，我们选择创始者来生产稳定的 WT 和 APP-KI 菌株，其中 APP C 端被基因组删除（分别称为 WtΔC 和 KI-ΔC 小鼠）。在另一组实验中，我们将 APP C 端 CRISPR 包装到 AAV 载体中，并将 AAV 系统性注射到 APP-KI 小鼠体内。结果：与 Wt 对照相比，WtΔC 没有表现出认知缺陷或组织学异常。KI-ΔC 显示淀粉样蛋白 β 斑块和相关神经炎症标志物显著减少，并且在用 AAV 治疗的 KI 小鼠中也观察到了类似的结果。此外，种系和体细胞 APP C 端编辑均导致神经保护性 sAPPα 的增加。
PBFT02 的非临床和早期临床开发，这是一种针对 GRN 突变 FTD 的 AAV 基因疗法（FTD- GRN）
## p < 0.01；### p < 0.005 vs WT；* p < 0.05，*** p < 0.005 vs Grn –/– + V，单因素方差分析，然后进行 Tukey 多重比较检验。缩写；GRN，颗粒蛋白基因；ICV，脑室内；V，载体；WT，野生型 Grn –/– 和 WT 小鼠（n=14-15/gp）ICV 给药 PBFT02 或载体（V）。基线对照是第 1 天未经治疗的小鼠。条形图：平均值 +/- SEM。
探索钙离子电池的阳极-UCL Discovery
对应物，由于它们在相同浓度下每个原子释放更多电子的能力。7钙（Ca/ca 2+; 2.87 V与标准氢电极（She））的降低潜力略高于锂（li/li+; 3.04 v vs. she）的潜力略高，但仍比比较多价离子（例如铝（例如al/al/al 3+; 1.68 V vs. vsshe; 1.68 v vs. vsshe）和Magnesium（Mg; 1.68 v vs.she）和Magnesium（mg/mg/mg 2 v. vs.2.36）低得多。8,9这意味着钙可以在与锂的电压类似的电压下执行。钙另外具有2073 mA H CM 3的理论容量，类似于锂的钙容量，但低于镁（3832 mA H CM 3）和铝（8046 mA H CM 3），尽管它们的负降低势更低，导致其细胞电压较低。10–12钙具有比镁（Ca 2+；0.99Å，mg 2+;0.66Å）更大的有效离子半径，同时携带等效电荷，这可能会促进电极中较低的电荷密度，但比其他金属离子离子替代品的功率密度相对较高。13此外，钙具有较弱的电荷密度，与溶剂的配位较弱，而不是镁的动力学能力。14在审查可行的金属离子选项时，必须考虑地球丰度，因为它可以透视某些电池研究途径的寿命和可用性。铝含量最高的可行载体（8.13 wt％），其次是钙（3.63 wt％），钠（2.83 wt％），钾（2.59 wt％），岩浆（2.59 wt％），岩浆（2.09 wt％）和LITHIUM（0.09 wt％）和LITHIUM（0.09 wt％），0.000065 WT％）。15钙的含量较高，使其成为强大且可行的选择。钙离子电池（CIB）没有看到与钾和钠离子相同的成功，这是由于当前使用的电解质的性能不佳，Ca 2+在阴极材料中的互动不佳，低工作伏特（O 2.0 V）和钙金属的Anodic
精神分裂症相关基因AS3MT的功能表征鉴定出在神经元发育中的作用。
图4在分化的AS3MT敲除和野生型细胞系之间未观察到形态差异：使用10μM视黄酸的细胞系在7天内使用10μM视黄酸和1％FBS在酸蚀刻，层粘连蛋白和多赖氨酸和多赖氨酸覆盖的覆盖物上覆盖，以获取MAP2，以获取MAP2，以获取cytoskeposkemeleckkeletalsmembeletalmarkeral。（a）敲除（KO）或野生型（wt）AS3MT线之间的MAP2 +单元总数没有差异（t检验，T [0.875] = 1.19，p = 0.523）b）kO和WT AS3MT线之间的细胞面积没有差异（T AS3MT test test，t test，T [1.98] [1.98] = 1.198]，P。c）KO和WT AS3MT线之间的最长神经突长度没有差异（t检验，t [1.99] = 1.10，p = 0.386）。d）KO和WT AS3MT线之间的总神经突长度没有差异（t检验，t [1.11] = 0.937，p = 0.508）。在两个独立的KO/WT细胞系上进行了三个技术重复，进行了每个实验。条代表每个基因型的两个细胞系的平均值。错误是平均值±SEM
使用微结构光学探针进行 NFA 混合
