XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemZahid
新颖AG2S- ...
Ag 2 S-CdS /Ag /GNP ternary nanocomposite L. R. Gahramanli a,b,* , S. Bellucci a , M. B. Muradov b , M. La Pietra a , G. M. Eyvazova b , C. V. Gomez a , J. Bachmann c a NEXT laboratory, INFN, LNF, Via E. Fermi 54, Frascati, Roma, Italy b Nano Research巴库州立大学实验室，学术Zahid Khalilov街23号，阿塞拜疆C化学与药房部，弗里德里希 - 亚历山大 - 诺斯特里列森 - 埃尔凡尼·纽约人（FAU），弗里德里希·纳克斯坦（FAU），弗里德里希·纳克斯蒂安（FAU），弗里德里希·纳斯特·埃尔恩伯格（FAU），91058 ERLANGEN，NEW TYERES AG/GN ag 2 S-CDS 2 S-CDS 2 S-CD在提出的工作中合成。分别研究了化合物的结构和物理特性。Ag 2 S-CD/AG/GNP纳米复合材料。基于结果，成功合成了Ag纳米线（NWS），然后确定在杂交过程中，acanthite ag 2 s的两个阶段和Ag 2 O的立方晶体系统形成。然后，由混合单斜ag 2 s和六角形CD形成Ag 2 S-CDS NW。在Ag NW的吸收光谱中，在357.3 nm和380.2 nm处观察到主吸光度峰。Ag样品的能量差距（E G）值为3.8 eV。Ag 2 S（2.5、3.8、4.6 eV）和Ag 2 S-CD（2.5、3.8、4.8 eV）的频带隙值具有三重值，这是由于形成了混合结构。（2024年5月5日收到； 2024年7月8日接受）关键字：银NWS，GNP，物理特性，拉曼谱Ag 2 S-CD的拉曼光谱属于锌 - 蓝色期CD的纵向光学（LO）声子模式，对于GNP/PVA表面上的1、2和3次旋转涂层样品已经观察到所有特征性的拉曼峰，属于NWS，属于NWS，属于485.13 cm -1，960.2 cm-1.2 cm。
Khalifa Alduhoori Diana Hammoud Munir Mbarouk Nagia ... 机器学习中的科学硕士 本科目录2023–2024 供应链管理
Lemees Bougas Nada Nash Nasder Latifa Alshalaahi Amaan Memon Memon Khalifa Alduhoori Abduhoori Abdulaziz Sharif Sharif Sharif Khalid Aboukar Malak Malak Allan Diana diana diana hamoud Munir Munir Munir Munir Munir Munir Munir Munir Mbarouk Nagia abolyousr abolyousr abolyousr abolyousr abolyousr tabarek alfalahik alfalahik alfalahik alfalahik alfalahik alfalahik Abdelrahman Madkour Ahmed Ahmed Selim Abdelrahman Mohamed Mohammed al-Chawabkeh Abdallah el-Memam ahmed Gah a allllah omar sami Saleem salem khalifa omar khalifa omar salem sina sina sina mokhtari sina mokhtari mohamd gayad abdulah abdulah abdulah alssaadiii mohamd Bana Sous Jood Shinawi Layth jarai alisha faizan abdulrahman shoaib hafsah tahir tahir Mohammed Johnny Kortbawi Aya Zabalawi Omar Farrag Ahmad Mansour Amr Abu Abu Alhaj Ahmed Ahmed Saja Haja Haader Jumana jumana bakr amjad haasan haasan Zainah Zainah owaidah owaidah owaidah sama alabweh sama alabweh joel alabweh joel Dwayne Fonseca Ahmed Al Refay Meera Aliali Mahra Alhaias Fatialalmarashda Meera Meera