“解释JWST星系和对宽场调查望远镜的预测” - 贡献了“在未解决的政权中的大面积,HST分辨率银河系调查的收益率” - 罗马分裂会议 - “为下一个伟大的观察者建立'科学差距'计划,以构建“科学差距”,以实现“明星和星际”的smigs sim and sim and sim and sim and sim sigs and sigs sigs and poving sigs and poving sigs and poving'' HyperWall展览会谈话“ Galaxies Science Group(Galaxies Sig)” - 宇宙起源计划Splinter Session
低温电子学对许多任务关键型应用至关重要,例如量子计算机和量子传感接口 [1]、太空探索电子设备 [2] 和高性能低温服务器 [3]。计算机辅助设计技术 (TCAD) 为探索低温电子学的设计空间提供了一种非常经济有效的方法,而且最近在低温电子模拟的校准、建模和仿真方法方面取得了巨大进展 [4-7]。然而,低温从头算量子传输模拟对于研究 LG < 20 nm 的器件,特别是其亚阈值行为非常重要,但仍然很困难,尚未系统地研究。众所周知,MOSFET 的 SS 不遵循玻尔兹曼统计 [4-9]。为了了解其起源,需要一个强大的从头算传输模拟装置。据我们所知,文献中还没有关于低温传输的从头算模拟。目前仅开展了使用非平衡格林函数 (NEGF) 的研究 [10] 。本文成功利用从头算模拟研究了 LG = 10 nm 纳米线在低至 3 K 温度下的传输特性。研究了模拟技术,以实现更快、更稳健的模拟。然后研究了纳米线的低温泄漏特性。