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化学 - 欧洲杂志
一般方法S2合成芳唑酯的一般程序1 S3程序，用于合成苯胺前体2q和2R S7的一般方法，用于光促进RGO S8 XPS的功能化功能化功能化的1- RGO材料S10 XP的rgo材料与纤维中的靶标S11 XPS的功能性S11 S11 XPS XPS xps apper， molecules S12 XPS of rGO functionalized with bromine-bearing target molecules S13 XPS of rGO functionalized with pyridine and thiophene-bearing target molecules S14 XPS of rGO functionalized with iodine-bearing target molecules S15 XPS characterization of the functionalized 1 - GO S16 Procedure for the Suzuki coupling on functionalized 1m - rGO S18 XPS结合能和C 1S拟合了功能化1A -HOPG S23吸收光谱S25 NMR光谱S33 S33参考S42
PHI GENESIS - 表面分析
“PHI GENESIS”XPS 提供高速、高灵敏度和压倒性的微 XPS 分析性能，具有自动多样品分析和自动样品交换功能。具有改进计数率的高灵敏度分析仪也有助于提高性能。迄今为止，ULVAC-PHI 和 ULVAC-PHI 的子公司 Physical Electronics USA 已经开发出各种世界首创的 XPS 分析技术，包括扫描微 XPS 和 HAXPES（硬 x 射线光电子能谱）、全自动机器人 XPS 分析、全自动绝缘体中和分析、使用集群蚀刻离子枪对有机材料进行深度剖析。所有这些技术都集成到一台仪器中，从而可以为包括金属、半导体、陶瓷和有机材料在内的各种材料提供最先进的 XPS 分析技术。
推荐使用X射线光电学光谱量化氧空位的策略
氧空位在塑造金属氧化物的特性中起着至关重要的作用，例如催化，铁电性，磁性和超导性。尽管X射线光电子光谱（XPS）是一种健壮的工具，但准确的氧气空位定量仍然是一个挑战。XPS分析中的一个常见错误是将O 1 S光谱中的531 - 532 eV特征与氧空位相关联。这是不正确的，因为空的氧气位点不会发出光电子，因此不会产生直接的XPS光谱特征。为了解决这个问题，我们提出了三种通过间接特征通过XPS进行氧气空位分析的替代方法：（1）量化阳离子价状态变化，（2）通过归一化的氧气光谱强度和（3）评估FERMI能量从粘合En-Ergy中的电量移位来评估Fermi Ensightic Engy的Fermi Ensive变化。推荐的策略将促进氧气空位的精确XPS分析，从而促进未来的理解和操纵氧空位以进行先进材料开发的研究。
材料化学-RSC出版
可用于探测材料表面的元素，电子和化学特性。11–14虽然通过峰值解构对XPS数据的解释很普遍，但对技术的基本理解和对正确数据处理的欣赏通常却经常丢失。15最近，在XPS领域的领先从业人员之间的社区努力中准备了一系列宝贵的指南，目的是使XPS的新研究人员能够计划实验并将其数据理解到高水平。本系列发表在“ X射线光电子光谱的实用指南”中，例如“用于X射线光电子光谱的实用指南：规划，进行和报告XPS测量的第一步” 16和“实用曲线拟合X射线光电机光谱曲线光谱”的实用指南。17此外，还有许多先进的技术，许多材料科学家都不熟悉。此外，XPS制造商的当前重点是使用表面探针的组装对单个分析点进行的高吞吐量检查，甚至是非表面特定技术（例如拉曼光谱）。由于此类系统的可用性变得更加广泛，因此需要对多技术表面分析的能力，优势和弱点进行广泛了解。本综述旨在强调使用基于实验室的XP和相关表面技术的材料分析这种组合方法的好处。在基于实验室的系统（离子散射，紫外光电器，螺旋螺旋发射和电子能量损失光谱）上最常规发现的那些实验探针的应用，尽管许多其他补充
