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目前 CMOS 的行业标准 XOR 和 XNOR 门分别由 12 个和 10 个晶体管组成。由于 XOR/XNOR 在许多功能模块中被广泛使用,因此可以降低晶体管数量以产生低功耗电路。作为一种解决方案,提出了一种利用对称布尔函数的特殊性质实现低晶体管数量 XOR/XNOR 门的方法。此特性表明,使用特殊的晶格结构电路可以用更少的晶体管实现此类功能的电路。对原始晶格结构进行了修改,以符合当前 CMOS 技术要求。最终电路需要八个晶体管用于 XOR/XNOR,并在上推和下拉网络中混合使用 NMOS 和 PMOS。模拟表明,XOR/XNOR 的预期逻辑功能已实现。然而,实际电压摆幅的读数表明,当 NMOS 和 PMOS 分别作为下拉或上推网络时,输出要么高于地 0.3 V,要么低于 VDD。如果只有 NMOS 处于上推状态或只有 PMOS 处于下拉状态,则可观察到 0.4 V 的更大电压损失。作为一项初步工作,功能逻辑级别的实现保证了未来开展更多工作以改善输出电压摆幅的损失。