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AI，军事中的信任和文化
成熟模型2.0版与NSS指南保持一致的2.0版，将可见性称为可观察的伪像，这是由于企业范围内环境中的特征和事件的特征和事件所产生的。[6] ZT框架中的可见性和分析支柱通过观察所有网络组件中发生的实时通信和与安全相关的活动，从而提供了整个基础架构的健康，状态，绩效，行为和威胁见解。此支柱对于其他支柱所需的基础数据是必需的，因为它利用所有柱子的日志数据来构建整个网络中正在发生的事情的全面图片。该支柱不仅取决于其他支柱，而且还采用了自己的能力来汇集并理解收集的数据，从而对异常且潜在的恶意
在低disorder分子半导体中长期烷基链的存在下，强烈抑制热导率
热电材料通过Seebeck效果提供了一种简单的解决方案，可从各种热源进行直接热能电源。在全球范围内，目前约有2/3的主要能量被浪费为热量。[1]因此，存在着很大的作用，可以提高许多发电和工业过程的能源效率。当前的热材料远离理论效率极限远。正在进行的正在进行的研究工作，以提高效率并在废热收集中实现更广泛的应用。[2–4]为此目的探索的一类材料是有机半导体（OSC）。热电材料的效率取决于功绩ZT = S2σT /（κE +κpH）的无量纲图，其中S [V K –1]表示Seebeck系数； σ[S M –1]，电导率； κE和κpH [W M –1 K –1]，电子和
稳定，自粘性和高性能石墨烯 -
离子热电材料由于其高灵活性和高seebeck系数而引起了人们的关注。然而，它们的不良热电性能和长期处理限制了其实际应用。为了实现异国情调的热电材料，在这里，氧化石墨烯（GO）修饰的丙烯酰胺离子凝胶的设计具有高热电性能和功能高。详细的结构特征证实了Ionogel结构中GO颗粒的均匀分散剂使功率因数为753.0μWm -1 K -2，有希望的ZT值为0.19。此外，准备好的离子热电薄膜表现出极好的功能，可伸缩性和自粘性。由准备的IonogeLefms组装的集成设备可以产生1.32 mW cm-2的最佳输出功率密度，温度差异为20 K，这表明可穿戴电子设备的潜力很大。这项工作为搜索长期，高性能离子热电材料提供了见识。
高光谱太空传播的光学系统设计
由ZeynepnílüferIztürk提交，部分履行了中东技术大学哲学博士学位的要求，由HalilKalıpçılar博士教授，自然科学和应用科学研究生院SeçkinKürkçüroudeciel博士的自然科学和应用程序研究生院。物理学，Başkent大学检查委员会成员SerhatCiskır教授，技术与知识管理，技术和知识管理：UğurMuratLeloğlu博士教授，THK大学教授Rafatov博士Rafatov物理学博士，Metu教授，Alpan Bek Bek Bek Bek Bek Beck Physics，Metu Assoc。Burak Yedierler物理学教授，元助理。MakbuleTerlemezoğluBilmiş物理学，加西大学MakbuleTerlemezoğluBilmiş物理学，加西大学
合金作为有希望的热电材料
n型Mg 3 SB 2-x Bi X合金近年来已经进行了广泛的研究，因为它们的功绩（ZT）显着增强，因此将其作为废热恢复和冷却应用的潜在候选者。在这篇综述中，总结了与Mg 3 SB 2合金Mg 3 Bi 2产生的效果，包括狭窄的带隙，有效的质量减少和载流子迁移率增加。随后，揭示了N型Mg 3 SB 2-X BI X中缺陷控制的电性能。一方面，对内在缺陷和外部缺陷的操纵可以达到最佳载体浓度。另一方面，MG空缺主导载体散发机理（电离杂质散射和晶界散射）。讨论了Mg 3 SB 2-x BI X热电材料的两个方面。最后，我们回顾了发电和冷却应用中这些材料的当前状态和未来前景。
对磁性和电子传输属性的非化学计量效应fe $ _2 $ val $ _ {1.35} $和ni $ _2 $ val：比较研究
