XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemXPS
Athena 传统面板接口规格 (3691289)
Athena 的传统面板接口 Athena 的传统面板接口为调光模块、开关模块和调光卡提供了一个接口，用于在 QS 链路上进行通信。特点 • 与 Athena 系统兼容。• 包括 QS 链路，用于集成和控制大多数 Lutron 调光卡和模块面板。• 一对一替换每个电路选择器、LCP128 控制器或 Softswitch 128 控制器。• 由现有的 24 V ~ 变压器或 24 V - 供电。• LED 显示诊断信息。• 按钮提供对所有非电机开关支路的本地控制。• 支持应急照明应用。• 断电记忆功能可自动将开关支路恢复到断电前设置的水平。• 使现有的 LCP、XPS、GRAFIK 4000、GRAFIK 5000、GRAFIK 6000、GRAFIK 7000 和 Quantum 安装能够将旧面板升级到 Athena。1、2、3 • 符合 BAA 要求
溶剂引导的共价有机聚合物形态转变
当 1,3,5-三苯甲醛和 2,5-二氨基苯磺酸通过席夫碱缩合反应发生反应时，只需将溶剂从 DMF 切换到 DMSO，即可合成两种不同形态的双功能共价有机聚合物，从而得到包含花型（F-COP DMF）和环状（C-COP DMSO）形态的共价有机聚合物（COP）。通过使用 TEM、SEM、XRD、FT-IR 和 XPS 分析技术进行表征，比较了合成 COP 的化学和形态性质。除了形态各异之外，还发现这两种聚合物材料具有相似的化学性质，都带有质子酸 - SO 3 H 和路易斯碱 - C=N 官能团。随后，对这两种 COP 进行了评估，用于通过果糖脱水合成羟甲基糠醛（HMF），以研究其形态依赖的催化活性。
二维炮的非线性光学活动...
图1。晶体学结构和材料表征几层气体 - 纳米片。粘液和球格式的气体晶体表示。（a）三层气体的侧视图，表现为单位电池C =17.425Å由三个气体层组成。（b）气体晶体的顶视图。在这里，GA和S原子分别用绿色和蓝色球表示。（c）SEM图像（LPE样本：左上角和ME样本：右上方）和EDS配置文件（底部）的exfoliated Gas Nanoseets。EDS轮廓中的插图指示所获得的纳米片的原子比。在（d）GA 3D和（E）S 2P和GA 3S结合能区域中气纳米的高分辨率XPS光谱。（f）具有相同强度轴的3L，10L，LPE和散装气体的拉曼光谱。散装气体的拉曼振动模式被标记为𝐸1𝑔
使用顺序氧化和脱氧氯化反应
摘要：使用O 3（臭氧）和SOCL 2（硫代氯化物）的顺序暴露证明了钼（MO）的热原子层蚀刻（MO）。原位石英晶体微量平衡（QCM）研究对溅射的Mo涂层QCM晶体进行。QCM结果表明，在短暂蚀刻延迟后，Mo Ale显示出线性质量下降与啤酒周期。每次o 3暴露都会观察到明显的质量增加。每次SOCL 2暴露都会发生巨大的质量下降。Mo Ale的每个周期的质量变化（MCPC）是在长时间的SCOL 2暴露后是自限制的。MCPC随着3个暴露时间的较长而增加。原位QCM研究表明，这种软饱和度更长的O 3暴露于Mo的扩散限制氧化引起的。mo蚀刻速率随蚀刻温度逐渐增加。在饱和条件下，在75、125、175和225°C时，mo蚀刻速率分别为0.94、5.77、8.83和10.98Å/循环。X射线光电子光谱（XPS）和原位四倍质谱法（QMS）研究进行了研究，以了解反应机制。XPS在150°C下暴露于O 3后主要在MO表面上显示MOO 3。从QMS研究中，当MO在200°°C中接触MO在MO中暴露于SOCL 2时，监测了挥发性SO 2和MOO 2 Cl 2。这些结果表明，这些结果表明，通过氧化和脱氧氯次反应发生。mo用O 3氧化为MOO 3。随后，MOO 3经历了脱氧氯化反应，其中SOCL 2接受氧气产生SO 2并捐赠氯以产生MOO 2 Cl 2。Additional QCM experiments revealed that sequential exposures of O 3 and SO 2 Cl 2 (sulfuryl chloride) did not etch Mo at 250 ° C. Time-resolved QMS studies at 200 ° C also compared sequential O 3 and SOCl 2 or SO 2 Cl 2 exposures on Mo at 200 ° C. The volatile release of MoO 2 Cl 2 was observed only using the SOCl 2 deoxychlorination reactant.原子力显微镜（AFM）测量结果表明，MO表面的粗糙度与Mo Ale循环缓慢增加。
