热电材料作为能够将电能和热能相互转化的材料,如何提高热电材料的热电转换效率是当前研究的热点问题。目前,Bi 2 Te 3 基热电材料在室温附近ZT值可以达到1.3~1.4,部分热电材料在高温下的ZT值可以达到2.0以上。但要想使热电材料实现更广泛的应用,必须寻找到室温下热电性能更高的材料。目前,提高热电材料的热电转换效率常用的方法有:
聚合物也已成为有机热电学的潜在候选物,[7,8]有可能提供柔性,大面积和低成本的能源产生或加热 - 可吸引人的应用,例如,可穿戴能量收获,目前是传统的脆性和通常的毒性或稀有毒性或稀有层次的材料,这些材料目前是不可能的。ther- moelectric材料通过优异ZT = S2σT /κ的无量纲数进行评估,其中S,σ,T和κ分别代表塞贝克系数,电气有效性,绝对温度和热电导率。大多数连接的聚合物的特征是低κ值,从本质上有助于高ZT。通过P型共轭聚合物(例如ZT> 0.25)(PEDOT)(PEDOT)(pEDOT)等最广泛的热电研究证实了这一点。[9,10] P型和N型热电材料的性能应在任何实际应用之前彼此配对。ever,基于N型共轭聚合物的热电设备在功率因数方面仍然远低于其P型对应物(s2σ)。[11,12]因此,有效的发展
聚合物也已成为有机热电学的潜在候选物,[7,8]有可能提供柔性,大面积和低成本的能源产生或加热 - 可吸引人的应用,例如,可穿戴能量收获,目前是传统的脆性和通常的毒性或稀有毒性或稀有层次的材料,这些材料目前是不可能的。ther- moelectric材料通过优异ZT = S2σT /κ的无量纲数进行评估,其中S,σ,T和κ分别代表塞贝克系数,电气有效性,绝对温度和热电导率。大多数连接的聚合物的特征是低κ值,从本质上有助于高ZT。通过P型共轭聚合物(例如ZT> 0.25)(PEDOT)(PEDOT)(pEDOT)等最广泛的热电研究证实了这一点。[9,10] P型和N型热电材料的性能应在任何实际应用之前彼此配对。ever,基于N型共轭聚合物的热电设备在功率因数方面仍然远低于其P型对应物(s2σ)。[11,12]因此,有效的发展
使用埃森哲零信任到期模型,我们开发了零信任360°(ZT360),这是由ServiceNow提供支持的全面安全评估。ZT360通过评估模型的每个组件以产生ZT成熟度得分来评估组织的安全姿势。此分数可帮助组织了解其当前的成熟度,并为衡量进度提供了基准。该评估还产生了量身定制的ZT战略规划路线图,该路线图优先考虑安全解决方案,技术升级和过程改进,以帮助组织实现最佳的零信任成熟度。
热电材料能够实现热和电的直接转换,在制冷和发电方面有着良好的应用前景,引起了人们的广泛关注。考虑到更广泛的应用场景和在室温(RT)附近更大的需求,在过去的几十年里,在室温附近具有高性能的 TE 材料引起了广泛的研究关注。材料的 TE 性能通过其无量纲性能系数 zT = S 2 σT/(κ e +κ L ) 来判断,其中 S、σ、T、κ e 和 κ L 分别为塞贝克系数、电导率、绝对温度、热导率 κ 的电子和晶格分量。到目前为止,Bi 2 Te 3 基合金是唯一在 RT 附近具有理想 zT 值的商业化材料,而 n 型 Mg 3 Sb 2 最近被认为是另一种有前途的 TE 材料,其 zT 在 RT 附近约为 0.8。 Bi 2 Te 3 和 Mg 3 Sb 2 均具有本征的低晶格热导率κL,这是其高TE性能的基础之一。1-4
摘要:由于其在电子,可穿戴技术和航空航天行业中的应用,对高效和轻量级热材料的需求飙升。传统材料包含重量,稀有和/或有毒元素,使其对未来不可持续。这项工作提出了MGB 4的研究,MGB 4尚未研究为热电材料。我们使用先进的计算化学技术,结合了电子结构计算,晶格动力学和完全缺陷化学分析,以预测理论P-TYPE和N型系统中的一系列载体浓度和温度。研究表明,在高温条件下,P-型MGB 4可与先前发现的基于MG的热电学相媲美,ZT在1200 K时为0.47。我们还表明,将BA合金高达10%是提高热电性能的可能途径,因为它增加了ZT至0.66。■引入多达50%的能源以热的形式浪费,其中大多数来自燃烧等工业过程。1
图 1 急性犬尿氨酸刺激后,血浆和脑区犬尿酸 (KYNA) 水平升高,而在用犬尿氨酸氨基转移酶 II (KAT II) 抑制剂 PF-04859989 预处理后逆转。 (a)截短的犬尿氨酸途径 (KP) 示意图,展示了本研究中使用的关键代谢物和药理学工具。 成年大鼠在时间赋予时间 (ZT) 0 时外周注射犬尿氨酸 (100 mg kg 1 ) 以诱导从头 KYNA 形成。 在 ZT 23.5 前 30 分钟给予全身活性 KAT II 抑制剂 PF-04859989 (30 mg kg 1 )。 在 ZT 2 时收获组织。 评估了以下部位的 KYNA 水平:(b)血浆;(c)小脑;(d)脑干; (e) 下丘脑;(f) 基底前脑;(g) 海马;(h) 皮质;(i) 额叶皮质。所有数据均为平均值 ± SEM。双向方差分析:^ p < 0.05,^^ p < 0.01,^^^^ p < 0.0001;Bonferroni 事后检验:* p < 0.05,** p < 0.01,*** p < 0.001,**** p < 0.0001。每组 N = 9 – 12。
2022 年 8 月 2 日 — 海军身份服务 (NIS) 将 NIS 建立为完整的企业服务,同时为零信任 (ZT) 奠定基础。
可以使用自下而上的工艺完全避开蚀刻损伤的关注点。选择性面积生长(SAG)的过程将vias涂到掩模层上的基板上,然后将图案化的底物加载以进行生长。调整生长条件,使外观仅发生在定义的开口内。这会导致纳米(微)结构的生长,其尺寸和形状与底物5,6时所定义的尺寸和形状完全匹配。此外,这些纳米结构不需要暴露于任何干蚀刻过程以定义装置台面,从而防止形成与该过程相关的表面缺陷。这些优势对于任何(子)微米级设备的高效效率是必要的。纳米结构也可以在非本地基材上生长,有可能打开更多新应用7。此外,