参考文献[1] D. F. Agterberg,J。C。S. Davis,SS。 D. Edkins,E。Fradkin,D。J。van Harlingen,St.A.Kivelson,P。A。Lee,L。Radzihovsky。 修订版 条件。 物理问题。 11,231(2020)。 R. Comin和A. Damascus,Annu。 修订版 条件。 物理问题。 7,369(2016)。 [3] JM Tranquad,P。 修订版 Lett。 79,2133(1997)。 G. Fabbris,D。Meyers,L。Xu,M .. M. P. M. Dean,物理。 修订版 Lett。 118,156402(2017)。 [5] T. Hotta和E. Dagotto,物理。 修订版 Lett。 92,227201(2004)。 J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。 [7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。 物理。 106,104116(2009)。 C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。 修订版 Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。van Harlingen,St.A.Kivelson,P。A。Lee,L。Radzihovsky。修订版条件。物理问题。11,231(2020)。R. Comin和A. Damascus,Annu。修订版条件。物理问题。7,369(2016)。[3] JM Tranquad,P。修订版Lett。 79,2133(1997)。 G. Fabbris,D。Meyers,L。Xu,M .. M. P. M. Dean,物理。 修订版 Lett。 118,156402(2017)。 [5] T. Hotta和E. Dagotto,物理。 修订版 Lett。 92,227201(2004)。 J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。 [7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。 物理。 106,104116(2009)。 C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。 修订版 Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。Lett。79,2133(1997)。 G. Fabbris,D。Meyers,L。Xu,M .. M. P. M. Dean,物理。 修订版 Lett。 118,156402(2017)。 [5] T. Hotta和E. Dagotto,物理。 修订版 Lett。 92,227201(2004)。 J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。 [7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。 物理。 106,104116(2009)。 C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。 修订版 Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。79,2133(1997)。G. Fabbris,D。Meyers,L。Xu,M .. M. P. M. Dean,物理。修订版Lett。 118,156402(2017)。 [5] T. Hotta和E. Dagotto,物理。 修订版 Lett。 92,227201(2004)。 J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。 [7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。 物理。 106,104116(2009)。 C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。 修订版 Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。Lett。118,156402(2017)。 [5] T. Hotta和E. Dagotto,物理。 修订版 Lett。 92,227201(2004)。 J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。 [7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。 物理。 106,104116(2009)。 C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。 修订版 Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。118,156402(2017)。[5] T. Hotta和E. Dagotto,物理。修订版Lett。 92,227201(2004)。 J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。 [7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。 物理。 106,104116(2009)。 C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。 修订版 Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。Lett。92,227201(2004)。 