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先进功能结构陶瓷：MgF2 和 ZnS
1 纳米物体介质光物理实验室，瓦维洛夫国立光学研究所，Kadetskaya Liniya VO，dom 5，korp.2，199053 圣彼得堡，俄罗斯；atoikka@obraz.pro（AT）；barnash.yaroslaw@yandex.ru（YB）；kpv_2002@mail.ru（PK） 2 纳米结构材料与器件光物理实验室，瓦维洛夫国立光学研究所，Babushkina 街，dom 36，korp.1，192171 圣彼得堡，俄罗斯 3 圣彼得堡电工大学（“LETI”）光子学系，Ul. Prof. Popova，dom 5，197376 圣彼得堡，俄罗斯 4 先进开发部，圣彼得堡核物理研究所，国家研究中心“库尔恰托夫研究所”，1 md。 Orlova Roshcha，188300 Gatchina，俄罗斯 5 俄罗斯科学院伊曼纽尔生物化学物理研究所，4 Kosigina 街，119334 莫斯科，俄罗斯；dgkvashnin@phystech.edu 6 俄罗斯普列汉诺夫经济大学聚合物材料化学与技术学院，Stremyanny Lane，36，117997 莫斯科，俄罗斯 7 俄罗斯皮罗戈夫国立研究医科大学物理与数学系，Ostrovitianov 街 1，117997 莫斯科，俄罗斯 * 通讯地址：nvkamanina@mail.ru；电话：+7-(812)-327-00-95
超级电容器应用的合成ZnS微球的电化学性能
将来非常需要综合的能源转换和存储机制来满足能源消耗的需求。目前的调查是为了探索在该领域具有巨大潜力的材料。本研究探讨了硫化锌（ZNS）作为超级电容器电极的电荷储存行为。合成是通过成本效益，高效和直接反射方法完成的。合成的ZnS纳米颗粒表现出极好的结晶度，平均水晶大小为17 nm，并且具有微球形态和微球形态传递了74 fg –1在电流密度下1 Ag –1的74 fg –1，而72 fg –1在扫描速率为1 mvs –1的速度速率范围内的速度能力以及对合成的能力的出色速率ands and synessn and synessn ands and ands ands and and and and an 贮存。
通过INP和INP/ZNS量子点对胶体纳米晶体的实验介绍
摘要：量子点是胶体半导体纳米晶体，显示尺寸依赖性电子和光学特性。这些材料是量子力学效应的视觉演示。在这里，我们为本科/学士学生提供了一项实验室练习，以介绍胶体纳米晶体和量子点。学生合成了三种尺寸的磷化磷化物（INP）纳米晶体，并执行用硫化锌（INP/ZNS）壳壳壳的磷化磷化物核心的一个核/壳合成。获得的量子点的特征是定量UV- VIS，光致发光和1 H NMR光谱。学生熟悉了几个概念：纳米晶体合成，胶体，啤酒 - 兰伯特法，量子限制，光致发光和表面化学。对于每个概念，都提供背景信息，为该报告提供了针对学生和教师的全面介绍。磷化物是在本科实验室中处理的一种更安全的材料，与硒化镉（CDSE），氯康省溴化物（CSPBBR 3）或硫化铅（PBS）纳米晶体相比。关键字：动手学习/操纵，实验室教学，无机化学，纳米技术，上级本科生，材料科学■简介
来自PMMA波导的随机激光作用，用CDSE/ZNS CQD掺杂，可通过Ag Nanoislands增强
摘要：在这封信中，随机激光是通过覆盖聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）掺杂的CDSE/ZNS胶体量子点（CQDS）构建的活性波导结构来制造的。由于CQD的光致发光光谱以及Active波导层提供的强限制机制，因此具有较低的阈值，因为Ag Nanoislands的等离子共振出色的重叠。随机激光的性能可以通过AG纳米兰州结构的灵活制造来调节。由于CDSE/ZNS CQD的超级化学和照片稳定性以及PMMA矩阵提供的CDSE/ZNS CQD的稳定外部环境，光谱演化显示在不间断激光照射下随机激光的稳定性。
非线性光子学锌硫化物波导的表征
摘要：本文通过Zns薄膜和波导的结构和光学特征，介绍了二阶非线性光子学对二阶非线性光子学的优势。1。引言是由物质辐射相互作用引起的非线性光学现象，这已经得到了很大改善，这已经大大改善了光子设备的开发，可以在基于非线性光学材料的指导结构内强限制电磁场。[1]。到目前为止，只有很少的研究集中在硫化锌（ZNS）上。这种材料对于非线性光学元件来说是有希望的，因为它是电信波长[2]的高折射率，透明度的宽光谱，高第二[3]和三阶非线性系数[4]和多晶结构，并且有可能充分利用非线性过程[5]。从应用的角度来看，ZnS沉积方法的种类（其中一些是低成本）也代表了有趣的技术优势。在这项工作中，我们描述了由磁控溅射沉积的ZnS薄膜的结构和光学特性，以及第一个基于ZnS的波导的制造过程及其线性表征。
表面的电荷注入和能量转移...
摘要：表面钝化是防止表面氧化和改善纳米晶体量子点 (QD) 发射性能的关键方面。最近的研究表明，表面配体在确定基于 QD 的发光二极管 (QD-LED) 的性能方面起着关键作用。本文研究了 InP/ZnSe/ZnS QD 的封端配体影响 QD-LED 亮度和寿命的潜在机制。电化学结果表明，高发光 InP/ZnSe/ZnS QD 表现出取决于表面配体链长度的调制电荷注入：配体上的短烷基链有利于电荷向 QD 传输。此外，光谱和 XRD 分析之间的相关性表明，配体链的长度可调节配体-配体耦合强度，从而控制 QD 间能量传递动力学。本研究的结果为表面配体在 InP/ZnSe/ZnS QD-LED 应用中的关键作用提供了新的见解。
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
Biodata
1低膨胀玻璃陶瓷的开发 - 正在进行的（赞助商：RCI-VSSC）2开发SOFC-SOEC系统用于电力和氢的生成系统 - 持续的（赞助商：CHT-oidB）3有限的生产和供应透明大腿圆顶的生产和供应 - 正在进行NMRL，DRDO）5透明尖晶石IR圆顶的开发 - 完成（赞助商：RCI -PGAD，DRDO）6开发试剂配方的开发和优化低膨胀玻璃陶瓷（LEGC）的表面清洁过程 - 已完成（赞助商：RCI：RCI，DRDO，DRDO）7透明ZnS ceram ceram ceram和Windows spparent lights spporne spparent spparent spparent lighter sppore sppore sppore sppore sppore sppore and sppore and sppore sperdor and sprdo sprdo sprdo sprdoer（RCE） - 8（RCI） - IR透明的ZnS陶瓷毛坯，透镜和圆顶完成（赞助商：RCI＆VSSC）9 SWIR尖晶石圆顶的开发和供应 - 已完成（赞助商：IRDE，DRDO）10多模层尖晶石圆顶的开发和供应