Aldaw Mohamed Eid eid Aley Aley Eshra Salma Salma Shaarawi Abdelrahman Abdelrahman darwish Zain darwish Zain raisan raisan raisan ananya sudhanya sudheer sudheer ashrita Koshy Saba Hussain Keshav Ramesh Mahmoud Darwish Aadith Aadith Shankarnarayananananananananananananananananananananananananananananananananananananananana raa raaed Munshi vibha vibha bhavikatti muhmmad usmani usmani samir samir mahmir mahmod mahmoud mahmoud abdulah abdulah abdulah zahid youssef youssef youssef youssef youssef Elmadany Jawad Zabalawi Mohammed Ahmed Ahmed Fahad Alzara MHD Tameem Kabbani Ramziyya Abdul Rahman Abdul Rahman Karim El Khatib El Khatib Saeed Alhefeiti Samrin Samrin Salem Rhea rhea rhea srivastava srivastava srivastava nikita Nikita Miller Ahmed Ahmed Ahmed Ahmed Ahmed Ahmed Ahmed Sharafath ahamed Zibli Hanaa Sadoun Amro Alkhatib Abdelrahman Hamzeh Yazan Nasir Basel Kordi Faris Abdelrazeq Youssef Eld MOHAMED ELEBSHIY MoHAMED ABDELTABAWAAWAAAAMAAMAMAMAMAMAMAZEQ YOUSSEF Eld Sheikh Dina Baflah Fares Barake Sara Walid Ibrahim Kanan Ahmed Hisham Hisham Momen Aldahshan aldahshan faisal abu abu abed abed abed abed abe abed abe ibrahim bachir bachir alanood alhanood alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri alhajri barghouthi死于在封闭环境中甲苯蒸气方向的数学模型及其吸入速率 div>
V掺杂的半金属铁磁性及光电特性
BaTiO 3 化合物：DFT 研究 A. Sohail a、SA Aldaghfag b、MKButt a、M. Zahid c、M.Yaseen a,*、J. Iqbal c、Misbah c、M. Ishfaq a、A. Dahshan d、ea 自旋光电子学和铁热电 (SOFT) 材料与器件实验室，巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学物理系 b 沙特阿拉伯利雅得 11671 诺拉公主大学 (PNU) 科学学院物理系 c 巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学化学系 d 沙特阿拉伯艾卜哈国王大学科学学院物理系 e 埃及塞得港大学科学学院物理系 钒 (V) 掺杂对采用自旋极化理论研究了不同浓度（x = 12.50%、25%、50%、75%）对BaTiO 3 钙钛矿物理性能的影响。两种状态的电子能带结构（BS）表明，Ba 0.875 V 0.125 TiO 3、Ba 0.75 V 0.25 TiO 3、Ba 0.5 V 0.5 TiO 3 和Ba 0.25 V 0.75 TiO 3 化合物均为半金属铁磁（HMF）材料。结果表明，V 对Ba 1-x V x TiO 3 化合物的HMF行为起着重要作用。此外，磁特性证实了所有所述化合物的磁矩的整数值。在光学性能方面，还计算了反射率R（ω）、光吸收α（ω）、介电函数ε（ω）、消光系数k（ω）和折射率n（ω）。完整的光学参数集表明上述材料可用于可见-紫外光电子器件。基于半金属 (HM) 的结果，V 掺杂的 BaTiO 3 可用于自旋电子学应用。 (2021 年 6 月 20 日收到；2021 年 10 月 5 日接受) 关键词：半金属铁磁体、态密度、磁矩、光学参数 1. 简介在过去的十年中，HMF 材料因其在隧道结、光电子学和磁性器件中的应用而引起了人们的广泛关注。此外，HMF 材料在自旋电子学中起着重要作用，因为这些材料包含两种自旋态，一种自旋版本表现出金属行为，而另一种自旋态表现得像半导体或绝缘体。HMFM 化合物，例如 PtMnSb 和 NiMnSb Heusler 合金，最初由 Groot 等人 [1- 4] 报道。
