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课程提纲，用于描述性学科能力测试（SAT），以招募部门的工厂助理主任，I级（宪报）
1.1工程物理学半导体材料，P型和N型半导体；半导体中的费米水平；当前的半导体传导，P-N结二极管的I-V特性，一些特殊的P-N二极管：Zener二极管，隧道二极管，照片二极管和光发射二极管。爱因斯坦的物质辐射相互作用理论以及A和B系数；通过种群反演，不同类型的激光器来扩增光线：气体激光器（HE-NE，CO2），固态激光器（Ruby，Neododim），染料激光器；激光束的特性：单色，相干性，方向性和亮度，激光斑点，激光在科学，工程和医学中的应用。光纤介绍，验收角，数值孔径，归一化频率，传播模式，材料分散和脉冲扩展，在光纤，光纤连接器，拼接和耦合器中，光纤的应用。电磁波和电介质，梯度，发散和卷曲的物理意义，电场与潜在之间的关系，介电极极化，位移电流，麦克斯韦的方程，自由空间中的电磁波传播，以及各向同性的电介质介质中介质，poynting媒介，poynting媒介物，电子磁性，电子磁性，基本概念（基本构想）。Magnetic Materials & Superconductivity, Basic ideas of Dia, Para, Ferro & Ferrimagnetic materials, Ferrites, Hysteresis loop, Magnetic Anisotropy, Superconductivity, Superconductors as ideal diamagnetic materials, Signatures of Superconducting state, Meissner Effect, Type I & Type II superconductors, Applications of superconductivity.1.2基本电气和电子工程DC电路，涵盖了欧姆法律和基希霍夫的法律；分析由独立电压源激发的串联，并行和串联平行电路；力量和能量；电磁涵盖，法拉第法律，伦茨法律，弗莱明的规则，静态和动态诱导的EMF；自我电感，相互电感和耦合系数的概念；存储在磁场中的能量；单相交流电路涵盖正弦电压的产生，平均值，均方根值，正弦电压的外形因子和峰值因子和电流，交替数量的相量表示；分析
大学赠款委员会净局
单元I对半导体的简介，固体中的能带，有效质量的概念，状态的密度，费米水平。pn连接，二极管方程和二极管等效电路，二极管中的故障，齐纳二极管，隧道二极管，金属半导体连接 - 欧米克和肖特基触点，JFET的特征和同等电路，MOSFET，MOSFET。低维半导体设备 - 量子井，量子线，量子点。高电子迁移式晶体管（HEMT），太阳能电池 - I-V特征，填充因子和效率，LED，LCD和柔性显示器。未来设备的新兴材料：石墨烯，碳纳米管（CNT），ZnO，SIC等。单元-II IC制造 - 晶体生长，外延，氧化，光刻，掺杂，蚀刻，隔离方法，隔离方法，金属化，粘合，薄膜沉积和表征技术：XRD，TEM，SEM，EDX，EDX，薄膜，薄膜和无源设备，MOS技术和Mos设备和莫斯设备和莫斯式的NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS和CMOS的缩放电压，NMOS和CMOS逆变器，电荷耦合设备（CCD） - 结构，电荷存储和传输，VLSI设计的基础，贴纸图，布局设计规则。单元III叠加，Thevenin，Norton和最大功率传递定理，网络元素，网络图，节点和网格分析。拉普拉斯变换，傅立叶变换和Z变换。时间和频域响应，被动过滤器，两个端口网络参数：Z，Y，ABCD和H参数，传输函数，信号表示，状态可变的电路分析方法，AC电路分析，瞬态分析，零和极点，Bode图。
能量收获
材料法案数量指示符描述Vishay P / N 1 B1 196 HVC Enycap™4 F / 4.2 V，堆叠水平MAL219691113E3 4 B2，B3，B4，B4，B5 SMD ENYCAP™，每个2.1 V，每个（8 mm x 11 mm，9 mm x 22 mm x 22 mm x 22 mm） ILSB0603ER100K 1 C1 Ceramic capacitor: 100 nF, 10 V, 10 %, X7R, 0402 VJ0402V104ZXQPW1BC 1 C2 Ceramic capacitor: 1 nF, 50 V, 5 %, X8R, 0402 VL0402H102JxAPxxx 1 C3 Ceramic capacitor: 10 nF, 10 V, 10 %, X7R, 0402 1 C4 Ceramic capacitor: 1 μF, 25 V, 20 %, X5R, 0402 1 CBOOST Ceramic capacitor: 22 μF, 10 V, 20 %, X5R, 0603 1 