iMD 的工作原理是基于使用来自压缩机的热压缩空气来再生干燥剂。单个压力容器分为两个部分:干燥(75%)和再生(25%)。浸渍在蜂窝状玻璃纤维滚筒上的干燥剂缓慢地旋转通过这两个部分。离开压缩机最后一级的热空气分为两股流,1 和 2。主流(分支 1)通过压缩机后的冷却器(在图像中不可见)并进入干燥器进行干燥。再生流(分支 2 - 热不饱和空气)用于干燥剂再生。它通过滚筒的再生部分,通过解吸去除水分并再生干燥剂。现在饱和的再生气流在再生冷却器 (3) 中冷却,然后与主流(分支 1)混合。
免疫治疗在部分晚期 NSCLC 患者中取得了很大进展(4)。靶向治疗和免疫治疗已取代传统的手术干预,改变了大多数患者的治疗进程,分子检测现已成为晚期肺腺癌患者的标准推荐(5)。奥希替尼 (AZD9291) 是第三代酪氨酸激酶抑制剂 (TKI),通过与突变 EGFR 的 C797 残基形成共价键,选择性地靶向激活 EGFR 突变和 T790M 抗性突变(6)。尽管 AZD9291 不仅在一线治疗中而且在 T790M 继发突变的挽救治疗中都取得了巨大成功,但不可避免地会出现获得性耐药,限制了其长期临床益处(7)。然而,AZD9291 的耐药机制仍未完全了解(8)。因此,进一步了解肺癌患者的耐药机制、进行靶向治疗及个性化治疗已成为该领域的研究热点。
摘要:与化学计量简单的氮化铝 (AlN) 相比,锆钛酸铅薄膜 (PZT) 具有优异的压电和介电性能,是先进微机电系统 (MEMS) 器件中另一种有希望的候选材料。大面积 PZT 薄膜的制造具有挑战性,但需求迫切。因此,有必要建立合成参数与特定性能之间的关系。与溶胶-凝胶和脉冲激光沉积技术相比,本综述重点介绍了磁控溅射技术,因为它具有高度的可行性和可控性。在本文中,我们概述了 PZT 薄膜的微观结构特征、合成参数(如基底、沉积温度、气体气氛和退火温度等)和功能特性(如介电、压电和铁电等)。本综述特别强调了这些影响因素的依赖性,为研究人员通过磁控溅射技术获取具有预期性能的PZT薄膜提供实验指导。
主要包括短距离无线通信网络、低功耗广域网、工业以太网等。众所周知,蜂窝5G、长期演进类别1/2(LTE CAT M1/M2)、长距离无线广域网(LoRaWAN)、窄带物联网(NB-IoT)是物联网(IoT)的代表技术,而工业物联网则高度依赖无线连接的可用性[5 – 6]。考虑到经典现场总线的特性与互联网特性不兼容,性能不足以传输互联网数据包,因此不能直接纳入工业物联网系统。尤其是这些经典网络不支持基于工业物联网的IPv6。但它们可以互联互通
我们提出了一种小型 (0.5 𝑐𝑚 3 ) 静态 CZT 传感器网络,由多个无方向性探测器 (NDD) 组成,能够在 3D 中定位固定辐射源。定位采用基于 AI 技术的融合算法执行。该算法基于多层 Perseptron 神经网络 (MLP) 和梯度提升决策树 (BDTG)。它们已使用基于 Geant4 框架的 SWORD 模拟软件生成的模拟数据进行训练。使用我们实验室使用的 137 𝐶𝑠 源 180 𝜇𝐶𝑖 的实验数据验证了算法的定位效率。在 5m x 2.8m x 2m 的监测范围内,垂直和水平方向的定位分辨率分别达到 10cm 到 15cm 量级,深度方向的定位分辨率小于 20cm 量级。
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本公司及董事会全体成员保证本信息披露内容真实、准确、完整,本公告不存在任何虚假、误导性陈述或者重大遗漏。 特别提示: 本次收购已经本公司董事会审议通过,尚需中兴通讯股东大会批准及财政部评估备案,若截至2020年9月30日(含当日),本次收购仍未获得中兴通讯股东大会批准或仍未完成财政部评估备案程序,则除非交易双方另行协商达成补充协议或新的交易文件,本次收购将自动失效。本公司将根据交易进展情况及时履行信息披露义务。请投资者注意。经国家集成电路产业投资基金股份有限公司(“集成电路基金”)与中兴通讯股份有限公司(“公司”或“中兴通讯”)友好协商,公司拟通过全资子公司深圳市仁兴科技有限责任公司(“仁兴科技”)收购深圳市中兴微电子技术有限公司24%股权。中兴微电子有限公司(“中兴微电子”),为本公司之子公司,由集成电路基金持有(“收购”)。就仁兴科技收购中兴微电子股权而言,本公司及本公司下属合伙企业深圳市赛佳讯投资发展企业(有限合伙)(以下简称“赛佳讯”)将放弃就本次收购各自享有的优先认购权。本次收购已经本公司第八届董事会第二十三次会议审议通过。根据中兴通讯股份有限公司章程的有关规定,本次收购尚需股东大会批准。本次收购不构成深圳证券交易所股票上市规则项下的关联交易或《上市公司重大资产重组管理办法》项下的重大资产重组。收购事项并不构成本公司根据第14A章所订的关连交易或本公司根据第14章所订的须予披露交易
摘要 本文制备了不同锡含量(a从0.0到0.1范围)的多元Pb 0.75 Ba 0.25 (Zr 0.65 Ti 0.35 ) 1- a Sn a O 3 (PBZT/Sn) 陶瓷。采用无压烧结法对PBZT/Sn陶瓷样品进行致密化。研究了SnO 2 含量对PBZT/Sn陶瓷的晶体结构、微观结构、直流电导率和电物理性能(包括介电和铁电测试)的影响。PBZT/Sn陶瓷样品在铁-顺电相变温度下表现出高的介电常数,表现出相变的弛豫特征。 PBZT/Sn 材料中 SnO 2 含量过高(a = 0.1)可能会导致晶格应力和结构缺陷,从而导致陶瓷样品的铁电和介电性能下降。本研究表明,在基础 PBZT 化合物中添加 SnO 2(以适当的比例)可以影响微机电一体化和微电子领域实际应用所必需的参数。