XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemZR
通函编号 314-04-1610c，日期为 2021 年 8 月 10 日，回复
" 表 5.1.2 化学成分 等级 Al, % Si, % Fe, % Cu, % Mn, % Mg, % Cr, % Zn, % Ti, % 其他元素, % 备注 单项 总计 1 5083 基础 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,40 – 1,0 4,0 – 4,9 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5383 基础 ≤ 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,20 0,7 – 1,0 4,0 – 5,2 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,15 ≤ 0,05 2 ≤ 0,15 2 5059 基础0.45 ≤ 0.50 ≤ 0.25 0.6 – 1.2 5.0 – 6.0 ≤ 0.25 0.4 – 0.9 ≤ 0.20 ≤ 0.05 3 ≤ 0.15 3 5086 基座 ≤ 0.40 ≤ 0.50 ≤ 0.10 0.20 – 0.7 3.5 – 4.5 0.05 – 0.25 ≤ 0.25 ≤ 0.15 ≤ 0.05 ≤ 0.15 5754 基座 ≤ 0.40 ≤ 0.40 ≤ 0.10 ≤ 0.50 4 2.6 – 3.6 ≤ 0.30 ≤ 0.20 ≤ 0.15 ≤ 0.05 ≤ 0.15 5456 基座 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 1,0 4,7 – 5,5 0,05 – 0,20 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6005А 基座 0,50 – 0,90 ≤ 0,35 ≤ 0,30 ≤ 0,50 5 0,4 – 0,7 ≤ 0,30 5 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6061 基座 0,40 – 0,80 ≤ 0,70 0,15 – 0,40 ≤ 0,15 0,8 – 1,2 0,04 – 0,35 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6082 基础 0,70 – 1,30 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,4 – 1,0 0,6 – 1,2 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 国家合金 1530 基础 0,50 – 0,80 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 – 0,60 3,2 – 3,8 ≤ 0,05 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1550 基础 ≤ 0,50 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 –0,80 4,8 – 5,8 – ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1561 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,70 –1,10 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,02 – 0,12) 1561Н碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 0,8 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,10 – 0,17)
通函编号：314-04-1610c，发布日期：2021 年 8 月 10 日
表 5.1.2 化学成分 等级 Al,% Si,% Fe,% Cu,% Mn,% Mg,% Cr,% Zn,% Ti,% 其他元素,% 备注 单项 总计 1 5083 基础 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,40 – 1,0 4,0 – 4,9 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5383 基础 ≤ 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,20 0,7 – 1,0 4,0 – 5,2 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,15 ≤ 0,05 2 ≤ 0,15 2 5059 基础 ≤ 0,45 ≤ 0,50 ≤ 0,25 0,6 – 1,2 5,0 – 6,0 ≤ 0,25 0,4 – 0,9 ≤ 0,20 ≤ 0,05 3 ≤ 0,15 3 5086 基座 ≤ 0,40 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,20 – 0,7 3,5 – 4,5 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5754 基座 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 ≤ 0,50 4 2,6 – 3,6 ≤ 0,30 ≤ 0,20 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5456 基座 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 1,0 4,7 – 5,5 0,05 – 0,20 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6005А 基座 0,50 – 0,90 ≤ 0,35 ≤ 0,30 ≤ 0,50 5 0,4 – 0,7 ≤ 0,30 5 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6061 基座 0,40 – 0,80 ≤ 0,70 0,15 – 0,40 ≤ 0,15 0,8 – 1,2 0,04 – 0,35 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6082 基础 0,70 – 1,30 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,4 – 1,0 0,6 – 1,2 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 国家合金 1530 基础 0,50 – 0,80 