J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。 [7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。 物理。 106,104116(2009)。 C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。 修订版 Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。92,227201(2004)。J. MM Tranquad,B。J。Sternlieb,J.D.Ax,Y。[7] M. Filippi,B。Kundys,St.Agretini,W。Preller,H。Oyanagi,N。L。L. Saini,J。Apple。物理。106,104116(2009)。C. H. H. Chhen,St。W。Cheong和A. St. Cooper,物理。修订版Lett。 71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。Lett。71,2461(1993)。 [9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。 Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。 修订版 Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。71,2461(1993)。[9] St. M. H. H. Lander,J。Zarestky,P。J。Brown,C。Stassis,P。Metcalf和JM Honig,物理。修订版Lett。 68,1061(1992)。 [10] St. W. Cheong, 修订版 b 49,7088(1994)。Lett。68,1061(1992)。[10] St. W. Cheong,修订版b 49,7088(1994)。[11]修订版Lett。 79,2514(1997)。 [12] W. Bao,R。Heffner,J。L. L. 修订版 Lett。 84,3978(2000)。 M. E. Ghazi,P。D。Spencer,St.B.Wilkins,P。D。Hatton,D。Mannix,D。Prabhakan,A。T。Boothroyd和St. W. Cheong,Phys。 修订版 b 70,144507(2004)。 [14] R. Kakeshita,H。Yoshiza,T。Tanabe,T。Kassufuji和Y. 修订版 b 64,144432(2001)。 [15] P. G. Freeman,A。T。Boothroyd,D。Prabhakaran,M。Enderle和C.需要,物理。 修订版 b 70,024413(2004)。 [16] 修订版 b 73,094429,094429(2006)。Lett。79,2514(1997)。[12] W. Bao,R。Heffner,J。L. L.修订版Lett。 84,3978(2000)。 M. E. Ghazi,P。D。Spencer,St.B.Wilkins,P。D。Hatton,D。Mannix,D。Prabhakan,A。T。Boothroyd和St. W. Cheong,Phys。 修订版 b 70,144507(2004)。 [14] R. Kakeshita,H。Yoshiza,T。Tanabe,T。Kassufuji和Y. 修订版 b 64,144432(2001)。 [15] P. G. Freeman,A。T。Boothroyd,D。Prabhakaran,M。Enderle和C.需要,物理。 修订版 b 70,024413(2004)。 [16] 修订版 b 73,094429,094429(2006)。Lett。84,3978(2000)。 M. E. Ghazi,P。D。Spencer,St.B.Wilkins,P。D。Hatton,D。Mannix,D。Prabhakan,A。T。Boothroyd和St. W. Cheong,Phys。 修订版 b 70,144507(2004)。 [14] R. Kakeshita,H。Yoshiza,T。Tanabe,T。Kassufuji和Y. 修订版 b 64,144432(2001)。 [15] P. G. Freeman,A。T。Boothroyd,D。Prabhakaran,M。Enderle和C.需要,物理。 修订版 b 70,024413(2004)。 [16] 修订版 b 73,094429,094429(2006)。84,3978(2000)。M. E. Ghazi,P。D。Spencer,St.B.Wilkins,P。D。Hatton,D。Mannix,D。Prabhakan,A。T。Boothroyd和St. W. Cheong,Phys。修订版b 70,144507(2004)。[14] R. Kakeshita,H。Yoshiza,T。Tanabe,T。Kassufuji和Y.修订版b 64,144432(2001)。[15] P. G. Freeman,A。T。Boothroyd,D。Prabhakaran,M。Enderle和C.需要,物理。修订版b 70,024413(2004)。[16]修订版b 73,094429,094429(2006)。
摘要随着半导体设备的大小减小,结构和材料变得越来越复杂,因此制造这些设备变得越来越困难。IC研发(R&D)的复杂性和大容量制造(HVM)的规模大大增加了达到最终产量所需的成本和时间。芯片制造商,设备制造商和软件公司正在广泛的应用程序中探索和部署机器学习(ML)技术,包括流程开发,生产维护,计量和收益率改善,以解决这些扩展问题。拥有十多年的专业知识为半导体制造部署ML技术,LAM Research已开发了多种智能工具和ML解决方案,以优化半导体制造中的质量,效率以及生产力以及加速创新。在本文中,LAM的两个智能工具 - Semulator3D®和设备智能®DATAANALYZER(EI-DA) - 介绍了用于演示在R&D和HVM期间如何使用LAM的先进技术来有效地生产最先进的微芯片。