电场对硅基单分子层的影响
图 2 . a) 新鲜状态下 S-1 SAM 的 AFM 形貌图像。b) 对 SAM S-1 施加 0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。c) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。d) 新鲜制备的 SAM S-1 上水滴的静态图像。e) 对 SAM S-1 施加 +0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。f) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。 S-1 SAM 的 XPS 高分辨率 Si 2p 光谱（g）新鲜制备、（h）在 +0.6 V 下氧化，和（i）在 + 1.5 V 下氧化。
sol-gel方法和新型氧化铝 - 石膏陶瓷复合材料的反应性SP
氧化铝和氧化石墨烯的增强陶瓷基质复合材料（CMC）已被广泛搜索，但仍未解决的问题，例如石墨烯的最佳分布或纤维纤维和基质之间的效率键。这项工作引入了一种基于Sol-Gel方法的新型制造程序，将Boehmite视为氧化铝前体，而氧化石墨烯纳米片则是增强阶段。通过在温和的条件下通过反应的火花等离子体烧结（RSP）进行样品的完整致密化。结构表征是由XRD，SEM和Micro-Raman以及其他技术进行的，并通过XPS研究了Al-O-C键的存在。通过Vickers的显微指示和纳米构造进行了机械表征。没有观察到有关年轻的模量，硬度或断裂韧性的显着变化，尽管对石墨烯分布的均匀性以及基质和增强阶段之间的化学键进行了改善。
电源杂志
硬碳是钠离子电池（SIB）最广泛的阳极材料；然而，它们存在一些局限性，例如稳定性低、倍率性能差和初始库仑效率（iCE）低。在此，使用短链有机分子：3-巯基丙酸（MPA）、1,2-乙二硫醇（EDT）和草酸（OxA）在室温下进行简单、快速且低成本的表面处理，已应用于硬碳（C1400）。用含硫分子（MPA 或 EDT）处理的碳表现出更高的容量（在 C/10 下第 100 次循环后容量增强 12%，在 1C 下容量增强 18% 与 C1400 相比）。这些配体的引入会改善微孔堵塞，有助于 Na 离子的可逆插入。此外，原位X射线光电子能谱（XPS）分析表明，硫醇官能团促进了有利的NaF和富含Na2O的固体电解质的形成
辉光放电发射光谱法
此后，尽管 1970 年首次发布的深度剖析图是 GaAs 薄膜，但 GD-OES 技术在金属行业中得到了发展，现在广泛用于元素体分析和深度剖析，以表征导电金属涂层。然而，在过去十五年中，多种新仪器的发展扩大了 GD-OES 的应用领域，包括对先进材料的涂层和薄膜的表征，使其成为质量控制和工艺优化/监控的重要工具。辉光放电现在能够表征许多不同的材料，包括导电和非导电材料，涵盖从光伏（CIGS、钙钛矿……）到封装、从有机电子到储能（锂电池、燃料电池……）的广泛应用，并且是各种薄膜和厚膜沉积技术（等离子、电镀、阳极氧化等）的表征配套工具。GD-OES 也成为 XPS 和 SEM 的补充技术。
界面工程对低功率应用的 MgO 基电阻开关器件的影响
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明，由于加入了 Al 2 O 3 插入层，主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比，MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行（降低 50.6%）和更好的开关均匀性，具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制，从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明，开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性，从而可以实现低功耗应用。
与真空紫外线二硫化物的原位光合作用和聚合有机薄膜
摘要：已研究了液相有机化合物碳二硫化物（CS 2）的真空紫外线（VUV）光解析。在每个氮环境和大气空气环境中，在微腔等离子体灯的Si底物上照射了SI底物上的自胸膜灯的172 nm（7.2 eV）VUV光子。在反应期间，在不同气体环境中观察到CS 2在C-C，C-C，C-S或C-O-S基片段中的选择性和快速分离。薄层聚合物微型沉积物。这款来自VUV微质量灯的新型照片过程引入了大面积沉积的低温有机（或合成）转换的另一种途径。可以在光电和纳米技术应用中使用各种有机前体的原位，选择性转换。