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 – 0,60 3,2 – 3,8 ≤ 0,05 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1550 基础 ≤ 0,50 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 –0,80 4,8 – 5,8 – ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1561 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,70 –1,10 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,02 – 0,12) 1561Н 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 0,8 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,10 – 0,17)
通函编号：314-04-1610c，发布日期：2021 年 8 月 10 日
表 5.1.2 化学成分 等级 Al,% Si,% Fe,% Cu,% Mn,% Mg,% Cr,% Zn,% Ti,% 其他元素,% 备注 单项 总计 1 5083 基础 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,40 – 1,0 4,0 – 4,9 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5383 基础 ≤ 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,20 0,7 – 1,0 4,0 – 5,2 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,15 ≤ 0,05 2 ≤ 0,15 2 5059 基础 ≤ 0,45 ≤ 0,50 ≤ 0,25 0,6 – 1,2 5,0 – 6,0 ≤ 0,25 0,4 – 0,9 ≤ 0,20 ≤ 0,05 3 ≤ 0,15 3 5086 基座 ≤ 0,40 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,20 – 0,7 3,5 – 4,5 0,05 – 0,25 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5754 基座 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 ≤ 0,50 4 2,6 – 3,6 ≤ 0,30 ≤ 0,20 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 5456 基座 ≤ 0,25 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 1,0 4,7 – 5,5 0,05 – 0,20 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6005А 基座 0,50 – 0,90 ≤ 0,35 ≤ 0,30 ≤ 0,50 5 0,4 – 0,7 ≤ 0,30 5 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6061 基座 0,40 – 0,80 ≤ 0,70 0,15 – 0,40 ≤ 0,15 0,8 – 1,2 0,04 – 0,35 ≤ 0,25 ≤ 0,15 ≤ 0,05 ≤ 0,15 6082 基础 0,70 – 1,30 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,4 – 1,0 0,6 – 1,2 ≤ 0,25 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 国家合金 1530 基础 0,50 – 0,80 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 – 0,60 3,2 – 3,8 ≤ 0,05 ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1550 基础 ≤ 0,50 ≤ 0,50 ≤ 0,10 0,30 –0,80 4,8 – 5,8 – ≤ 0,20 ≤ 0,10 ≤ 0,05 ≤ 0,15 – 1561 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,70 –1,10 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,02 – 0,12) 1561Н 碱 ≤ 0,40 ≤ 0,40 ≤ 0,10 0,5 – 0,8 5,5 – 6,5 – ≤ 0,20 – ≤ 0,05 ≤ 0,15 Zr (0,10 – 0,17)
nanopore的蒙特卡洛模拟-NSF -PAR
图2。（a）使用GCMC模拟在87.3 K.交叉点（绿色圆圈）和通道（黄色圆圈）孔（黑色圆圈（黑色圆圈））中使用的GCMC模拟获得的PCN-224的AR吸附等温线。封闭和开放圆圈分别对应于吸附和解吸等温线。（b）从吸附发作到完整填充的不同压力，在通道（绿色）和相交（黄色）孔之间的吸附分子分布的特征快照。每个隔室中的平均分子数在每个快照下面指示。（a）中的垂直虚线表示（b）中快照的压力。框架原子颜色代码：o，红色； H，隐藏； C，灰色； n，蓝色； ZR，紫罗兰。
锅炉控制解决方案 - 横河电机
工业必备设备 锅炉广泛应用于电力、制药、化学、陶瓷、造纸和纸浆等行业。近年来，随着能源成本的上升、环境法规的严格化和安全意识的增强，对锅炉高效运行、低排放运行和安全稳定运行的需求日益增长。提高锅炉效率、降低排放 为了确保空气和燃料以最佳比例燃烧、消除燃料浪费、净化废气，需要实时监测燃烧气体的氧浓度。氧化锆氧浓度分析仪ZR系列配备了使用寿命更长的氧传感器单元，能够高可靠性地测量氧浓度。烟气分析仪 SG700 可监测 NOx、SO2 和 CO2 等废气成分，以确保低排放运行。
首次实验演示稳健的 HZO/β-Ga2O3 ...
摘要——我们通过实验证明了蓝宝石衬底上工作温度高达 400 ◦ C 的坚固的 β-氧化镓 (β-Ga 2 O 3) 铁电 (FE) 场效应晶体管 (FeFET)。原子层沉积 (ALD) Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 [氧化铪锆 (HZO)] 用作 FE 电介质。研究了 HZO/β-Ga 2 O 3 FeFET 在高温下的突触行为应用。这些器件表现出可区分的极化切换操作，输出电导由 FE 门上的输入脉冲数准线性控制。在模拟中，使用带有简单的两层多层感知器 (MLP) 网络的修改后的国家标准与技术研究所 (MNIST) 数据集，片上学习准确率在高温下达到 94%。这些超宽带隙半
通过自动化技术探索介电薄膜中的泄漏...