图 1：O-IDFBR（a）、O-IDTBR 和 EH-IDTBR（b）的化学结构，P3HT：O-IDFBR（红色方块）（c）、P3HT：O-IDTBR（蓝色圆圈）、P3HT：EH-IDTBR（绿色三角形）（d）二元共混物的相图，这些共混物是基于首次加热 DSC 热分析图获得的。根据熔点下降情况，O-IDFBR 最初倾向于与 P3HT 混合，而不是 O-IDTBR 和 EH-IDTBR。二元 P3HT：O-IDFBR 的相图显示 40-80 wt％ O-IDFBR 的组成窗口，其中 O-IDFBR 没有熔点下降，而 P3HT 熔点下降高达 70 wt％ O-IDFBR。 40 wt% O-IDTBR 和 50 wt% EH-IDTBR 的共晶组成表明，与 EH-IDTBR 相比，O-IDTBR 的纯初晶开始发育得更早，且 O-IDTBR 的组成更低，这与 O-IDTBR 比 EH-IDTBR 具有更平面（潜在结晶）的化学结构相一致。e)、（f）：测得的器件短路电流密度 J sc ，作为 P3HT：O-IDTBR 和 P3HT：O-IDTBR 非退火混合器件组成的函数。J sc 在共晶组成即 40-50 wt% 附近达到峰值，而 P3HT：O-IDFBR 的 J sc 峰值远低于可能的 80 wt% 共晶组成。
锂加工 - Spodumene过滤溶液
锂离子电池对其制造中使用的材料具有严格的纯度要求。杂质会导致充电性能差，包括车辆的操作范围减少，更频繁的充电，电池从较冷的温度开始以及在某些极端情况下，电池着火了。当前锂转换实践的一个主要问题是生产高质量锂产品的可靠操作。氢氧化锂和碳酸锂的表2中提供了电池等级纯度规格。对于碳酸锂，最低纯度需求为99.5 wt％，氢氧化锂单盐酸锂（lioh-H2O）的氢氧化物（LIOH-H2O）为56.5 wt％的氢氧化锂（LiOH）以57.0 wt％的理论最大纯度为57.0 wt％。
esee1125.pdf
探测原子形成的多苯胺/多吡咯/碳纳米管纳米管纳米复合材料Pawan Sharma，1 Kartika Singh，1 Akshay Kumar，2 Deepak Kumar，2 Harish Mudila，1 Harish Mudila，1 Udayabhaskar Rednam，3 P. E. Lokhan，3 p.e. lokhan and* Kumar 1， *抽象化学氧化聚合已用于合成聚苯胺/多吡咯/碳纳米管（PANI/PPY/CNT）三元纳米复合材料。过硫酸铵和盐酸分别用作氧化剂和掺杂剂。在这些纳米复合材料中，PPY充当Pani和CNT基质中的填充剂。应用各种物理化学技术来评估纳米复合材料的结构和热性质。观察到，与1 wt％，2 wt％和4 wt％的PANI和CNT矩阵中的负载相比，0.5 wt％的PPY载荷表现出更大的结晶度和热稳定性。
芯片液体金属塞发电机
镀仑及其合金在近年来引起了人们的关注。[1,2]尽管凝胶的熔点为29.8°C，但它可以与其他金属合金（例如impium（in）和TIN（SN）（SN）合成，以进一步降低其熔点。在过去的十年中，特定的焦点一直放在共晶的gal- lium im依（Egain; 75 wt％ga，25 wt％in;熔点：14.2°C）和galinstan（68.5 wt％ga，21 wt％，21 wt％，21 wt％in，10 wt％sn; 10 wt％sn;熔点：13.2°C）。[3]这些基于甘露的液体金属合金具有包括高电导率在内的金属的证明（约3.4×10 6 s m-1，比铜低约17倍），低粘度（大约是水的粘度的两倍），高表面张力（大约600-700-700-700 mn-m-nm-n m-nm-n m-nm-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n ligible vapor and pa pa and pa pa and paepers），<<10 - <处理无需在烟雾罩中工作。[4] Gal-Instan和Egain在微电力机械系统和微富集学中引起了人们的关注，其应用，包括可拉伸的电子设备，[5,6]可重新配置的天线，[7,8]软机器人和可穿戴设备，[9-11]微流体的固定器，[9-11]微流体 - 液化剂，[12,14-14] [12,1,3] [12,-1--13]。液滴发生器。[15,16]由于固有的挑战，诸如将液体金属注入微通道内部，因此由于它们的高表面十足，液滴发生器允许可重复生成可配置尺寸的液滴的生成仍然具有挑战性。这样的液滴发生器将为执行器等应用的纳米和微螺旋铺平道路，[17,18]泵，[19,20]触觉设备，[21]