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ZR22G、ZR802G 和 ZR202G，氧化锆氧气/湿度分析仪
ZR802G 转换器采用数字显示屏，除了显示氧气浓度外，还显示电池温度和电池电动势，并包括人机界面 (HMI)，提供简便的触摸屏操作。该分析仪最适合监测大、小锅炉、各种工业炉和燃烧设备中燃烧气体的氧气浓度，或用于低氧燃烧的控制。分离式和集成式氧化锆高温湿度分析仪用于在使用电加热器或热气作为热源的干燥机中连续测量热气的湿度。它们还可用于加湿器和干燥机中的各种制造应用中，用于湿度测量和控制。它们可以帮助提高这些应用领域的生产力。
高能束制备纳米氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷的原理、凝固工艺、组织与力学性能
摘要：纳米晶氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷是用高能束制备的，由超细、三维缠结的单晶域组成，是一类特殊的共晶氧化物，具有极高的高温力学性能，如强度和韧性以及抗蠕变性。本文旨在全面综述氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷的基本原理、先进的凝固工艺、微观结构和力学性能，特别关注纳米晶尺度上的技术现状。首先根据先前报道的模型介绍了耦合共晶生长的一些基本原理，然后简要介绍了凝固技术和从工艺变量控制凝固行为的策略。然后，从不同层次尺度阐明纳米共晶结构的微观结构形成，并详细讨论硬度、弯曲和拉伸强度、断裂韧性和耐磨性等机械性能，以进行比较研究。利用高能束工艺已经生产出具有独特微观结构和成分特征的纳米氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷，在许多情况下，与传统共晶陶瓷相比，机械性能有显著改善。
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
锆的先进低温氯化技术 - INFO
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锆和hafnium的分析化学
锆和hafnium具有许多有趣的物理和机械性能，例如在低温和升高温度下金属和合金的耐腐蚀性以及机械强度。锆到热中子的透射术已发现其作为核反应堆中建筑材料的最大用途。hafnium始终与锆有关，彼此之间的分离一直是分析化学家的挑战。hafnium由于其较大的中子横截面而被用作核反应堆中的对照棒。的兴趣较少。但是，随着其应用程序的扩大，这可能会更改。hafnium可以吸收并放弃热量的速度两倍以上是锆或钛的两倍以上，作为喷气发动机和太空技术的建筑材料似乎非常有前途。该专着介绍了有关锆和hafnium的表征和分析的可用文献的集合和比较。已经讨论了锆和hafnium的水性化学，以引起人们对水解和聚合的并发症的注意，及其对分析程序的影响。的经典方法（例如重为重量，滴定和吸收法）与光谱，X射线和中子激活方法一起列出。分离的技术，已经讨论了与hafnium的锆。 专着涵盖了直到1967年的重要文献。 感谢亨利·弗里瑟（Henry Freiser）教授对手稿的宝贵批评。分离的技术，已经讨论了与hafnium的锆。专着涵盖了直到1967年的重要文献。感谢亨利·弗里瑟（Henry Freiser）教授对手稿的宝贵批评。
电沉积的羟基磷灰石/氧化石墨烯/氧化锆氧化物复合涂料：表征和抗菌活性
目前的研究旨在通过使用电泳沉积来表征钛底物上羟基磷灰石，锆和氧化石墨烯纳米复合材料。在第一阶段，除了表征创建的复合涂层外，通过使用扫描电子显微镜（SEM）评估了创建涂层的厚度和均匀性。另外，通过元素分析研究了纳米粉末颗粒的分布。在第二阶段，通过使用X射线衍射分析，绘制并研究了涂层中使用的材料的位置。在第三阶段，为了评估在向羟基磷灰石中添加纳米颗粒而导致的涂层腐蚀行为，并将其与非涂层样品进行了比较，对化学偏振形式的电化学分析进行了比较，并与绘制相关图表进行了分析。最后，在第四阶段，进行了涂层上大肠杆菌和葡萄球菌细菌的抗菌测试，并与未涂层的合金样品进行了比较。腐蚀测试结果表明，使用纳米复合涂层会导致表面耐腐蚀性的增加。抗菌测试结果表明，使用纳米复合涂料可有效地降低表面细菌的生长。
磁控溅射锆钛酸铅（PZT）薄膜涂层的制备、微观结构与性能
摘要：与化学计量简单的氮化铝 (AlN) 相比，锆钛酸铅薄膜 (PZT) 具有优异的压电和介电性能，是先进微机电系统 (MEMS) 器件中另一种有希望的候选材料。大面积 PZT 薄膜的制造具有挑战性，但需求迫切。因此，有必要建立合成参数与特定性能之间的关系。与溶胶-凝胶和脉冲激光沉积技术相比，本综述重点介绍了磁控溅射技术，因为它具有高度的可行性和可控性。在本文中，我们概述了 PZT 薄膜的微观结构特征、合成参数（如基底、沉积温度、气体气氛和退火温度等）和功能特性（如介电、压电和铁电等）。本综述特别强调了这些影响因素的依赖性，为研究人员通过磁控溅射技术获取具有预期性能的PZT薄膜提供实验指导。
人工智能在氧化锆生物医学应用中的应用
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用于承重植入物的氧化锆增韧氧化铝涂层 Ti6Al4V
[3] M.E.Moussa, C.I.Esposito, M.E.Elpers, T.M.Wright, D.E.Padgett，髋关节脱位增加全髋关节置换术中氧化锆股骨头的粗糙度：59 次检索分析，J. Arthroplasty。30 (2015) 713–717。https://doi.org/10.1016/j.arth.2014.10.036。