绿色金融清洁业务
成员先生MBM Lutful Hadee FCA MR。 Kamrul Abedin FCA MR。 Adeb Hossain Khan FCA先生N K A MOBIN FCA MR。 Gopal Chandra Ghosh FCA MR。 MD Mahamud Hosain FCA MR。 MD。 div>Yasin Miah FCA MR。 Midris Ali FCA先生博士Jamshed Sanyiath Ahmed Choudhury FCA MR。 MD Abu Sayed Khan FCA先生穆罕默德·法哈德·侯赛因FCA先生Nanda Gopal Chakraborty FCA MR。 Azhar Uddin Ahmed FCA MR。 MD Abdus Salam FCA MR。 MD Eradat Ullah FCA先生Mohammad Zahid Hossain FCA先生Mostafa Kamal FCA先生Masud Parvez FCA先生MD。 div>Kahir Mahmood FCA MR。 Harun Mahmud FCA MR。 Muhammad Wahidur Rahman FCA先生MD Mozibur Rahman FCA先生穆罕默德·阿里FCA先生Sabbir Ahmed FCA MR。 Muhammed Abul Hashem FCA MR。 Mustafa Alim Aolad ACA先生Kamalesh Bhowmik FCA MR。阿卜杜斯·萨塔尔FCA MR。 MD。 div>Delwar Hossain FCA先生Sabuj Hossain Chowdhuri FCA MR。 Abdul Matin FCA MR。 Abdullah-Al-Mamun FCA MR。 Uzzal Deb Nath FCA先生SK。 div>MD。 div>Tarikul Islam FCA先生Muhammad Asaduzzaman FCA先生Imtiaz Alam FCA MR。穆罕默德·罗斯塔姆·霍萨恩FCA先生Pankoj Suter FCA MR。 Miltan Bepari FCA先生Mohammad Anwarul Hoque FCA先生H M Ashraf-Ruz Zaman FCA MR。 Wasqul Huq Reagan FCA MS。 Farhana Sultana FCA MR。 Bipul Chandra Nath FCA先生Shah MD。 div> Mohin Uddin FCA MR。 AKM Mesbahul Karim FCA MR。 MD。 div> Mustaq Ahmed FCA MR。 Sayed Ashraf Mohammed Iqbal FCA先生Moiz QBAL FCA MR。 MD。 div> Shaikot Jahan ACA先生Kowsar Ahmed ACA先生MD。 div> Abdullah Al Mamun ACA MR。 Sharif MD Baizid ACA先生Dipanjan Das ACA先生Soumitra Dey ACA先生Ronajoy Sen ACATarikul Islam FCA先生Muhammad Asaduzzaman FCA先生Imtiaz Alam FCA MR。穆罕默德·罗斯塔姆·霍萨恩FCA先生Pankoj Suter FCA MR。 Miltan Bepari FCA先生Mohammad Anwarul Hoque FCA先生H M Ashraf-Ruz Zaman FCA MR。 Wasqul Huq Reagan FCA MS。 Farhana Sultana FCA MR。 Bipul Chandra Nath FCA先生Shah MD。 div>Mohin Uddin FCA MR。 AKM Mesbahul Karim FCA MR。 MD。 div>Mustaq Ahmed FCA MR。 Sayed Ashraf Mohammed Iqbal FCA先生Moiz QBAL FCA MR。 MD。 div>Shaikot Jahan ACA先生Kowsar Ahmed ACA先生MD。 div>Abdullah Al Mamun ACA MR。 Sharif MD Baizid ACA先生Dipanjan Das ACA先生Soumitra Dey ACA先生Ronajoy Sen ACA
BA2CATEO6和...