CSRC Ceramic capacitor: 10 μF, 10 V, 20 %, X5R, 0603 2 CBATT, CSRC2 150 μF, ± 20％，6.3 V陶瓷电容器X5R，1206（3216公制）3 CBUCK，CHV，CLV陶瓷电容器：10μF，10 V，20％，20％，X5R 1 D1 Schottky BAT54 300 MA，40 V BAS16D-E3 1 D4 LED 0402 RED替代：VLMS15002 d5 d5 d5 04 04 VLMG1500-GS08 1 D6齐纳5.1 V，300 MW，2针SOD-323 BZX384C5V1-E3 1 lboost低剖面，高电流，屏蔽电感器IFSC1008ABER100M01 1 PIN，3杆，3杆1 Q1 N-CHANNEL 60 v，30 v，1 Q1 N-CHANNEL 60 v，SOT23，1.SOT：8 Ω 2N7002K-T1-E3 1 R1 Thick film resistor: 7.15 M Ω , 0603, ± 1 %, AEC-Q200 CRCW06037M15FKEA 1 R1b Thin film resistor: 100 k Ω , 0603, ± 0.1 % MCT06030C1003FP500 1 R2 Thick film resistor: 3.48 M Ω , 0603, ± 1 %, AEC-Q200 MCT06030C3834FP500 1 R2_b Resistor: 0 Ω - 0603, resistor 0 Ω - 0603 solder bridge CRCW06030000Z0EA0C 1 R3 Thick film resistor: 383 k Ω , 0402, ± 1 % CRCW0603383KFKEA
组件降额指南 高可靠性电源...
注：T J 为元件的最大额定结温。> (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 其他类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 三端双向可控硅类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 晶闸管/SCR 类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 齐纳型二极管 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 电压参考>（T J -10）O C（T J -50）O C至（T J -10）O C <（T J -50）O C瞬时抑制器>（T J -10）O C（T J -50）O C TO（T J -10）O C <（T J -10）O C <（T J -50）O C Power Rectifier>（T J -10）O C（T J -10）O C（T J -10）O C（T J -50） >（T J -10）O C（T J -50）O C至（T J -10）O C <（T J -50）O C小信号二极管>（T J -10）O C（T J -50）O C（T J -50）O C TO（T J -10）O C <（T J -50）O C <（T J -50）O C Transistors>（T J -50） -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C FET
Ph.D.入学考试教学大纲2024年1月Ph.D.入学考试教学大纲2024年1月
1。基本电子PN连接二极管，硅的能带，内在和外部硅。硅的运输：扩散电流，漂移电流，迁移率和电阻率。载体，PN连接二极管，Zener二极管，隧道二极管，BJT，JFET，MOS电容器，MOSFET，LED，PIN，PIN和AVALANCHE PHOTO DIODE的产生和重组。二极管，BJT，MOSFET和模拟CMO的小信号等效电路。简单的二极管电路，剪裁，夹紧，整流器。晶体管的偏见和偏置稳定性； FET放大器。2。数字电子逻辑大门：或者，或者不nand，non，nor，ex-or，ex-nor;布尔代数，错误检测和校正代码，karnaugh地图，多路复用器和弹能器，BCD算术电路，编码器和解码器，触发器：S -R，J-K，J-K，T，T，D，D，Master-Slave，Edge，Edge触发； p-n连接，D/A和A/D转换器的切换模式操作。3。微处理器简介微处理器，8085/8086微处理器：体系结构和框图； 8085/8086微处理器的指令集：数据传输说明，算术说明，分支说明，循环说明； 8255 PPI芯片建筑； 8259可编程中断控制器，8237 DMA控制器。4。数字信号处理离散时间信号，离散时间系统，时间信号的采样，数字过滤器，多段数字信号处理，ADSP 2100，DSP处理器，DSP的应用，DSP IN：通信，语音处理，图像处理，生物医学和雷达5。