极化子跳跃在所有无定形阴极电致色素氧化物中诱导的双波段吸收
图1个极化子跳跃在WO 3中诱导的双波段吸收。A在不同时间间隔的GalvanoStatic电荷插入后WO 3膜的原位光学透射率。b，在450 nm（表示可见范围）和1100 nm（代表NIR范围）的WO 3膜的电荷能力的函数。c，od光谱是波长的函数，以及北极理论的吸收系数的理论计算。理论曲线已分解为下两个面板中的两个偏振子峰。d，在电荷插入过程中在不同时间的WO 3（W 4 F峰）膜的XPS光谱。e，d中XPS光谱得出的相应的W值的比例。XPS光谱和其他电荷插入状态的比例可在图中看到S6。f，C（A 1，A 2;左侧尺度）的两个峰的振幅显示为LI插入时间的函数，并将其与位点饱和理论获得的跳跃效率（H.E;右手尺度）相比。H.E.通过45分钟XPS的插值在D下降到零，从而获得了15和30分钟的点。
用软、硬 X 射线比较光电子能谱分析石墨烯纳米片形貌对功能化的影响
自从分离出来以来，石墨烯就因其独特的性质而受到学术界和工业界越来越多的关注。然而，“我的材料是什么”的障碍阻碍了进一步的商业化。X 射线光电子能谱 (XPS) 被认为是一种确定元素和化学组成的首选方法。在这项工作中，研究了石墨烯颗粒形貌对 XPS 结果的影响，并调查了其作为 X 射线能量的函数的关系，使用具有 Al K 𝜶 辐射的传统 XPS 和使用 Cr K 𝜶 辐射的硬 X 射线光电子能谱 (HAXPES)。因此，信息深度在 10 到 30 纳米之间变化。为此，对两种含有石墨烯纳米片的商业粉末进行了比较，它们的横向尺寸约为 100 纳米或在微米范围内。这些较大的粉末以石墨烯层堆栈的形式存在，用扫描电子显微镜进行检查。然后用氧或氟对这两种粒子进行功能化。发现石墨烯颗粒的尺寸会影响功能化程度。只有 XPS 和 HAXPES 的结合才可以检测颗粒最外层表面甚至堆叠层的功能化，并为功能化过程提供新的见解。
用软、硬 X 射线比较光电子能谱分析形貌对石墨烯纳米片功能化的影响
自从分离出来以来，石墨烯就因其独特的性质而受到学术界和工业界越来越多的关注。然而，“我的材料是什么”的障碍阻碍了进一步的商业化。X 射线光电子能谱 (XPS) 被认为是一种确定元素和化学组成的首选方法。在这项工作中，研究了石墨烯颗粒形貌对 XPS 结果的影响，并调查了其作为 X 射线能量的函数的关系，使用具有 Al K 𝜶 辐射的传统 XPS 和使用 Cr K 𝜶 辐射的硬 X 射线光电子能谱 (HAXPES)。因此，信息深度在 10 到 30 纳米之间变化。为此，对两种含有石墨烯纳米片的商业粉末进行了比较，它们的横向尺寸约为 100 纳米或在微米范围内。这些较大的粉末以石墨烯层堆栈的形式存在，用扫描电子显微镜进行检查。然后用氧或氟对这两种粒子进行功能化。发现石墨烯颗粒的尺寸会影响功能化程度。只有 XPS 和 HAXPES 的结合才可以检测颗粒最外层表面甚至堆叠层的功能化，并为功能化过程提供新的见解。
辉光放电发射光谱法
结论 辉光放电发射光谱法在过去几年中经历了多个重要步骤，开发了多种硬件功能和附件 - 脉冲射频发生器、UFS、DiP、锂钟 - 为先进材料的表征开辟了道路。GD-OES 现在与其他技术（如 SEM 和 XPS）一起使用，一些团队正在探索通过利用每种技术的优势更好地结合使用所有这些技术的潜力。辉光放电是 SEM 和 XPS 的补充工具，不仅提供更多信息，还能够直接与这些技术交互以提高其易用性。我们了解辉光放电如何与 SEM 表征相互作用并帮助 SEM 表征。我们仍处于辉光放电和 XPS 的探索期。目前的研究针对特定材料，但将这两种技术结合起来的潜力很大，更多的时间应该会揭示该技术的全部潜力以及科学家的整体利益。