通过功率循环测试对使用改进的互连技术的最新标准双功率模块进行老化调查 Yi Zhang a,* 、Rui Wu b 、F. Iannuzzo a 、Huai Wang aa AAU Energy,奥尔堡大学,丹麦奥尔堡 b Vestas Wind Systems A/S,丹麦奥胡斯 摘要 为硅和碳化硅设备开发了最新标准“新型双”功率模块,以满足高可靠性和高温电力电子应用日益增长的需求。由于新封装刚刚开始投放市场,其可靠性性能尚未得到充分研究。本文研究了基于新封装的 1.7 kV/1.8 kA IGBT 功率模块的功率循环能力。对功率循环前后的电气和热性能都进行了研究。在 Δ T j = 100 K 和 T jmax = 150 ° C 的条件下经过 120 万次循环后,芯片和键合线均没有明显的性能下降。尽管如此,在测试环境中,在约 600 k 次循环后,已达到导通电压 (V ce ) 增加的寿命终止标准。进一步的扫描声学显微镜测试发现,疲劳位置从传统的近芯片互连(例如,键合线剥离)转移到直接键合铜 (DBC) 基板和底板层。考虑到新封装的循环寿命是传统功率模块的十倍以上,预计随着互连技术的进一步改进,热机械疲劳将不再是限制寿命的机制。同时,随着先前的瓶颈(例如,键合线)得到解决,一些新的疲劳机制(例如,DBC 的分层)在新封装中变得明显。
这是预发布版本。以下出版物 Wang, J., Guo, X., Du, X., Liang, J., Wu, J., Zhao, G., ... & Zhu, Y. (2022). Revealing the complex lithiation pathways and kinetics of core-shell NiO@ CuO electro- Energy Storage Materials, 51, 11-18 可在 https://doi.org/10.1016/ j.ensm.2022.06.022 上找到。
学历2021博士学位:弗吉尼亚理工大学;计划,治理和全球化; 2017年硕士:北京邮政与电信大学,信息安全; 2014BS/BA:西迪安大学,信息安全。
1 四川大学华西医院医务管理部,成都 2 四川大学华西医院国家老年医学临床研究中心麻醉科,成都 3 四川大学华西医院国际医学中心国家老年医学临床研究中心全科医学科,成都 4 四川大学华西医院运营管理部,成都 5 四川大学华西医院肿瘤中心、国家生物治疗重点实验室放射肿瘤科,成都 6 四川大学华西医院中国循证医学中心、国家老年医学临床研究中心、四川省护理重点实验室期刊出版社部,成都 7 贝尔法斯特女王大学北爱尔兰方法学中心,贝尔法斯特,英国 * 这些作者贡献相同
免疫细胞功能,增加肿瘤对免疫治疗的敏感性(6,7)。小分子抑制剂利用其免疫调节特性,可以优化治疗结果,改善患者反应,为推进癌症治疗提供新的机会(8)。在癌症免疫治疗中,使用小分子抑制剂作为佐剂的概念涉及利用这些药物的免疫调节作用来增强免疫治疗的有效性。例如,小分子抑制剂可以调节肿瘤微环境,增强免疫细胞功能,增加肿瘤对免疫治疗的敏感性,并获得更好的治疗结果(9-11)。在癌症治疗中使用小分子抑制剂作为佐剂是一个快速发展和扩大的领域。通过研究小分子抑制剂如何与免疫疗法相互作用,优化治疗方案,预测患者对治疗的反应,可以为未来的癌症治疗提供更多的机会和改进。在这篇综合评论中,我们深入探讨了小分子抑制剂作为癌症免疫治疗辅助剂的不断发展的作用,探索了它们的作用机制、临床应用以及改善治疗结果的潜力。
感染(2,3)。HCC的治疗选择包括手术、肝移植、局部区域治疗和分子靶向免疫治疗等(4,5)。目前,肝切除术是HCC的主要治疗选择,但由于诊断晚期、多发性肿瘤、供体来源有限等因素,仅21%的患者有机会接受肝移植(6)。在肿瘤数量有限(即1个直径≤5cm的结节或≤3个直径≤3cm的结节)、肝功能良好[Child-Pugh评分(肝功能指数)≤6](7,8)的患者中,手术切除可实现73.6%的5年生存率。由于肿瘤多、大、血管侵犯、肝外转移、肝功能不全等高危复发因素(9,10),HCC切除后5年内转移复发的概率为60%~70%,因此,对于复发风险高的HCC患者,完善术后辅助治疗势在必行。
摘要 肝细胞癌(HCC)占所有原发性肝癌的75%-85%,是癌症相关死亡的主要原因。中国占全球HCC发病率和死亡率的近一半。化疗药物和靶向药物反应不佳可能是由于HCC的耐药性、异质性、严重的慢性肝损伤和肝硬化。恢复慢性损伤引起的肝脏微环境变化至关重要。免疫治疗似乎在治疗炎症损伤引起的HCC方面显示出希望。然而,独特的肝脏免疫系统和常驻免疫耐受状态也对HCC免疫治疗提出了挑战。已经开发了不同的策略组合来增强HCC治疗。本文将讨论HCC的免疫微环境和免疫治疗及联合治疗策略的进展。
摘要 引言 罕见实体瘤的临床研究有限,国内对罕见实体瘤的诊疗指南较少,包括靶向治疗和免疫治疗经验较少,导致治疗选择有限且疗效不佳。本研究首先提出罕见肿瘤的定义,并测试靶向和免疫治疗药物对治疗罕见肿瘤的初步疗效。 方法与分析这是一项在标准治疗失败的晚期罕见实体瘤患者中进行的II期、开放、非随机、多组、单中心临床试验,旨在评估靶向药物对具有相应可行改变的晚期罕见实体瘤患者的安全性和有效性,以及免疫检查点(程序性死亡受体抑制剂1,PD-1)抑制剂对不具有可行改变的晚期罕见实体瘤患者的安全性和有效性。晚期罕见肿瘤患者,若经标准化治疗无效,且携带可操作性变异(表皮生长因子受体(EGFR)突变、ALK 基因融合、ROS-1 基因融合、C-MET 基因扩增/突变、BRAF 突变、CDKN2A 突变、BRCA1/2 突变、HER-2 突变/过表达/扩增或 C-KIT 突变),则纳入靶向治疗组,并给予相应的靶向药物。若患者无可操作性变异,则纳入 PD-1 抑制剂组,并接受信迪利单抗治疗。接受维莫非尼、尼拉帕尼和哌柏西利治疗的患者产生耐药后,将接受信迪利单抗或帕博西尼联合治疗