热电和光电应用M. Ishfaq A，A.Aziz A，S。A. A. Aldaghfag B，S。Noreen C，M。Zahid C，M。物理系，科学学院，努拉·本特·阿卜杜勒拉赫曼大学，P。O。Box 84428, Riyadh 11671, Saudi Arabia c Department of Chemistry, University of Agriculture Faisalabad, Faisalabad 38040, Pakistan Herein, structural, optoelectronic, and thermoelectric characteristics of Ba 2 CaTeO 6 and Ba 2 CaWO 6 oxides double perovskite have been evaluated by first-principles calculations.计算形成和公差因子的焓，以确保相应的结构和热力学稳定性。ba 2 cateo 6和ba 2 cawo 6分别计算出5.87 eV和4.20 eV的MBJ。此外，计算了介电常数（ԑ1（ω）＆ԑ2（ω））和其他相关参数之类的光学参数。使用Boltztrap软件包检查热电（TE）参数。450 K时Ba 2 Ca（TE/W）O 6的ZT值分别为0.76/0.79。BA 2 Cateo 6和Ba 2 Cawo 6双钙钛矿的结果表明，这些材料是基于紫外线的光学和各种TE小工具的潜在竞争者。（2024年5月12日收到； 2024年8月5日）关键字：超速带隙半导体，双钙晶，DFT，热电学，光电子，光电子学1。另一方面，E G大于3.4 eV的半导体被称为Ultrawide BandGap（UWBG）半导体[1-3]。引言具有小于2.3 eV的电子带盖（E G）的传统半导体材料，例如SI，GE和III-V化合物，已成为电子和光子学技术进步的基础。，例如，UWBG半导体GAN已超过了SI在过去15年中第二重要的材料，因为它在固态照明中使用了，这极大地改变了世界的方式使用光源。然而，GAN的高制造成本，加上其孔的不良迁移率和较低的导热率，限制了其对电子工业的全面影响[4]。在这方面，科学家们正在努力开发替代的UWBG材料。最近，双重钙棍（DPS）已成为独立的化合物家族，这些家族表现出从半金属到狭窄的频带到狭窄的频带到超宽带频带半导体的多样性特征，由于它们在理想的立方体（fm3m太空组）latte lattice lattice结构中具有各种阳离子的能力，因此具有多种多样的特性[5-7]。
探索be1-XCRXSE合金用于Spintronics和...
H。Ambreen A，S。Saleem A，S。A. Aldaghfag B，M。Zahid C，S。Noreen C，M。Ishfaq A，M。Yaseen A，*一种自旋 - 呼吸链球化学和铁 - 毛线 - 毛发（软）材料和设备材料和设备实验室，物理学系，Budriculture of Fystricant of Fystricant byrive of Falthricant of Falthican bysalabad 3804040404004040404040404040年404040404040404040年。科学，努拉·宾特·阿卜杜勒拉赫曼公主，P。O。Box 84428，Riyadh 11671，沙特阿拉伯C化学系，农业大学Faisalabad，Faisalabad 38040，巴基斯坦在这项研究中，旋转极化密度功能理论（DFT）实施以预测BE 1-X CR x SE的物理特征，x se x se x se（x = 6.5％），12.5％，12.5％，12.5％。纯BESE化合物的电子特性显示出半导体的行为，但在Cr掺杂bese阐明了所有掺杂浓度的BESE半金属铁磁（HMF）。结果阐明了每CR -ATOM的总磁矩M TOT为4.0028、4.0027、4.0021和4.0002μb，分别为6.25％，12.5％，18.75％，25％的浓度，磁性浓度和磁性主要来自杂质的磁性旋转旋转密度的d- state。此外，还计算了光学参数，以确定掺杂对材料对能量跨度的响应的影响，从0到10 eV。光学研究表明，所研究的系统在紫外线范围内具有最大的吸光度和光导率，并具有最小的反射。总体结果表明，CR掺杂的硒化氏酵母（BESE）是用于旋转和光电设备的有前途的材料。在1983年，De Groot等人观察到了HMF行为。（收到2024年2月29日； 2024年4月29日接受）关键词：Spintronics，DFT，磁密度，光学参数1.从过去几十年来的引入中，对新兴的化合物组进行了密集的实验和理论工作，该化合物被认为是稀磁半导体（DMS）。DMS已在自旋产业和多功能电子设备（光电，气体传感器，现场发射设备，非挥发性存储器设备和紫外线吸收器）中使用[1-6]。DMS基于III – V和II – VI二元化合物，这是铁磁（FM）和半导体特性的组合。DMS是通过在宿主材料矩阵[7]中掺入过渡金属（TM）来实现的，该矩阵[7]由于电子特征的变化而改变了宿主系统的E G [8]，从而导致一半金属铁磁材料，导致金属和半导性行为，显示金属和半导向行为。是第一次研究半赫斯勒化合物的带结构，例如PTMNSB和NIMNSB [9]。在理论上和实验上都预测了几位研究人员，HMF在各种材料中的行为，例如钙钛矿化合物LA 0.7 SR 0.7 SR 0.3 MNO 3 [10]，Heusler Alloys Co 2 Mnsi [11] [11] v掺杂的MGSE/MGTE [15]，Bete [16]，Znse [17]和Znte [18]。