密度功能理论（DFT）计算证实了结构有序的Fe 2 Val Heusler合金是非磁性窄间隙半导体。这种化合物很容易在具有高浓度的抗铁矿缺陷的各种无序相中结晶。我们研究结构障碍对全赫斯勒合金Fe 2 val的电子结构，杂志和电子传输特性及其远程计时量当量的Fe 2 Val 1的影响。35。与从头算计算有关的数据分析表明，反静脉疾病的出现主要是由于FE-V和Fe-Al化学计量变化引起的。弱磁性Fe 2 Val 1的数据。35关于Ni 2 Val。Fe 2 Val 1。 35可以分类为具有明显的自旋式贡献的几乎铁磁金属，但是，这对其热电特性没有主要影响。 FE样品的优异ZT形状分别为300 K约0.05，Ni One的数字分别为0.02。 但是，有记录在Fe / V站点交换产生的狭窄D频段可能是Fe 2 Tial 1的物理性质的异常温度依赖性。 35合金，强度相关的电子系统的特征。 为例，Fe 2 Val 1的磁敏感性。 35表现出griffins阶段的奇异性特征，在T G〜200 k下方是一种不均匀的电子状态。我们还进行了数值分析，该数值分析支持griffins phos phos phop phop peracario。Fe 2 Val 1。35可以分类为具有明显的自旋式贡献的几乎铁磁金属，但是，这对其热电特性没有主要影响。FE样品的优异ZT形状分别为300 K约0.05，Ni One的数字分别为0.02。但是，有记录在Fe / V站点交换产生的狭窄D频段可能是Fe 2 Tial 1的物理性质的异常温度依赖性。35合金，强度相关的电子系统的特征。为例，Fe 2 Val 1的磁敏感性。35表现出griffins阶段的奇异性特征，在T G〜200 k下方是一种不均匀的电子状态。我们还进行了数值分析，该数值分析支持griffins phos phos phop phop peracario。
基于镉的LICDX的热电性能（XN，...
摘要。由于其高稳定性和宽范围的带隙，已经大规模研究了半身的材料。在这里，我们研究了LICDX（X N，P，AS，SB和BI）的基本物理和热电学参数，并观察到这些化合物具有F43M空间组，其空间群为5.31、6.06、6.25、6.64和6.81Å的LICDN，LICDP，LICDAS，LICDAS，LICDAS，LICDSB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LICDB和LITBIDB和LITBI，所有化合物都表现出直接的带隙半导体行为，除了licdbi显示金属性质。在近红外和可见区域中，这些化合物显示出极好的光伏行为，但它们限制了远红外和紫外线的辐射。通过检查热电特性，我们分析了在300 K时，ZT在这些材料中的三种材料的p和n区域都达到了统一性，使它们在环境温度下使它们具有前瞻性热电候选。所研究的热力学特性证实了材料稳定，这将激发实验者。
行动网络创新系列（2024年4月）零信任...
拜登政府于2021年5月发布了行政命令（EO）14028，要求所有美国联邦民用行政部门（FCEB）机构在2022财年制定零信任架构（ZTA）策略，并在其各自的信息技术（IT）Enviralments Envirate Envertrise Envertrise Envertrise Envertrise Envermants Envermants Envierments by Drive by Dive the End fy fy 2024中完全实施零信任（ZT）的设计宗旨几乎所有的FCEB机构都通过混合体系结构以及由多种遗产的本地硬件和软件以及多云服务组成的混合体系结构来支持其现场和远程员工，并通过高速，安全和可靠的数据访问。虽然大多数FCEB机构能够在2022财年制定最初的ZTA策略，但许多机构尚未对其ZTA成熟度进行独立的评估，没有开发出ZTA转换路线图，很少有代理机构接近满足EO对EO的全面ZTA实施的要求，该ZTA的要求是由2024 fy 2024 fy/Div of2024。
J. Phys。：冷凝。物质33（2021）225503（13pp）https://doi.org/10.1088/1361-648X/ABF381 Janus
于2021年3月3日收到，于2021年3月6日接受，2021年3月30日发表于2021年5月4日出版，跨标记摘要受到最近成功实验性合成的Janus结构的启发，我们系统地研究了Electric and tocials in 2xy in 2xy and x，x/y y = y a Janus Monolayers的电子，光学和电子运输特性（x/y 理论。单层2Xy在室温下动态稳定。在平衡时，IN2STE和IN2SETE都是直接的半导体，而In2SSE表现出间接的半导体行为。菌株显着改变In2Xy的电子结构及其光催化活性。此外，由于施加的应变，可以找到间接区域间隙转变。电场对In2Xy光学性质的影响可以忽略不计。同时，Janus In2xy单层的光吸光度强度通过压缩应变大大增加。此外，In2Xy单层具有非常低的晶格热导率，从而产生了较高的优点ZT，这使它们成为了室温热电材料的潜在候选者。