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置信区域 (ZOC) 图 11539OG
飓风、热带风暴和其他大型风暴可能会对海洋建筑物、航标和系泊船只造成相当大的破坏，导致残骸沉入未知位置。海图上的水深、航道深度和海岸线可能无法反映风暴过后的实际情况。固定航标可能已损坏或被毁坏。浮标可能已从其海图位置移开、损坏、沉没、熄灭或因其他原因而失效。海员不应依赖航标的位置或操作。沉船和水下障碍物可能已从海图位置移开。管道可能已暴露或移动。海员应极其谨慎，并要求向最近的美国海岸警卫队单位报告航标差异和航行危险。
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与单独使用万古霉素相比，研究的患者急性肾损伤的发生率增加了急性肾脏损伤的发生率（请参阅第4.4节的特殊警告和使用预防措施）。其中一些研究报告说，这种相互作用是万古霉素剂量依赖的。专家指南建议，密集的万古霉素给药和维持谷水平在15 mg/l和20 mg/l之间，这比先前发布的5-10 mg/l的目标槽浓度的建议增加。达到这些槽浓度通常要求从业者开出超过制造商建议的万古霉素剂量。因此，除了遵守这些指南的万古霉素诱导的肾毒性的风险增加外，还可能由于与哌啶/tazobactam的相互作用而增加的肾毒性风险。
海洋机器人的道德：零海洋学能力项目的报告（NZOC），2021年6月，英格兰西部的英格兰大学。
1。简介本报告是为国家海洋学中心准备的，作为零海洋学能力（NZOC）项目的一部分，介绍了有关在海洋环境中机器人（和其他无人驾驶车辆）开发，使用和影响的道德问题的摘要。重点是英国研究界可能开发或使用的研究机器人，它还涉及商业或军事应用的某些方面，在这里他们可能会与研究应用交叉。从本介绍开始，该报告分为五个部分。第二部分总结了海洋研究中当前存在的一些关键道德问题，而第三部分对于已确定的AI技术问题也是如此；这两个部分在以下各节中为更具体的信息设定了上下文。第四部分是对海洋环境中机器人的道德问题的映射。本节是快速审查的结果，涉及扫描可用文献（包括学术研究和灰色文献）。快速审查是由与与NZOC项目一起在未来科学需求领域的参与专家的初步对话指导和告知的；政策和法规；船舶技术；海洋自治系统；数据生态系统以及在海洋自动驾驶汽车技术和监管领域工作的其他专家。值得注意的是，第2到第四节中总结的信息是对这些主题的文献的回顾，因此代表了各种道德框架。原始研究作者对道德框架的选择将影响任何特定的研究或政策文档的结果，因此，必须精确地阅读这些部分，以总结到目前为止在该主题上共有的一些道德观点。尽管如此，这种道德问题的映射应该为已经开始或在考虑海洋环境中的机器人时已经开始或将要出现的道德辩论的本质提供一些信号。第五节然后考虑了海洋机器人区域中预测和避免或和解道德危害的方法。本节总结了一些道德框架和框架，并为NZOC提出了一些建议，以考虑将海洋机器人人工制品纳入未来。
“ZOCman Cometh” 或“关于区域类别的应用...
国际水文组织 (IHO) 出版物 S-57《数字水文数据传输标准》包括特征对象属性“CATZOC - 数据置信区类别 (ZOC) - 作为数据质量信息编码方法。ZOC 是在 IHO 数据质量工作组 (DQWG) 的主持下开发的，该工作组旨在“建立标准，根据该标准可以对制图中使用的数据质量进行编码，以便向用户表明其可靠性 (IHO, 1987)。 ”第一篇提出解决方案的论文由澳大利亚水文局 (AHO) 于 1995 年 3 月发表，并介绍了 ZOC (AHS, 1995)。此前，澳大利亚水文服务局 (AHS) 和澳大利亚皇家海军 (RAN) 实地调查部门已对这些提案进行了严格分析，并由澳大利亚用户组和在沿海和国际航行中工作的执业船长进行了测试。用户评论表明，ZOC 受到了广泛欢迎，并且比现有的源和可靠性图方法更适合描述数据置信度。ZOC 标准在第 8 届 IHO 信息系统水文要求委员会 (CHRIS) 会议上临时采用，随后在 S-57 中作为元对象“数据质量”(M_QUAL) 的强制性属性发布，该属性定义了对水深数据质量进行统一评估的区域 (IHO, 1997) (IHO, 1996a)。
半导体直拉生长的最佳对流条件
由于碳浓度对于高功率器件至关重要，因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器，以及即将在微电子（高速 FET 和 HEMT 器件）和功率器件（FET 阵列）中应用，到目前为止，砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度（液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”），位错问题已有所缓解。然而，腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化，典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2，以及实现用于高速设备的半绝缘材料（没有高度扩散的补偿铬）所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产（产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片）。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流，它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布（和数量？）。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式，并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。