使用扫描探针显微镜 (SPM) 中的自动化实验探索介电薄膜中的电子传导途径。在这里，我们使用大视场扫描来确定局部导电点的位置，并开发 SPM 工作流程以自动化方式探测它们在更高空间分辨率下的动态行为，这些行为是时间、电压和扫描过程的函数。使用这种方法，我们观察到 20 纳米厚的铁电 Hf 0.54 Zr 0.48 O 2 薄膜中导电点的变化行为，其中导电点在连续扫描过程中消失并重新出现。扫描过程中还会出现新的导电点。自动化工作流程是通用的，可以集成到各种显微镜技术中，包括 SPM、电子显微镜、光学显微镜和化学成像。
Quick-DNA/RNA病原体微型
产品描述Quick-DNA/RNA™病原体微型套件是从多种载体（蚊子，跳蚤，tick虫等）的病原体（病毒，细菌，原生动物）DNA和RNA的自旋柱纯化的和组织类型（哺乳动物，鸟类等）收集，运输并存储在DNA/RNA Shield™中。DNA/RNA Shield™用于病原体的核酸保存和灭活。该套件具有存储/裂解缓冲系统，可以与高密度ZR BashingBead™裂解管（*建议）结合使用，以促进难以溶解样品的完全均质化，以进行有效的核酸隔离。小（> 50 nt）和大（> 200 kb）的DNA和RNA与色谱柱结合，洗涤然后洗脱。分离的高质量核酸适用于所有下游应用，例如下一代测序，基于杂交和RT/QPCR检测。
AC0500OR22725配美系
使用扫描探针显微镜 (SPM) 中的自动化实验探索介电薄膜中的电子传导途径。在这里，我们使用大视野扫描来确定局部导电点的位置，并开发 SPM 工作流程，以自动化方式探测它们在更高空间分辨率下随时间、电压和扫描过程变化的动态行为。使用这种方法，我们观察到 20 nm 厚的铁电 Hf 0.54 Zr 0.48 O 2 薄膜中导电点的变化行为，其中导电点在连续扫描过程中消失并重新出现。扫描过程中还会出现新的导电点。自动化工作流程是通用的，可以集成到各种显微镜技术中，包括 SPM、电子显微镜、光学显微镜和化学成像。
简便的化学方法制备水溶性外延 Sr3Al2O6 自立氧化物牺牲层
外延生长时，氧化膜必须生长在晶体衬底上。这些要求极大地限制了它们的适用性，使得我们无法制备多种人工多层结构来研究薄膜及其界面处出现的突发现象[2]，也无法制造柔性器件并单片集成到硅中。[3–5] 人们致力于开发将功能氧化膜与生长衬底分离的程序，以便能够自由操作它。这些方法包括机械剥离[6]、干法蚀刻[7,8]和湿化学蚀刻[9,10]。在化学蚀刻程序中，使用牺牲层（位于衬底和功能氧化物之间）似乎是一种快速且相对低成本的工艺。为了使这种方法成功，牺牲层应将外延从衬底转移到所需的氧化物，经受功能氧化物的沉积过程，并通过化学处理选择性地去除，从而可以恢复原始的单晶衬底。 (La,Sr)MnO 3 已被证明可以通过酸性混合物进行选择性蚀刻，从而转移单个外延 Pb(Zr,Ti)O 3 层 [11] 和更复杂的结构，例如 SrRuO 3 /Pb(Zr,Ti)O 3 /SrRuO 3 。 [12] 最近，水溶性 Sr3Al2O6（SAO）牺牲层的使用扩大了独立外延钙钛矿氧化物层（SrTiO3、BiFeO3、BaTiO3）[13–15] 和多层（SrTiO3/(La,Sr)MnO3）[16] 的家族，这些层可进行操控，从而开辟了一个全新的机遇世界。[5,10,17] 制备此类结构的沉积技术也是需要考虑的关键因素，不仅影响薄膜质量，还影响工艺可扩展性。虽然分子束外延和脉冲激光沉积等高真空沉积技术是生产高质量薄膜的成熟技术[1,18–20]，但溶液处理和原子层沉积等可实现低成本生产的替代工艺正引起人们的兴趣。[21,22]