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bi2O3 – al2O3 - 与MNO合成的Mgo眼镜
当前的工作旨在计算六个样本的伽马射线屏蔽系数。样品为65b 2 O 3 .20bi 2 O 3 .10Al 2 O 3。（5-X）MGO。XMNO（0≤x≤1mol％）。使用熔体淬火方法准备了这些样品。该研究测量MAC（质量衰减系数）和线性衰减系数（μm，μ）。它还计算半价值层，十值层（TVL）和平均自由路径（MFP）。使用PHY-X/PSD和XCOM程序进行计算，以1keV-100GEV为单位。该研究讨论了将结果彼此比较，表明了良好的一致性。该研究显示了许多结果，例如何时能量高于10 MEV。低光子能区域中有许多峰（<0.1 MEV）。具有最大MNO组成S6的玻璃样品显示了M-，L-和K-吸收光电边缘的许多峰。PHY-X/PSD和XCOM软件产生的测量值显示出良好的一致性。另外，HVL与材料密度之间存在负相关。此外，随着光子的入射能增加到5 MeV，MFP和HVL值开始较低，不断增加。超过5 MeV，具有能量，HVL和MFP轻轻掉落。半价值层值随密度和MNO内容的增加而下降。
使用像素化TLBR半导体检测器
可以轻松地从指示信号的阳极像素中确定。确定相互作用深度有两种可能性。第一个是使用阴极和阳极像素之间的信号比。由于短像素效应，阳极像素的诱导信号几乎不受相互作用深度的影响，而在平面阴极上诱导的信号直接取决于相互作用的深度。因此，阴极与阳极的信号比可以是相互作用深度的索引。第二种可能性是使用电子迁移时间，可以从诱导信号的脉冲形状确定。以前的可能性很难确定多个相互作用位置，而后者则适合同时确定它们。在包括SI，CDTE和TLBR在内的半导体材料中662 KEV Gamma射线的康普顿散射的线性衰减系数分别为0.18、0.37和0.47 cm -1。这些值是从NIST XCOM处的光子横截面数据计算得出的。（14），由于TLBR的线性衰减系数最高，因此TLBR有望用于构建具有高检测效率的康普顿成像仪。在这项研究中，我们使用制造的像素化TLBR半导体检测器来证明康普顿成像实验，其中使用电子迁移时间确定相互作用深度。我们还讨论了确定相互作用点的顺序顺序的策略，这对于基于康普顿成像估算入射伽马射线方向很重要。