实验 注意:至少要进行五个实验 1. 绘制 Si PN 结二极管的正向/反向特性。 2. 绘制齐纳二极管的正向/反向特性 3. 研究并绘制齐纳二极管作为稳压器的特性 4. 研究半波整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 5. 研究全波整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 6. 研究桥式整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 7. 画出 CE 配置中 npn 晶体管的输入输出特性曲线 8. 画出 CB 配置中 npn 晶体管的输入输出特性曲线 9. 画出 JFET 的漏极和传输曲线 10. 研究 OPAMP (741) 并计算 (i) 反相模式和 (ii) 非反相模式下的增益
MB431A 是一款 3 端可调分流稳压器,可在整个工作温度范围内保证温度稳定性。只需选择两个用作分压网络的外部电阻器,即可将输出电压设置为大于 2.5V (V ) 至 40V 的任何水平。由于具有快速导通特性,该器件是许多齐纳二极管应用的绝佳替代品。
单位 - i引言,半导体中的运输现象,p-n结的形成,p-n连接的性质,p-n结二极管;半导体二极管,V-I特征,温度对V-I特征的影响,理想二极管,二极管方程,二极管电阻,二极管电容:过渡和扩散电容。单元 - II整流电路和直流电源:二极管电路的负载线分析,半波整流器:电压调节,波纹因子,整流比率,更新的比率,变压器利用率。全波整流器,桥梁整流器。电源过滤电路:电感过滤器,电容器过滤器,LC滤波器,多LC滤波器,CLC或P滤波器。Zener二极管:使用Zener二极管分解机制,特性,规格,电压调节器电路。单元-III晶体管:简介,构造,类型:NPN和PNP,当前组件。晶体管作为放大器,晶体管特性,晶体管电路配置:共同基座(CB)配置,公共发射极(CE)配置,公共收集器配置(CC),早期效果。ebers-moll模型,最大电压评级。单位 - IV晶体管偏置和热稳定:工作点,偏置稳定性,稳定性因子,发射极偏置,收集器 - to - 基本偏见,电压分隔符,发射极偏置,发射器旁路电容器。偏见补偿。单元 - V场效应晶体管(FET):引言,构造,操作,V-I特征,转移特性,漏液特征,小信号模型。教科书的名称:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET):简介,结构,操作和特征,耗尽MOSFET,增强MOSFET。
TVS: 30,000 件/月 MOSFET/ IGBT: 10,500 件/月 EPI: 60,000 件/月 肖特基: 45,000 件/月 TVS ESD 阵列: 5,000 件/月 齐纳: 5,000 件/月 FRED: 5,000 件/月 LVf 整流器: 5,000 件/月
电视:30,000个/月MOSFET/IGBT:10,500 PC/月EPI:60,000 PCS/月Schottky:45,000 PCS/月电视eSD阵列:5,000 PCS/月份底盘:5,000 PCS/月/月/月弗雷德:5,000 PCS/月/月LVF Rectifier:5,000 PCS PCS PCS PCS PCS PCS PCS PCS PCS/DIV
注意:CDM7162 是 ESD 敏感产品。本产品不使用任何 ESD 保护元件,例如齐纳二极管或压敏电阻。建议在应用产品组装过程中使用 ESD 保护设备来处理模块。还建议在将本产品嵌入成品时,根据预期应用的要求使用 ESD 保护元件和/或 ESD 保护外壳。
RS485接口广泛应用于工业控制、远程抄表等领域,而这些领域经常受到严重的静电损害。本文提出了一种无需额外工艺改造的片上TVS(OCT)结构和一种用于RS485收发器IC的新型静电放电方法。它由一系列齐纳二极管组成,采用5V/18V/24V 0.5μm CDMOS工艺制作。对提出的OCT进行了100ns脉冲宽度的传输线脉冲(TLP)测试。驱动电路本身也可用作ESD器件。OCT触发电压与RS485标准的信号电平兼容。OCT器件的人体模型(HBM)防护等级高达16.34kV。对集成OCT的RS485收发器也进行了测试,以验证其可靠性。结果表明,它能够通过 IEC61000-4-2 接触 ±10kV 应力和 IEC 61000−4−4 电快速瞬变 (EFT) ±2.2kV,不会出现任何硬损坏和闩锁问题。集成 OCT 的 RS485 收发器可实现高达 500 kbps 的无错误数据传输速率。该芯片占用 2.4 × 1.17mm 2 的硅片面积。关键词:片上 TVS (OCT);传输线脉冲 (TLP);RS485 齐纳二极管。
2.1。上一章中的引言,我们研究了固体,费米能概念的频带理论以及金属,绝缘体和半导体的能带结构。此外,讨论了有关本质和外部半导体中电流传导及其在0K和较高温度下的能量带图的细节。固体理论的重要成功之一是我们将在本单元中学到的对半导体及其物理特性的理论理解。有各种设备在电子设备中具有广泛的应用。所有这些设备均基于半导体理论。在本章中,我们将研究半导体二极管的类型,P-N结二极管,隧道二极管,Zener二极管,LED和Photodiode等设备的特性和工作。我们还将讨论霍尔效应及其应用,二极管作为整流器的应用,晶体管的类型以及晶体管在CB和CE模式下作为放大器的应用。
I. 引言 国家计量院 (NMI) 之间的相互认可安排特别重视关键比对,以证明 NMI 测量某些关键量的能力。电磁学咨询委员会已将 1.018 V 和 10V 标准(包括约瑟夫森阵列电压标准 (JAVS))的比对确定为关键比对。这些标准有时是商用系统,被越来越多的 NMI 用作主要电压标准。为利用 JAVS 的高精度,国际计量局 (BIPM) 自 1991 年以来一直进行现场直接比对。NMI 检查 JAVS 标准一致性的另一种方法是使用基于齐纳二极管的参考(齐纳二极管)作为国际比对的移动标准。这种比较对齐纳二极管的性能要求最高。不过,只要对压力和温度对齐纳二极管输出的影响进行校正,似乎就有可能达到 I 部分的 108 级不确定度。不具备 JAVS 的 NMI 通常依靠齐纳二极管作为移动标准,以确保通过校准和与其他 NMI 或 BIPM 的比较来追溯到约瑟夫森标准。多年来,一些 NMI 参加了 BIPM 对其国家电压标准的定期校准。