D.C.电动机和感应电动机等7。工业驱动器的电动驱动器组件；电气驱动器的选择；电动驱动器的动力学；时间和能量的计算；瞬态操作损失；稳态稳定性和负载均衡。闭环控制相位锁定环（PLLL）控制；电动机加热和冷却的热模型；运动税和电动机等级类别。启动；制动和电动机的速度控制；象限驱动器；负载类型；过程行业使用的扭矩和相关控件；选择电动机和继电器。无刷直流电动机，步进电机，切换的不情愿马达6。电力系统一般布局和热电站的主要组件（简而言之）。可用的水电；选择用于水力发电站的地点；他们的分类；布局和主要组件（简而言之）。核电站 - 拟合能量；一般布局和主要组件（简而言之）；废物处理；核反应堆的类型（简而言之）；一般布置和主要组成部分（简而言之）；核辐射的类型及其作用。使用同步冷凝器改进系统的功率。传输系统计算电阻，电感，单导体的电容，多导体，单相和三相传输线的计算；换位;双电路线；皮肤和接近效应；广义ABCD常数；短和中线的表示和稳态分析；调节和效率；名义– T和PI电路；长线：电流 - 电压关系，双曲线解；冲浪阻抗；冲浪阻抗载荷；总电路等效表示；费兰蒂效应；电源通过传输线；一条线的反应性发电 /吸收；动力传输能力；分流和系列补偿（简而言之）。
IUS 2025春季课程计划本科
ITU至少有30天的实习是强制性的。课程目录描述在IUS：CS303数字设计：关于数字电子构建块的标准入门课程。学生将学习布尔代数的公理，数字系统和表示，逻辑门的功能，编码器，解码器，多路复用器，分流器，加法器，减法器，触发器等。课程包括简单有限状态机的分析和设计。简要研究了不同电路家族的物理实施以及数字记忆的体系结构。学生还将学习使用VHDL在可编程逻辑设备中实现数字电路。EE201模拟电子I：传导。半导体，载体，P型和-Type掺杂，漂移和扩散机制，PN连接的物理结构和行为。理想二极管，实用二极管，电气行为和电流 - 电压曲线。二极管模型。DC分析方法的二极管电路（恒定电压下降模型，带指数模型的固定点迭代）。小信号近似，二极管小信号等效和二极管电路的交流分析，直流电源设计（整流器，用滤波器电容器对拓扑分析）。Zener二极管和调节。身体耐药性和寄生能力。其他二极管类型。双极结构晶体管（BJT），早期现象，BJT操作区域，电气模型（Ebers-Moll）和特征的物理结构和行为。DC偏置和BJT电路的热稳定性。MOSFET，操作区域，特征，重要次要效应（通道长度调制，身体效应）的物理结构和行为。DC偏置和MOSFET电路的热稳定性。切换BJT和MOSFET的应用，这是数字电路中的概念用法。EE202电路II：高阶动态电路的状态和输出方程。状态过渡矩阵和属性。zerostate，零输入和总响应。正弦稳态。在JW-域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。拟态。力量。三相系统。在S域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。阻抗和入学。稳定性和劳斯标准。网络功能和参数。块和信号流程图。bode图。ee221面向对象的编程：数据类型，控制语句，循环，阵列，功能，指针，动态内存，抽象和封装，类，对象，构造函数，构造函数和驱动器，继承和多态性，类，类等级，超级类，超级类，亚类，互动类，界面，界面，界面，界面，虚拟方法，虚拟方法，operator，Operator opertranting，Operator，Operator opertranting。EE301模拟电子II：扩增和增益概念，Desibell概念，电压放大器 /电流放大器 /跨导电电路 /跨逆性电路模型，晶体管在扩增中的概念功能。DC分析晶体管（BJT，MOSFET）电路。BJT和MOSFET的小信号当量和末端电阻。AC分析BJT和MOSFET放大器：基本放大器阶段的增益和输入/输入电阻，分析级联（直接/电容性耦合）放大器。cascode结构，达灵顿结构。差分放大器，差分和共同模式增益，共同模式排斥比。当前来源，负载的电路。操作放大器，理想和实际行为，样品操作机的内部结构。opamp的线性和非线性应用，非理想性对行为的影响。功率放大器。eens221工程学简介：本课程是工程学深度一年级学生的方向课程。它旨在使学生适应更轻松，并告知他们有关电子产品的一般主题以及电信工程，工程道德和质量。各种教职员工向学生们发表演讲。提供了申请的示例，加上工程伦理守则，道德责任，设计中的质量问题和应用程序。ELIT113技术英语：本课程旨在通过使用引起的信息通过阅读和分析技术和学术文本以及学术和技术写作技巧来提高学生的阅读能力。学生不仅了解学术和技术英语的要求，还可以提高他们的其他语言和批判性思维能力。ELIT213学术写作简介：旨在教授组织和关键的课程学生有望通过使用适当的技术语言来广泛描述对象和机制，以对他们所研究的信息进行分类并撰写有关分类的分析组成，以引用他们在整个过程中使用的所有信息。